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公开(公告)号：CN102339804A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110204593.X
申请日：2011-07-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L23/3107 , H01L24/04 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48639 , H01L2224/73265 , H01L2224/85439 , H01L2224/97 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/14 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2924/0105 , H01L2924/01026 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件在外部镀膜中具有改善的抗晶须性。该半导体器件包括半导体芯片固定于其上的薄片、多个内引线、与内引线一体形成的多个外引线、用于将半导体芯片的电极焊盘与内引线彼此耦合的多个接线以及用于密封半导体芯片的密封体。外引线从密封体突出并且在每个外引线的表面上形成作为无铅镀膜的外部镀膜。在外部镀膜中，直径不大于1μm且在外部镀膜的厚度方向中的界面侧上存在的晶粒数目比不大于1μm且在外部镀膜的表面侧上存在的晶粒数目大，由此使得外部镀膜和外引线之间的线性膨胀系数之差较小，从而使得可以抑制晶须的生长。
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公开(公告)号：CN102339804B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110204593.X
申请日：2011-07-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L23/3107 , H01L24/04 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48639 , H01L2224/73265 , H01L2224/85439 , H01L2224/97 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/14 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2924/0105 , H01L2924/01026 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件在外部镀膜中具有改善的抗晶须性。该半导体器件包括半导体芯片固定于其上的薄片、多个内引线、与内引线一体形成的多个外引线、用于将半导体芯片的电极焊盘与内引线彼此耦合的多个接线以及用于密封半导体芯片的密封体。外引线从密封体突出并且在每个外引线的表面上形成作为无铅镀膜的外部镀膜。在外部镀膜中，直径不大于1μm且在外部镀膜的厚度方向中的界面侧上存在的晶粒数目比不大于1μm且在外部镀膜的表面侧上存在的晶粒数目大，由此使得外部镀膜和外引线之间的线性膨胀系数之差较小，从而使得可以抑制晶须的生长。
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公开(公告)号：CN104022092A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410264924.2
申请日：2010-06-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/16 , H01L2224/05647 , H01L2224/13099 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/45144 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/48
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其中半导体器件层叠了半导体芯片或层叠了安装有半导体芯片的布线衬底，在此器件中，层叠了半导体芯片或布线衬底的电极间的连接结构(1)包括：以Cu为主要成分的一对电极(2，3)；和夹在一对电极(2，3)之间的由Sn-In类合金形成的焊料层(5)，在该焊料层(5)中分散有Sn-Cu-Ni化合物(6)。能在低温、低负荷下可靠连接，连接部即使在层叠工艺、其后的安装工艺等中被加热也能保持形状。
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公开(公告)号：CN101958298A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010206061.5
申请日：2010-06-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/16 , H01L2224/05647 , H01L2224/13099 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/45144 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/48
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件层叠了半导体芯片或层叠了安装有半导体芯片的布线衬底，在此器件中，层叠了半导体芯片或布线衬底的电极间的连接结构(1)包括：以Cu为主要成分的一对电极(2，3)；和夹在一对电极(2，3)之间的由Sn-In类合金形成的焊料层(5)，在该焊料层(5)中分散有Sn-Cu-Ni化合物(6)。能在低温、低负荷下可靠连接，连接部即使在层叠工艺、其后的安装工艺等中被加热也能保持形状。
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