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公开(公告)号：CN107431010B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201680018960.8
申请日：2016-04-08
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L33/22
Abstract: 具有凹凸构造之基板的制造方法，包括：第1掩模形成工序，在基板(11)之上形成包含由多个粒子(P)所构成的单粒子膜(F)的第1掩模(21)；第2掩模形成工序，在基板(11)之上，通过包含掩模材料的液状体的固化来形成第2掩模(22)；以及蚀刻工序，使用第1掩模(21)和第2掩模(22)来蚀刻基板(11)。
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公开(公告)号：CN104781059A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380059083.5
申请日：2013-12-11
Applicant: 王子控股株式会社
CPC classification number: G02B1/11 , B29C33/38 , B29C33/424 , B29C37/0053 , B29D11/00326 , B29L2011/00 , G02B1/10 , G02B1/118 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091 , Y10S977/887
Abstract: 该光学元件制作用模具具备母材及形成于母材的表面的凹凸层，凹凸层的凹凸结构具备以邻接的7个凸部的中心点与正六角形的6个顶点成为对角线的交点的位置关系连续整齐排列的复数个区域，该复数个区域的面积、形状及结晶方位为无规。
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公开(公告)号：CN116802266A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202280011407.7
申请日：2022-03-29
Applicant: 国立大学法人北海道大学 , 王子控股株式会社
IPC: C12M1/00
Abstract: 本发明的一个方式提供：能够容易地形成细胞团块且工业上的量产性优异的细胞团块形成构件；具备所述细胞团块形成构件的培养容器；使用所述细胞团块形成构件的培养细胞的生产方法；以及具备所述细胞团块形成构件的带有细胞团块形成构件的培养细胞。本发明的一例的细胞团块形成构件(1B)具有基材(2)，在基材(2)的表面(2a)形成有附着抑制区域(3A)和细胞附着区域(4B)，在细胞附着区域(4B)形成有包含多个凸部(7)的微细凹凸结构区域(6)，在附着抑制区域(3A)和细胞附着区域(4B)这两者形成有亲水性涂层(5)。一例的培养容器和带有细胞团块形成构件的培养细胞具备细胞团块形成构件(1B)。一例的培养细胞的生产方法中使用细胞团块形成构件(1B)。
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公开(公告)号：CN108389944B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810318509.9
申请日：2013-08-21
Applicant: 王子控股株式会社
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件用基板及一种半导体发光元件。本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M1)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。
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公开(公告)号：CN105706255B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201480055435.4
申请日：2014-10-09
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L33/22
Abstract: 本发明提供一种能够提升在半导体发光元件中的光取出效率的半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件。半导体发光元件用基板(11)具有可形成有包含半导体层的发光构造体的发光构造体形成面(11S)，发光构造体形成面(11S)具备：沿着一个结晶面展开的平坦部(14)、从平坦部(14)突出的多个大径突部(12)、以及小于大径突部(12)的多个小径突部(13)，所述多个小径突部(13)中的至少一部分从所述大径突部(12)的外表面突出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108389944A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810318509.9
申请日：2013-08-21
Applicant: 王子控股株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L21/02019 , H01L21/02282 , H01L21/02285 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/50 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件用基板及一种半导体发光元件。本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M1)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。
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公开(公告)号：CN119487179A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380051676.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 王子控股株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供不使用特定的药剂且由心肌细胞构成的成熟化的培养细胞片及其制造方法。另外，提供使用了该培养细胞片的化合物或药物的评价方法、以及提供由心肌细胞构成的培养细胞片的品质评价方法。本发明的培养细胞片是由心肌细胞构成的培养细胞片，心肌细胞具有取向性地配置，在对前述培养细胞片使用抗α‑辅肌动蛋白抗体进行免疫染色并用显微镜观察得到的图像中，测量将图像水平方向设为0°时处于测定范围(71.6μm×71.6μm)内的用α‑辅肌动蛋白抗体检出的棒状结构体的长度方向的角度，其众数值±15°以内所含的棒状结构体的频率、即根据下述式(1)求得的取向度为23％以上。取向度(％)＝(众数值±15°以内所含的棒状结构体的数量)/(棒状结构体的总数)×100(1)
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公开(公告)号：CN112602201A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980056762.4
申请日：2019-09-12
Applicant: 王子控股株式会社
Abstract: 本发明的突状构造体(1)包含无机材料，区分为圆顶部(5)、及位于圆顶部(5)之下的基础部(7)，且圆顶部(5)的表面具有以100～1000nm的平均间距排列有多个凸部(5a)的微细凹凸构造，圆顶部(5)的高度(L1)相对于圆顶部(5)的宽度(W1)的比为0.25～0.6，基础部(7)的侧面(7a)相对于高度方向的倾斜角(θ)为0度以上且低于21度，将突状构造体(1)在高度方向上进行16分割时的每1区隔的倾斜角(θ)的变化量低于10度，基础部(7)的高度(L2)相对于基础部(7)的宽度(W)的比为0.1～0.25，基础部(7)的宽度W(nm)相对于微细凹凸构造的平均间距(nm)的比为3～60。
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公开(公告)号：CN110178057A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201880006744.0
申请日：2018-01-19
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: G02B1/118
Abstract: 本发明是一种防反射结构体(1)，其特征在于：具备多个有底筒状的吸光单元(2)，所述吸光单元(2)包含具有大致圆形的外缘部的底部、及沿所述外缘部竖立的壁部，所述底部的上方被视为开口部；且所述壁部的平均高度为5μm以上100μm以下，所述开口部的平均开口直径为1μm以上10μm以下，在所述底部形成有包含平均间距10nm以上500nm以下且成群竖立的微小突起的剑山结构。
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公开(公告)号：CN104584243A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380043898.4
申请日：2013-08-21
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L33/20 , H01L21/02019 , H01L21/02282 , H01L21/02285 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/50 , H01L2933/0025 , H01L33/22 , H01L21/3065 , H01L2933/0008 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M1)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。
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