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公开(公告)号：CN104781059A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380059083.5
申请日：2013-12-11
Applicant: 王子控股株式会社
CPC classification number: G02B1/11 , B29C33/38 , B29C33/424 , B29C37/0053 , B29D11/00326 , B29L2011/00 , G02B1/10 , G02B1/118 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091 , Y10S977/887
Abstract: 该光学元件制作用模具具备母材及形成于母材的表面的凹凸层，凹凸层的凹凸结构具备以邻接的7个凸部的中心点与正六角形的6个顶点成为对角线的交点的位置关系连续整齐排列的复数个区域，该复数个区域的面积、形状及结晶方位为无规。
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公开(公告)号：CN108475710B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201780006921.0
申请日：2017-01-18
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L33/22 , C30B25/04 , H01L21/203 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种能够降低发光层中的结晶的结晶转位密度的半导体发光元件用基板以及半导体发光元件用基板的制造方法。半导体发光元件用基板，具备：基准面，其与构成半导体发光元件用基板的材料的结晶面平行的平坦面；以及多个凸部，其从基准面突出，并在沿着结晶面的二维晶格上排列，并且作为前端面具有与结晶面平行的平坦面，在包含基准面的平面中的互相相邻的凸部的间距P为100nm以上且5.0μm以下，在与基准面相对向的俯视中，单位面积中的前端面的合计面积为第1面积S1，单位面积中的基准面的合计面积为第2面积S2时，满足0.76≦S1/S2≦7.42。
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公开(公告)号：CN104781059B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201380059083.5
申请日：2013-12-11
Applicant: 王子控股株式会社
CPC classification number: G02B1/11 , B29C33/38 , B29C33/424 , B29C37/0053 , B29D11/00326 , B29L2011/00 , G02B1/10 , G02B1/118 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091 , Y10S977/887
Abstract: 该光学元件制作用模具具备母材及形成于母材的表面的凹凸层，凹凸层的凹凸结构具备以邻接的7个凸部的中心点与正六角形的6个顶点成为对角线的交点的位置关系连续整齐排列的复数个区域，该复数个区域的面积、形状及结晶方位为无规。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108389944B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810318509.9
申请日：2013-08-21
Applicant: 王子控股株式会社
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件用基板及一种半导体发光元件。本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M1)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。
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公开(公告)号：CN108389944A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810318509.9
申请日：2013-08-21
Applicant: 王子控股株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L21/02019 , H01L21/02282 , H01L21/02285 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/50 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件用基板及一种半导体发光元件。本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M1)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。
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公开(公告)号：CN104584243A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380043898.4
申请日：2013-08-21
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L33/20 , H01L21/02019 , H01L21/02282 , H01L21/02285 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/50 , H01L2933/0025 , H01L33/22 , H01L21/3065 , H01L2933/0008 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M1)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。
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公开(公告)号：CN104584243B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201380043898.4
申请日：2013-08-21
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M1)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。
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公开(公告)号：CN108475710A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780006921.0
申请日：2017-01-18
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L33/22 , C30B25/04 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/04 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L33/22
Abstract: 本发明提供一种能够降低发光层中的结晶的结晶转位密度的半导体发光元件用基板以及半导体发光元件用基板的制造方法。半导体发光元件用基板，具备：基准面，其与构成半导体发光元件用基板的材料的结晶面平行的平坦面；以及多个凸部，其从基准面突出，并在沿着结晶面的二维晶格上排列，并且作为前端面具有与结晶面平行的平坦面，在包含基准面的平面中的互相相邻的凸部的间距P为100nm以上且5.0μm以下，在与基准面相对向的俯视中，单位面积中的前端面的合计面积为第1面积S1，单位面积中的基准面的合计面积为第2面积S2时，满足0.76≦S1/S2≦7.42。
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