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公开(公告)号：CN107431010B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201680018960.8
申请日：2016-04-08
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L33/22
Abstract: 具有凹凸构造之基板的制造方法，包括：第1掩模形成工序，在基板(11)之上形成包含由多个粒子(P)所构成的单粒子膜(F)的第1掩模(21)；第2掩模形成工序，在基板(11)之上，通过包含掩模材料的液状体的固化来形成第2掩模(22)；以及蚀刻工序，使用第1掩模(21)和第2掩模(22)来蚀刻基板(11)。
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公开(公告)号：CN110047981A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910194013.X
申请日：2014-10-09
Applicant: 王子控股株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够提升在半导体发光元件中的光取出效率的半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件。半导体发光元件用基板(11)具有可形成有包含半导体层的发光构造体的发光构造体形成面(11S)，发光构造体形成面(11S)具备：沿着一个结晶面展开的平坦部(14)、从平坦部(14)突出的多个大径突部(12)、以及小于大径突部(12)的多个小径突部(13)，所述多个小径突部(13)中的至少一部分从所述大径突部(12)的外表面突出。
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公开(公告)号：CN107431010A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680018960.8
申请日：2016-04-08
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L33/22
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L33/22
Abstract: 具有凹凸构造之基板的制造方法，包括：第1掩模形成工序，在基板(11)之上形成包含由多个粒子(P)所构成的单粒子膜(F)的第1掩模(21)；第2掩模形成工序，在基板(11)之上，通过包含掩模材料的液状体的固化来形成第2掩模(22)；以及蚀刻工序，使用第1掩模(21)和第2掩模(22)来蚀刻基板(11)。
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公开(公告)号：CN104584243A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380043898.4
申请日：2013-08-21
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L33/20 , H01L21/02019 , H01L21/02282 , H01L21/02285 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/50 , H01L2933/0025 , H01L33/22 , H01L21/3065 , H01L2933/0008 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M1)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108389944B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810318509.9
申请日：2013-08-21
Applicant: 王子控股株式会社
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件用基板及一种半导体发光元件。本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M1)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。
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公开(公告)号：CN105706255B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201480055435.4
申请日：2014-10-09
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L33/22
Abstract: 本发明提供一种能够提升在半导体发光元件中的光取出效率的半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件。半导体发光元件用基板(11)具有可形成有包含半导体层的发光构造体的发光构造体形成面(11S)，发光构造体形成面(11S)具备：沿着一个结晶面展开的平坦部(14)、从平坦部(14)突出的多个大径突部(12)、以及小于大径突部(12)的多个小径突部(13)，所述多个小径突部(13)中的至少一部分从所述大径突部(12)的外表面突出。
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公开(公告)号：CN108389944A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810318509.9
申请日：2013-08-21
Applicant: 王子控股株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L21/02019 , H01L21/02282 , H01L21/02285 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/50 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件用基板及一种半导体发光元件。本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M1)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。
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公开(公告)号：CN104584243B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201380043898.4
申请日：2013-08-21
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M1)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。
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公开(公告)号：CN105706255A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480055435.4
申请日：2014-10-09
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/005 , H01L33/0062 , H01L33/0075 , H01L33/18 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种能够提升在半导体发光元件中的光取出效率的半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件。半导体发光元件用基板(11)具有可形成有包含半导体层的发光构造体的发光构造体形成面(11S)，发光构造体形成面(11S)具备：沿着一个结晶面展开的平坦部(14)、从平坦部(14)突出的多个大径突部(12)、以及小于大径突部(12)的多个小径突部(13)，所述多个小径突部(13)中的至少一部分从所述大径突部(12)的外表面突出。
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