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公开(公告)号：CN119461456A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411737381.1
申请日：2024-11-29
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
IPC: C01F17/235 , C01F17/10 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米氧化铈的制备方法，包括如下步骤：将亲水胶体与水混合均匀，获得溶液A；将可溶性铈盐、调节剂、水混合均匀，获得溶液B；其中，所述调节剂为水溶性氯盐；将溶液A和溶液B混合均匀，获得溶液C；向所述溶液C中滴加沉淀剂溶液，反应后，固液分离，获得沉淀物；对所述沉淀物依次进行干燥、粉碎、煅烧后，获得纳米氧化铈。本发明的制备方法未使用酸、碱、有机物等物质作为反应原料，操作简单、成本低、无污染、对环境友好，易大批量制备，制备的为纳米级氧化铈，分散性强，应用领域广，具有良好的工业化应用前景。
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公开(公告)号：CN118198109B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410389804.9
申请日：2024-04-02
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种p‑型氧化亚锡薄膜，所述p‑型氧化亚锡薄膜包括19‑26at%的氧化锡、50‑60at%的氧化亚锡和20‑25at%的锡；并且所述p‑型氧化亚锡薄膜还掺杂有2‑10at%的钽。本发明还提供了薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层为如权利要求1所述的p‑型氧化亚锡薄膜。本发明还提供了所述的薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：将P型Si衬底作为栅极，对衬底进行热氧化，使P型Si衬底表面生长出作为栅介质层的SiO2薄膜；对SiO2薄膜表面进行磁控溅射，使SiO2薄膜表面沉积作为有源层的所述氧化亚锡薄膜；对氧化亚锡薄膜进行退火；对退火后的P型Si衬底进行热蒸镀，使所述氧化亚锡薄膜表面沉积作为源漏电极的金薄膜。
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公开(公告)号：CN117877985B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202311674582.7
申请日：2023-12-07
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种控制范德华间隙的方法，所述方法包括以下步骤：步骤一，利用前驱溶液产生饱和蒸汽；步骤二，将第一材料置于饱和蒸汽中进行分子/离子吸附；步骤三，将第一材料与第二材料进行物理层压，形成范德华间隙，所述间隙大小由第一材料吸附时所处的饱和蒸汽控制。本发明利用材料在不同等级的饱和蒸汽下进行表面吸附的不同，结合后续的物理层压，形成了一系列尺寸和成分变化的范德华间隙，所述的范德华间隙能够形成在二维(2D)/2D材料，2D/三维(3D)材料，3D/3D材料和人工超晶格材料中，具有高度的普适性。
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公开(公告)号：CN117976544A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410013921.5
申请日：2024-01-04
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/477 , H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种基于铜掺杂的氧化亚锡(Cu:SnO)薄膜晶体管、互补型逻辑电路及其制备方法，属于半导体技术领域。所述器件包括依次堆叠衬底、背栅电极层、栅极介电层、半导体沟道材料、电极层和氧化铪层。本发明通过不同的退火顺序获得p型和/或n型沟道Cu:SnO薄膜晶体管，使用等离子体处理技术对p型沟道Cu:SnO进行阈值电压的调控，并在此基础上成功制备互补型逻辑电路。所提出的集成技术成功突破了单种金属氧化物在互补型逻辑电路方面的应用，并应用于柔性衬底上，为未来柔性电子领域应用提供了新思路新技术。
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公开(公告)号：CN113823697A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110883169.6
申请日：2021-08-02
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/812 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种基于二维尺寸裁剪的肖特基栅场效应晶体管，包括衬底，在所述衬底上形成交叉设置的块状薄膜和纳米带，所述纳米带与所述块状薄膜采用同一种二维材料，在所述纳米带与所述块状薄膜相交处形成由同一材质构成的同质结，在所述纳米带以及所述块状薄膜的两端形成金属电极。本发明通过等离子体刻蚀对二维材料的物理尺寸进行裁剪，利用同质结形成的肖特基结构建了块状二硫化钼薄膜作为栅极、二硫化钼纳米带作为载流子传输层的肖特基栅场效应晶体管，性能优越，操作简单，可控性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118888574A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410859081.4
申请日：2024-06-28
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/44
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种栅绝缘层结构及具有该栅绝缘层结构的晶体管。所述栅绝缘层结构包括第一绝缘层和第二绝缘层；所述第一绝缘层的材料为(MO)x(RO)y，0.001＜x＜1，0.0001≤y≤0.3，x+y＝1；MO为基质氧化物，RO为铽或者镨的氧化物，R为铽或者镨中的一种或两种；所述第二绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、氧化钪、氧化钇、氧化钛中的一种或多种。本发明充分发挥铽或镨元素低电荷转移跃迁能的特性，提供良好的载流子输运性能，实现高的载流子迁移率；通过铽或者镨离子与沟道层之间的电荷转移跃迁来促进沟道中离域电子的弛豫，提高薄膜晶体管NBIS稳定性。
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公开(公告)号：CN118198109A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410389804.9
申请日：2024-04-02
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/786 , H01L29/66
Abstract: 本发明提供了一种p‑型氧化亚锡薄膜，所述p‑型氧化亚锡薄膜包括19‑26at%的氧化锡、50‑60at%的氧化亚锡和20‑25at%的锡；并且所述p‑型氧化亚锡薄膜还掺杂有2‑10at%的钽。本发明还提供了薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层为如权利要求1所述的p‑型氧化亚锡薄膜。本发明还提供了所述的薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：将P型Si衬底作为栅极，对衬底进行热氧化，使P型Si衬底表面生长出作为栅介质层的SiO2薄膜；对SiO2薄膜表面进行磁控溅射，使SiO2薄膜表面沉积作为有源层的所述氧化亚锡薄膜；对氧化亚锡薄膜进行退火；对退火后的P型Si衬底进行热蒸镀，使所述氧化亚锡薄膜表面沉积作为源漏电极的金薄膜。
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公开(公告)号：CN115869867A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211704967.9
申请日：2022-12-29
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂壁材的微胶囊及其制备方法，涉及微胶囊材料技术领域。本发明提供的微胶囊包括芯材和壁材，芯材包括芯材组分和/有机溶剂，所述有机溶剂包括溶剂油和/或载体溶剂；壁材为含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂；所述含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂是由异氰酸酯封端的硅氧烷组分与多元胺和/或多元醇交联固化而得。本发明采用异氰酸酯封端的硅氧烷及其加成物作为微胶囊壁材，其极易溶于溶剂油、载体溶剂以及芯材物质，进而能得到相应功能性微胶囊，实现微胶囊的多功能化，拓展微胶囊应用领域；并且，本发明提供的含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂壁材的微胶囊具有机械强度高、优异的耐高低温性能、耐酸碱和耐候性等优点。
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公开(公告)号：CN115869867B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202211704967.9
申请日：2022-12-29
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂壁材的微胶囊及其制备方法，涉及微胶囊材料技术领域。本发明提供的微胶囊包括芯材和壁材，芯材包括芯材组分和/有机溶剂，所述有机溶剂包括溶剂油和/或载体溶剂；壁材为含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂；所述含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂是由异氰酸酯封端的硅氧烷组分与多元胺和/或多元醇交联固化而得。本发明采用异氰酸酯封端的硅氧烷及其加成物作为微胶囊壁材，其极易溶于溶剂油、载体溶剂以及芯材物质，进而能得到相应功能性微胶囊，实现微胶囊的多功能化，拓展微胶囊应用领域；并且，本发明提供的含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂壁材的微胶囊具有机械强度高、优异的耐高低温性能、耐酸碱和耐候性等优点。
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公开(公告)号：CN117976544B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410013921.5
申请日：2024-01-04
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/477 , H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种基于铜掺杂的氧化亚锡(Cu:SnO)薄膜晶体管、互补型逻辑电路及其制备方法，属于半导体技术领域。所述器件包括依次堆叠衬底、背栅电极层、栅极介电层、半导体沟道材料、电极层和氧化铪层。本发明通过不同的退火顺序获得p型和/或n型沟道Cu:SnO薄膜晶体管，使用等离子体处理技术对p型沟道Cu:SnO进行阈值电压的调控，并在此基础上成功制备互补型逻辑电路。所提出的集成技术成功突破了单种金属氧化物在互补型逻辑电路方面的应用，并应用于柔性衬底上，为未来柔性电子领域应用提供了新思路新技术。
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