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公开(公告)号：CN115869867B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202211704967.9
申请日：2022-12-29
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂壁材的微胶囊及其制备方法，涉及微胶囊材料技术领域。本发明提供的微胶囊包括芯材和壁材，芯材包括芯材组分和/有机溶剂，所述有机溶剂包括溶剂油和/或载体溶剂；壁材为含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂；所述含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂是由异氰酸酯封端的硅氧烷组分与多元胺和/或多元醇交联固化而得。本发明采用异氰酸酯封端的硅氧烷及其加成物作为微胶囊壁材，其极易溶于溶剂油、载体溶剂以及芯材物质，进而能得到相应功能性微胶囊，实现微胶囊的多功能化，拓展微胶囊应用领域；并且，本发明提供的含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂壁材的微胶囊具有机械强度高、优异的耐高低温性能、耐酸碱和耐候性等优点。
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公开(公告)号：CN114497232A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210088228.5
申请日：2022-01-25
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种突变NN型结型场效应晶体管及其制备方法，包括硅衬底、第一N型半导体薄膜、第二N型半导体薄膜和金属电极；第一N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜，第二N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜；或第一N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜，第二N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜设于所述硅衬底上；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜交叉设置；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜相交位置形成突变NN型异质结；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜的两端均设有金属电极；构成了适合应用于逻辑电路中且性能稳定的结型场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN115869867A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211704967.9
申请日：2022-12-29
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂壁材的微胶囊及其制备方法，涉及微胶囊材料技术领域。本发明提供的微胶囊包括芯材和壁材，芯材包括芯材组分和/有机溶剂，所述有机溶剂包括溶剂油和/或载体溶剂；壁材为含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂；所述含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂是由异氰酸酯封端的硅氧烷组分与多元胺和/或多元醇交联固化而得。本发明采用异氰酸酯封端的硅氧烷及其加成物作为微胶囊壁材，其极易溶于溶剂油、载体溶剂以及芯材物质，进而能得到相应功能性微胶囊，实现微胶囊的多功能化，拓展微胶囊应用领域；并且，本发明提供的含有硅氧烷的聚氨酯/脲树脂壁材的微胶囊具有机械强度高、优异的耐高低温性能、耐酸碱和耐候性等优点。
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公开(公告)号：CN114497232B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210088228.5
申请日：2022-01-25
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种突变NN型结型场效应晶体管及其制备方法，包括硅衬底、第一N型半导体薄膜、第二N型半导体薄膜和金属电极；第一N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜，第二N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜；或第一N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜，第二N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜设于所述硅衬底上；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜交叉设置；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜相交位置形成突变NN型异质结；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜的两端均设有金属电极；构成了适合应用于逻辑电路中且性能稳定的结型场效应晶体管。
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