公开(公告)号：CN114497232A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210088228.5

申请日：2022-01-25

Applicant: 湖南大学

Inventor： 刘海生 ,  刘兴强 ,  段鑫沛 ,  林均 ,  于致铭 ,  罗鹏飞

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种突变NN型结型场效应晶体管及其制备方法，包括硅衬底、第一N型半导体薄膜、第二N型半导体薄膜和金属电极；第一N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜，第二N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜；或第一N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜，第二N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜设于所述硅衬底上；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜交叉设置；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜相交位置形成突变NN型异质结；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜的两端均设有金属电极；构成了适合应用于逻辑电路中且性能稳定的结型场效应晶体管。

公开(公告)号：CN114497232B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210088228.5

申请日：2022-01-25

Applicant: 湖南大学

Inventor： 刘海生 ,  刘兴强 ,  段鑫沛 ,  林均 ,  于致铭 ,  罗鹏飞

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种突变NN型结型场效应晶体管及其制备方法，包括硅衬底、第一N型半导体薄膜、第二N型半导体薄膜和金属电极；第一N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜，第二N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜；或第一N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜，第二N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜设于所述硅衬底上；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜交叉设置；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜相交位置形成突变NN型异质结；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜的两端均设有金属电极；构成了适合应用于逻辑电路中且性能稳定的结型场效应晶体管。

公开(公告)号：CN114759086A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210358434.3

申请日：2022-04-06

Applicant: 湖南大学

Inventor： 罗鹏飞 ,  段鑫沛 ,  刘兴强 ,  廖蕾 ,  林均 ,  洪若豪

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供了一种范德华间隙场效应晶体管，所述晶体管具有过饱和氧增大物理吸附界面，包括衬底，在所述衬底上形成半导体沟道层，栅极介电层位于所述半导体沟道层上方并与之交叠，所述栅极介电层通过将二硫化铪氧化成二氧化铪制成。本发明利用臭氧处理机的富氧环境对二维材料进行可控充分氧化，实现了过饱和氧增大物理吸附界面的范德华间隙场效应晶体管，制备简单，性能卓越，可控性强。