公开(公告)号：CN117877985B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202311674582.7

申请日：2023-12-07

Applicant: 湖南大学

Inventor： 邹旭明 ,  柳畅 ,  廖蕾

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/15 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明提供一种控制范德华间隙的方法，所述方法包括以下步骤：步骤一，利用前驱溶液产生饱和蒸汽；步骤二，将第一材料置于饱和蒸汽中进行分子/离子吸附；步骤三，将第一材料与第二材料进行物理层压，形成范德华间隙，所述间隙大小由第一材料吸附时所处的饱和蒸汽控制。本发明利用材料在不同等级的饱和蒸汽下进行表面吸附的不同，结合后续的物理层压，形成了一系列尺寸和成分变化的范德华间隙，所述的范德华间隙能够形成在二维(2D)/2D材料，2D/三维(3D)材料，3D/3D材料和人工超晶格材料中，具有高度的普适性。

公开(公告)号：CN117877985A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311674582.7

申请日：2023-12-07

Applicant: 湖南大学

Inventor： 邹旭明 ,  柳畅 ,  廖蕾

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/15 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明提供一种控制范德华间隙的方法，所述方法包括以下步骤：步骤一，利用前驱溶液产生饱和蒸汽；步骤二，将第一材料置于饱和蒸汽中进行分子/离子吸附；步骤三，将第一材料与第二材料进行物理层压，形成范德华间隙，所述间隙大小由第一材料吸附时所处的饱和蒸汽控制。本发明利用材料在不同等级的饱和蒸汽下进行表面吸附的不同，结合后续的物理层压，形成了一系列尺寸和成分变化的范德华间隙，所述的范德华间隙能够形成在二维(2D)/2D材料，2D/三维(3D)材料，3D/3D材料和人工超晶格材料中，具有高度的普适性。