公开(公告)号：CN118198109A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410389804.9

申请日：2024-04-02

Applicant: 湖南大学

Inventor： 李国立 ,  宋钰 ,  廖蕾

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66

Abstract: 本发明提供了一种p‑型氧化亚锡薄膜，所述p‑型氧化亚锡薄膜包括19‑26at%的氧化锡、50‑60at%的氧化亚锡和20‑25at%的锡；并且所述p‑型氧化亚锡薄膜还掺杂有2‑10at%的钽。本发明还提供了薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层为如权利要求1所述的p‑型氧化亚锡薄膜。本发明还提供了所述的薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：将P型Si衬底作为栅极，对衬底进行热氧化，使P型Si衬底表面生长出作为栅介质层的SiO2薄膜；对SiO2薄膜表面进行磁控溅射，使SiO2薄膜表面沉积作为有源层的所述氧化亚锡薄膜；对氧化亚锡薄膜进行退火；对退火后的P型Si衬底进行热蒸镀，使所述氧化亚锡薄膜表面沉积作为源漏电极的金薄膜。

公开(公告)号：CN118198109B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410389804.9

申请日：2024-04-02

Applicant: 湖南大学

Inventor： 李国立 ,  宋钰 ,  廖蕾

IPC: H10D62/80 ,  H10D30/67 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明提供了一种p‑型氧化亚锡薄膜，所述p‑型氧化亚锡薄膜包括19‑26at%的氧化锡、50‑60at%的氧化亚锡和20‑25at%的锡；并且所述p‑型氧化亚锡薄膜还掺杂有2‑10at%的钽。本发明还提供了薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层为如权利要求1所述的p‑型氧化亚锡薄膜。本发明还提供了所述的薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：将P型Si衬底作为栅极，对衬底进行热氧化，使P型Si衬底表面生长出作为栅介质层的SiO2薄膜；对SiO2薄膜表面进行磁控溅射，使SiO2薄膜表面沉积作为有源层的所述氧化亚锡薄膜；对氧化亚锡薄膜进行退火；对退火后的P型Si衬底进行热蒸镀，使所述氧化亚锡薄膜表面沉积作为源漏电极的金薄膜。