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公开(公告)号：CN101429647B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810143759.X
申请日：2008-11-28
Applicant: 湖南大学
Abstract: 一种用于真空设备对粉体材料表面改性的样品台，它的盛器为一平底周边设有挡边的敞口容器，工作时绕平底的垂直轴心线a旋转的盛器中不随盛器旋转的搅拌器由底部刮片和中部搅片、上部漏片组成并错位分布；底部刮片板面相对盛器平底为斜面的长条形平板且其较长的下侧边平行于所述平底表面，中部搅片为板面相对盛器平底为垂直的长条形平板且其较长的下侧边与底部刮片较长的上侧边相交，上部漏片为板面相对盛器平底为垂直并有梳齿结构的长条形平板且其较长的齿形下侧边与中部搅片较长的上侧边相交。它通过对粉末进行特定搅拌实现对粉体材料表面进行全方位均匀改性。
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公开(公告)号：CN101764121A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010022034.2
申请日：2010-01-08
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 一种层间绝缘叠层复合材料及制备方法，该材料在超薄氮化铝陶瓷基板(1)的两表面分别有薄膜金属粘结过渡层(2)，在过渡层(2)上有采用热压工艺覆盖的铜层(3)；所述薄膜金属粘结过渡层为Ti/Ni双膜层，其中与基板(1)直接接触的底层是厚度为100nm～200nm的Ti层(4)，上层是厚度为300nm～600nm的确Ni层(5)。产品具有层间绝缘和更高的导热性能等优点，可简化封装结构、提高封装体散热能力，并有利于器件小型化，使用方便，无须特殊处理可以直接使用；本发明材料主要可用作功率器件以及混合电路的基板和热沉，在电子、高速列车、混合电力汽车、大功率LED等领域具有广泛应用。
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公开(公告)号：CN1172019C
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN01128592.3
申请日：2001-09-12
Applicant: 湖南大学
IPC: C23C14/06
Abstract: 一种双离子束直接沉积类金刚石膜的工艺，其特征在于用双离子束轰击制作混合界面，低能离子束直接沉积类金刚石膜；用低能含碳离子束直接沉积类金刚石膜层，同时用中能Ar+离子束轰击膜层，将碳离子注入到基体表层足够的深度，以混合膜基原子形成能显著提高膜粘结强度的模糊界面，在此过程中两离子束束流进行交替变化，界面混合一定时间后，停止中能离子束轰击，低能含碳离子束继续直接沉积类金刚石膜。本发明通过增加碳注入衬底表层的深度和降低膜应力而增强类金刚石膜的粘结强度，其操作简便，膜质量稳定，能适应工业化生产，应用前景十分广阔。
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公开(公告)号：CN101764121B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201010022034.2
申请日：2010-01-08
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 一种层间绝缘叠层复合材料及制备方法，该材料在超薄氮化铝陶瓷基板(1)的两表面分别有薄膜金属粘结过渡层(2)，在过渡层(2)上有采用热压工艺覆盖的铜层(3)；所述薄膜金属粘结过渡层为Ti/Ni双膜层，其中与基板(1)直接接触的底层是厚度为100nm～200nm的Ti层(4)，上层是厚度为300nm～600nm的确Ni层(5)。产品具有层间绝缘和更高的导热性能等优点，可简化封装结构、提高封装体散热能力，并有利于器件小型化，使用方便，无须特殊处理可以直接使用；本发明材料主要可用作功率器件以及混合电路的基板和热沉，在电子、高速列车、混合电力汽车、大功率LED等领域具有广泛应用。
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公开(公告)号：CN103774104A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310576275.5
申请日：2012-04-01
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置。该装置将离子束、磁控溅射两种镀膜技术集成于一个真空室，通过设计多个镀膜工位并经样品台旋转与镀膜工位重合完成不破坏真空情况下的复合镀膜，设备可实现离子束溅射沉积、离子束辅助沉积、离子束直接沉积、单靶磁控溅射沉积、双靶磁控溅射聚焦共沉积、双靶磁控溅射垂直沉积多层膜、离子束磁控溅射复合镀膜等多种镀膜方式，大大扩展了设备的生产和研究功能。利用该装置采用离子束磁控溅射两步法沉积微晶硅薄膜可充分提高微晶硅薄膜的晶化率；同时可有效减小薄膜与基体间内应力，增加薄膜与基体间的结合强度；镀膜在同一真空室内完成，节约设备成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102605335A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210094395.7
申请日：2012-04-01
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池用微晶硅薄膜技术领域，具体涉及一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法和一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置。该方法包括以下步骤：(1)离子束镀膜：用离子束溅射沉积(IBS)或离子束辅助沉积(IBAD)方法在衬底上溅射硅靶预沉积一层硅同质过渡层，所述硅同质过渡层厚度为50nm～200nm；(2)磁控溅射镀膜：采用磁控溅射在所述硅同质过渡层上沉积硅薄膜。该方法可充分提高微晶硅薄膜的晶化率；同时可有效减小薄膜与基体间内应力，增加薄膜与基体间的结合强度；该方法通过离子束磁控溅射复合镀膜的装置实现，在同一真空室内完成，节约设备成本。
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公开(公告)号：CN100352045C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200610031439.6
申请日：2006-03-31
Applicant: 湖南大学
Abstract: 一种Cu-W薄膜涂层集成复合热沉，包括无氧铜基体(1)，其上沉积有一层Cu-W合金薄膜(2)。所述Cu-W合金薄膜(2)的厚度为8μm-15μm，薄膜成分为Cu含量8.1%wt～17.5%wt，其余为W。本发明产品具有热膨胀与半导体芯片匹配、热导率高等优良特性，可以避免无氧铜产生热膨胀时直接拉伤半导体芯片，同时防止半导体激光器工作时因热量积聚烧坏芯片，能满足大功率半导体激光器封装的需要，大大提高了半导体激光器寿命。
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公开(公告)号：CN103774104B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310576275.5
申请日：2012-04-01
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置。该装置将离子束、磁控溅射两种镀膜技术集成于一个真空室，通过设计多个镀膜工位并经样品台旋转与镀膜工位重合完成不破坏真空情况下的复合镀膜，设备可实现离子束溅射沉积、离子束辅助沉积、离子束直接沉积、单靶磁控溅射沉积、双靶磁控溅射聚焦共沉积、双靶磁控溅射垂直沉积多层膜、离子束磁控溅射复合镀膜等多种镀膜方式，大大扩展了设备的生产和研究功能。利用该装置采用离子束磁控溅射两步法沉积微晶硅薄膜可充分提高微晶硅薄膜的晶化率；同时可有效减小薄膜与基体间内应力，增加薄膜与基体间的结合强度；镀膜在同一真空室内完成，节约设备成本。
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公开(公告)号：CN102605335B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201210094395.7
申请日：2012-04-01
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池用微晶硅薄膜技术领域，具体涉及一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法和一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置。该方法包括以下步骤：(1)离子束镀膜：用离子束溅射沉积(IBS)或离子束辅助沉积(IBAD)方法在衬底上溅射硅靶预沉积一层硅同质过渡层，所述硅同质过渡层厚度为50nm～200nm；(2)磁控溅射镀膜：采用磁控溅射在所述硅同质过渡层上沉积硅薄膜。该方法可充分提高微晶硅薄膜的晶化率；同时可有效减小薄膜与基体间内应力，增加薄膜与基体间的结合强度；该方法通过离子束磁控溅射复合镀膜的装置实现，在同一真空室内完成，节约设备成本。
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公开(公告)号：CN101429647A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810143759.X
申请日：2008-11-28
Applicant: 湖南大学
Abstract: 一种用于真空设备对粉体材料表面改性的样品台，它的盛器为一平底周边设有挡边的敞口容器，工作时绕平底的垂直轴心线a旋转的盛器中不随盛器旋转的搅拌器由底部刮片和中部搅片、上部漏片组成并错位分布；底部刮片板面相对盛器平底为斜面的长条形平板且其较长的下侧边平行于所述平底表面，中部搅片为板面相对盛器平底为垂直的长条形平板且其较长的下侧边与底部刮片较长的上侧边相交，上部漏片为板面相对盛器平底为垂直并有梳齿结构的长条形平板且其较长的齿形下侧边与中部搅片较长的上侧边相交。它通过对粉末进行特定搅拌实现对粉体材料表面进行全方位均匀改性。
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