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公开(公告)号：CN109537053B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201811387760.7
申请日：2018-11-21
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种超薄单晶NiCl2纳米片及其制备方法和应用。所述纳米片厚度尺寸为2nm‑20nm；具有(003)晶面的择优取向。其制备方法为：首先，将六水合氯化镍置于管式炉中，在惰性气体保护下，脱水；然后，预处理的粉末置于洁净干燥的管式炉中，在惰性气体保护下升华，即可获得超薄单晶NiCl2纳米片。本发明所设计和制备的产品，其应用领域包括将其用于热电池正极材料、超级电容器、锂离子电池、钠离子电池及磁性材料中的至少一种。
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公开(公告)号：CN107841716B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201711104256.7
申请日：2017-11-10
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种纳米多层膜及其制备方法，该制备方法采用真空溅射技术，溅射仪内设有样品台和溅射靶，至少两个溅射靶同时向同一样品台共同溅射沉积，其中，至少一个溅射靶的靶材为扩散元素，至少一个溅射靶的靶材为扩散阻挡元素或扩散阻挡化合物；当共同溅射沉积时，样品台自转。共沉积制备纳米多层膜时，两个或多个靶都是同时聚焦于同一样品台上，无需进行不同样品台间的切换即可制得多层膜。该方法效率高，成本较低。共沉积得到的是固溶体纳米多层膜，并非不同晶体结构的纯Cu和纯W膜机械的叠加，而是界面呈半共格或者共格关系，界面浸润，有利于提高薄膜的塑韧性及稳定性。
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公开(公告)号：CN109183124A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811274688.7
申请日：2018-10-30
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种窄禁带黑氧化锆纳米管薄膜及其制备方法，所述黑氧化锆纳米管薄膜的光学禁带宽度为1.0-3.0eV。制备方法如下：（1）以惰性电极为阴极，以抛光后的锆片为阳极，在含氟的电解液中进行阳极氧化，制得氧化锆纳米管薄膜；（2）将所述氧化锆纳米管薄膜清洗后，干燥，再在保护或真空气氛、500-800℃的条件下进行热处理，得到窄禁带黑氧化锆纳米管薄膜。本发明首次获得了一类禁带宽度很窄的外观为黑色的氧化锆纳米管薄膜，其可以在较低温度通过较为简便的方法制备，成本较低，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN103753995B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410009367.X
申请日：2014-01-09
Applicant: 湖南大学
Abstract: 一种基于彩色喷墨打印制备渐变折射率增透膜的方法，包括如下步骤：通过配制性能稳定的含有SiO2或通过热处理能转变为SiO2的墨水和含有TiO2颗粒或通过热处理能转变为TiO2颗粒的墨水，所述墨水粘度为20-60mpa.s；将两种墨水分别注入到不同颜色的墨盒A和墨盒B中，利用平板彩色喷墨打印机，通过这两种颜色间渐变色在打印颜色的调控来实现对每层沉积薄膜中SiO2和TiO2含量的控制；使多层打印中层与层间，墨盒A中颜料含量持续递减，墨盒B中颜料含量持续递增，从而通过多层打印在透明载体上沉积出沿厚度方向上钛元素或硅元素成分梯度变化的薄膜；将所沉积的薄膜经300-600℃热处理，形成具有成分渐变的功能薄膜，从而获得具有渐变折射率的薄膜。
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公开(公告)号：CN101429647B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810143759.X
申请日：2008-11-28
Applicant: 湖南大学
Abstract: 一种用于真空设备对粉体材料表面改性的样品台，它的盛器为一平底周边设有挡边的敞口容器，工作时绕平底的垂直轴心线a旋转的盛器中不随盛器旋转的搅拌器由底部刮片和中部搅片、上部漏片组成并错位分布；底部刮片板面相对盛器平底为斜面的长条形平板且其较长的下侧边平行于所述平底表面，中部搅片为板面相对盛器平底为垂直的长条形平板且其较长的下侧边与底部刮片较长的上侧边相交，上部漏片为板面相对盛器平底为垂直并有梳齿结构的长条形平板且其较长的齿形下侧边与中部搅片较长的上侧边相交。它通过对粉末进行特定搅拌实现对粉体材料表面进行全方位均匀改性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113380915B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110315687.8
申请日：2021-03-24
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种空间太阳电池复合互连材料及其制备方法，所述复合互连材料由内到外依次包括钼基体，钼银合金过渡层，以及银薄膜。本发明通过磁控溅射技术在钼箔表面先沉积钼银合金过渡层，再沉积银薄膜，在不引入非膜基第三种金属元素的情况下，实现钼基体和银薄膜之间的浸润和牢固粘结，以及热膨胀系数的平稳过渡，显著增强膜基结合强度，降低了空间太阳电池互连材料的制备成本，避免了由于引入其它元素而引起的材料的焊接界面组织结构和性能的不可控问题，以及使用时而引起的航天器信号传输干扰问题。本发明的制备方法流程简单，可在不破坏真空条件下连续进行，不仅节约了成本，提高了效率，还有利于增强膜基结合强度。
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公开(公告)号：CN114149035A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111437939.0
申请日：2021-11-30
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种低温合成高比容量NiS2粉体的方法。制备方法包括以下步骤：(1)将镍粉和升华硫粉在砂磨机中混合均匀，其中镍粉和升华硫粉质量比为1:1.1～1:2.5，砂磨后将砂磨料干燥；(2)将干燥后的砂磨料粉碎过筛后冷压成型，冷压时砂磨料所受压力为1MPa～125MPa；(3)在惰性气体的保护下，对冷压成型后的砂磨料进行煅烧；其中煅烧温度280～450℃；煅烧后降温，得到二硫化镍材料。该合成方法成本低廉，可规模化生产，而且获得的电极材料性能优异。
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公开(公告)号：CN101764121B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201010022034.2
申请日：2010-01-08
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 一种层间绝缘叠层复合材料及制备方法，该材料在超薄氮化铝陶瓷基板(1)的两表面分别有薄膜金属粘结过渡层(2)，在过渡层(2)上有采用热压工艺覆盖的铜层(3)；所述薄膜金属粘结过渡层为Ti/Ni双膜层，其中与基板(1)直接接触的底层是厚度为100nm～200nm的Ti层(4)，上层是厚度为300nm～600nm的确Ni层(5)。产品具有层间绝缘和更高的导热性能等优点，可简化封装结构、提高封装体散热能力，并有利于器件小型化，使用方便，无须特殊处理可以直接使用；本发明材料主要可用作功率器件以及混合电路的基板和热沉，在电子、高速列车、混合电力汽车、大功率LED等领域具有广泛应用。
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公开(公告)号：CN116988031A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310804993.7
申请日：2023-07-03
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种铜银合金薄膜及其制备方法与应用，涉及薄膜材料技术领域。该方法通过磁控溅射聚焦共沉积方法制备铜银多层膜，薄膜铜元素与银元素沿薄膜厚度方向呈连续周期性变化。该多层膜的厚度可以通过沉积时间控制，靶功率与样品台转速的改变可制得不同调制周期的铜银多层膜，进而实现对膜层硬度的调节；该多层膜具有摩擦系数稳定且磨损率低的特性，该特性有望在具有摩擦行为的服役条件下实现该膜层与摩擦副的硬度匹配并具备良好的摩擦学性能。该铜银合金薄膜还存在多种强化机制，使其既保留了铜与银的良好导电性能及润滑能力，又增强了薄膜的耐磨性能。同时，相比于纯银薄膜，该合金薄膜在成本上亦具有优势。
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公开(公告)号：CN113955814B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111448816.7
申请日：2021-11-30
Applicant: 湖南大学
IPC: C01G53/09
Abstract: 本发明涉及一种低温合成的NiCl2粉末及应用，属于粉体制备技术领域。所述低温合成的NiCl2粉末是以水合氯化镍为原料；将原料和萃取助剂在有机溶剂中混合均匀后干燥，随后在280‑550℃煅烧即可得到；所述萃取助剂为过渡金属元素的氯化物。本发明首次实现了在低温条件下制备出了纯相NiCl2。其涉及的制备工艺周期短，能耗低，成本低廉。本发明所设计和制备的产品，其应用领域包括热电池、超级电容器、锂离子电池、钠离子电池中的至少一种。
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