一种超薄单晶NiCl2纳米片及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN109537053B

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201811387760.7

    申请日:2018-11-21

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种超薄单晶NiCl2纳米片及其制备方法和应用。所述纳米片厚度尺寸为2nm‑20nm;具有(003)晶面的择优取向。其制备方法为:首先,将六水合氯化镍置于管式炉中,在惰性气体保护下,脱水;然后,预处理的粉末置于洁净干燥的管式炉中,在惰性气体保护下升华,即可获得超薄单晶NiCl2纳米片。本发明所设计和制备的产品,其应用领域包括将其用于热电池正极材料、超级电容器、锂离子电池、钠离子电池及磁性材料中的至少一种。

    一种超薄单晶NiCl2纳米片及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN109537053A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201811387760.7

    申请日:2018-11-21

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种超薄单晶NiCl2纳米片及其制备方法和应用。所述纳米片厚度尺寸为2nm-20nm;具有(003)晶面的择优取向。其制备方法为:首先,将六水合氯化镍置于管式炉中,在惰性气体保护下,脱水;然后,预处理的粉末置于洁净干燥的管式炉中,在惰性气体保护下升华,即可获得超薄单晶NiCl2纳米片。本发明所设计和制备的产品,其应用领域包括将其用于热电池正极材料、超级电容器、锂离子电池、钠离子电池及磁性材料中的至少一种。

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