公开(公告)号：CN116988031A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310804993.7

申请日：2023-07-03

Applicant: 湖南大学

Inventor： 朱家俊 ,  李昌会 ,  周灵平 ,  董正琛 ,  王勇 ,  符立才 ,  杨武霖 ,  李德意

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/50

Abstract: 本发明提供了一种铜银合金薄膜及其制备方法与应用，涉及薄膜材料技术领域。该方法通过磁控溅射聚焦共沉积方法制备铜银多层膜，薄膜铜元素与银元素沿薄膜厚度方向呈连续周期性变化。该多层膜的厚度可以通过沉积时间控制，靶功率与样品台转速的改变可制得不同调制周期的铜银多层膜，进而实现对膜层硬度的调节；该多层膜具有摩擦系数稳定且磨损率低的特性，该特性有望在具有摩擦行为的服役条件下实现该膜层与摩擦副的硬度匹配并具备良好的摩擦学性能。该铜银合金薄膜还存在多种强化机制，使其既保留了铜与银的良好导电性能及润滑能力，又增强了薄膜的耐磨性能。同时，相比于纯银薄膜，该合金薄膜在成本上亦具有优势。