Patent search ap:("湖南大学") AND inv:"章诚诚" Page 1

1.

发明公开
一种低温合成高比容量NiS2粉体的方法无效

公开(公告)号：CN114149035A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111437939.0

申请日：2021-11-30

Applicant: 湖南大学

Inventor： 符立才 , 章诚诚 , 周灵平 , 朱家俊 , 杨武霖 , 李德意

IPC: C01G53/11 , H01M4/58 , H01M6/36

Abstract: 本发明提供一种低温合成高比容量NiS2粉体的方法。制备方法包括以下步骤：(1)将镍粉和升华硫粉在砂磨机中混合均匀，其中镍粉和升华硫粉质量比为1:1.1～1:2.5，砂磨后将砂磨料干燥；(2)将干燥后的砂磨料粉碎过筛后冷压成型，冷压时砂磨料所受压力为1MPa～125MPa；(3)在惰性气体的保护下，对冷压成型后的砂磨料进行煅烧；其中煅烧温度280～450℃；煅烧后降温，得到二硫化镍材料。该合成方法成本低廉，可规模化生产，而且获得的电极材料性能优异。

Patent Agency Ranking