公开(公告)号：CN100352045C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200610031439.6

申请日：2006-03-31

Applicant: 湖南大学

Inventor： 周灵平 ,  彭坤 ,  李德意 ,  李绍禄 ,  门海泉

IPC: H01L23/36 ,  H01S5/024 ,  H05K7/20

Abstract: 一种Cu-W薄膜涂层集成复合热沉，包括无氧铜基体(1)，其上沉积有一层Cu-W合金薄膜(2)。所述Cu-W合金薄膜(2)的厚度为8μm-15μm，薄膜成分为Cu含量8.1%wt～17.5%wt，其余为W。本发明产品具有热膨胀与半导体芯片匹配、热导率高等优良特性，可以避免无氧铜产生热膨胀时直接拉伤半导体芯片，同时防止半导体激光器工作时因热量积聚烧坏芯片，能满足大功率半导体激光器封装的需要，大大提高了半导体激光器寿命。

公开(公告)号：CN1845317A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200610031439.6

申请日：2006-03-31

Applicant: 湖南大学

Inventor： 周灵平 ,  彭坤 ,  李德意 ,  李绍禄 ,  门海泉

IPC: H01L23/36 ,  H01S5/024 ,  H05K7/20

Abstract: 一种Cu－W薄膜涂层集成复合热沉，包括无氧铜基体1，其上沉积有一层Cu－W合金薄膜2。所述Cu－W合金薄膜2的厚度为8μm－15μm，薄膜成份为Cu含量8.1％wt～17.5％wt，其余为W。本发明产品具有热膨胀与半导体芯片匹配、热导率高等优良特性，可以避免无氧铜产生热膨胀时直接拉伤半导体芯片，同时防止半导体激光器工作时因热量积聚烧坏芯片，能满足大功率半导体激光器封装的需要，大大提高了半导体激光器寿命。