公开(公告)号：CN102605335B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201210094395.7

申请日：2012-04-01

Applicant: 湖南大学

Inventor： 周灵平 ,  梁凤敏 ,  彭坤 ,  朱家俊 ,  李德意 ,  李绍禄

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/46 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明属于太阳能电池用微晶硅薄膜技术领域，具体涉及一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法和一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置。该方法包括以下步骤：(1)离子束镀膜：用离子束溅射沉积(IBS)或离子束辅助沉积(IBAD)方法在衬底上溅射硅靶预沉积一层硅同质过渡层，所述硅同质过渡层厚度为50nm～200nm；(2)磁控溅射镀膜：采用磁控溅射在所述硅同质过渡层上沉积硅薄膜。该方法可充分提高微晶硅薄膜的晶化率；同时可有效减小薄膜与基体间内应力，增加薄膜与基体间的结合强度；该方法通过离子束磁控溅射复合镀膜的装置实现，在同一真空室内完成，节约设备成本。

公开(公告)号：CN102605335A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210094395.7

申请日：2012-04-01

Applicant: 湖南大学

Inventor： 周灵平 ,  梁凤敏 ,  彭坤 ,  朱家俊 ,  李德意 ,  李绍禄

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/46 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明属于太阳能电池用微晶硅薄膜技术领域，具体涉及一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法和一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置。该方法包括以下步骤：(1)离子束镀膜：用离子束溅射沉积(IBS)或离子束辅助沉积(IBAD)方法在衬底上溅射硅靶预沉积一层硅同质过渡层，所述硅同质过渡层厚度为50nm～200nm；(2)磁控溅射镀膜：采用磁控溅射在所述硅同质过渡层上沉积硅薄膜。该方法可充分提高微晶硅薄膜的晶化率；同时可有效减小薄膜与基体间内应力，增加薄膜与基体间的结合强度；该方法通过离子束磁控溅射复合镀膜的装置实现，在同一真空室内完成，节约设备成本。