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公开(公告)号：CN101295969A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810031596.6
申请日：2008-06-26
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种高阶有限冲击响应数字滤波器设计方法，包括以下步骤：利用神经网络方法，通过建立待设计的滤波器与理想滤波器的幅频响应误差平方和作为神经网络的计算能量函数，采用梯度下降学习算法训练神经网络的权值使待设计滤波器与理想滤波器的幅频响应误差平方和最小化，当神经网络稳定时即可获得有限冲击响应数字滤波器各项参数，即完成有限冲击响应数字滤波器的设计。本发明方法所设计的高阶有限冲击响应数字滤波器具有通带波动小、阻带衰减大、边界频率可控、精度高等特点，特别是设计中不需要进行矩阵求逆运算、计算速度快，在数据传输、高精度电视、雷达和声纳系统、语音和图像处理等工程领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN107437821B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201710820837.4
申请日：2017-09-13
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种孤岛微电网虚拟机差异化故障穿越系统及其实现方法，由变流器输出电压与电流采集模块、故障检测与判断模块、虚拟同步控制模块和差异化故障穿越控制模块组成；变流器输出电压与电流采集模块检测变流器输出的滤波电容两端电压和滤波电感电流，并分别反馈至虚拟同步控制模块、故障检测与判断模块和差异化故障穿越控制模块；故障检测与判断模块判断变流器故障是否发生并检测故障程度；采用差异化故障穿越控制模块实现孤岛微电网虚拟机的故障穿越控制。在故障期间能够限制冲击电流保护变流器，同时维持微电网频率稳定，保证短路故障时孤岛微电网安全运行，解决了现有故障过程中保护变流器装置与维护微电网稳定运行两种需求之间的矛盾。
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公开(公告)号：CN107437821A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710820837.4
申请日：2017-09-13
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种孤岛微电网虚拟机差异化故障穿越系统及其实现方法，由变流器输出电压与电流采集模块、故障检测与判断模块、虚拟同步控制模块和差异化故障穿越控制模块组成；变流器输出电压与电流采集模块检测变流器输出的滤波电容两端电压和滤波电感电流，并分别反馈至虚拟同步控制模块、故障检测与判断模块和差异化故障穿越控制模块；故障检测与判断模块判断变流器故障是否发生并检测故障程度；采用差异化故障穿越控制模块实现孤岛微电网虚拟机的故障穿越控制。在故障期间能够限制冲击电流保护变流器，同时维持微电网频率稳定，保证短路故障时孤岛微电网安全运行，解决了现有故障过程中保护变流器装置与维护微电网稳定运行两种需求之间的矛盾。
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公开(公告)号：CN102270640B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110165859.4
申请日：2011-06-20
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/102 , H01L21/8222
Abstract: 本发明公开了一种大电流整晶圆全压接平板式封装的IGBT及其制造方法。所述大电流整晶圆全压接平板式封装的IGBT包括一个IGBT整晶圆和全压接平板式封装，所述的整晶圆包括多个独立的IGBT器件区，每个IGBT器件区由又多个IGBT单元并联组成，所有IGBT器件区的集电极并联为总集电极，每个IGBT器件区单独引出发射极，所有工作状态正常的IGBT器件区的门极用互联线连接到位于晶圆中心的总门极而其发射极通过发射极金属垫片并联到总发射极金属电极板。本发明实现了大电流IGBT整晶圆器件，保持了IGBT高工作电压、低开关功耗、门极电压控制简单的优点，同时提高了器件电流导通能力，导热性能，耐热冲击能力和长期可靠性，解决了IGBT单元之间性能匹配的问题。
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公开(公告)号：CN101295969B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200810031596.6
申请日：2008-06-26
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种高阶有限冲击响应数字滤波器设计方法，包括以下步骤：利用神经网络方法，通过建立待设计的滤波器与理想滤波器的幅频响应误差平方和作为神经网络的计算能量函数，采用梯度下降学习算法训练神经网络的权值使待设计滤波器与理想滤波器的幅频响应误差平方和最小化，当神经网络稳定时即可获得有限冲击响应数字滤波器各项参数，即完成有限冲击响应数字滤波器的设计。本发明方法所设计的高阶有限冲击响应数字滤波器具有通带波动小、阻带衰减大、边界频率可控、精度高等特点，特别是设计中不需要进行矩阵求逆运算、计算速度快，在数据传输、高精度电视、雷达和声纳系统、语音和图像处理等工程领域具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104966730B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510245854.0
申请日：2015-05-14
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/08
Abstract: 本发明公开了一种肖特基势垒高电流密度IGBT器件，包括：P型基区、多晶硅栅极区、与P型基区下表面接触的N‑型掺杂漂移区及与N‑型掺杂漂移区下表面接触的第一器件，还包括：与P型基区上表面接触的肖特基势垒区和N+型掺杂源区；与肖特基势垒区和N+型掺杂源区上表面均接触的发射极金属区；多晶硅栅极区与N‑型掺杂漂移区、P型基区、N+型掺杂源区和发射极金属区之间具有栅极氧化层。该器件能够在保持IGBT高工作电压，简单门极电压控制，良好的开关可控性和安全工作区以及简单的短路保护措施等方面优点的基础上大幅度提高IGBT的电流密度，增强IGBT电导调制效应，提高电流导通能力，降低导通损耗。
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公开(公告)号：CN104901668B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510244410.5
申请日：2015-05-14
Applicant: 湖南大学
IPC: H03K17/687 , H03K17/04
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置及方法。在碳化硅双极结型晶体管的基极与驱动电源之间串联一个可变电阻单元，所述可变电阻单元包括高速硅基场控器件和一个限流电阻，所述限流电阻一端连接所述高速硅基场控器件的源极，另一端连接所述高速硅基场控器件的漏极；所述碳化硅双极结型晶体管的集电极与电流检测器件连接，所述电流检测器件与所述高速硅基场控器件的栅极和源极连接。通过碳化硅双极结型晶体管基极驱动电流根据集电极电流的正比变化，很大程度上降低了基极驱动功耗，同时有效的降低了实现基极驱动电流变化的成本，而且基本消除了时间延迟。
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公开(公告)号：CN103326685A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310217942.0
申请日：2013-06-04
Applicant: 湖南大学
IPC: H03H7/38
Abstract: 采用量子算法的射频天线阻抗自适应匹配装置及方法，该装置包括传感器测量单元、控制单元和匹配单元，传感器测量单元与控制单元电连接，控制单元与匹配单元电连接，匹配单元与传感器测量单元电连接，匹配单元外接天线。本发明还包括采用量子算法的射频天线阻抗自适应匹配装置进行阻抗自适应匹配的方法。本发明利用量子技术，建立了射频天线阻抗匹配的数学模型，具有匹配速度快、精度高，效果好的优点，能适用于实时匹配。
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公开(公告)号：CN107196344B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201710418662.4
申请日：2017-06-06
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了基于SPF‑PLL带本地负荷的自同步虚拟同步逆变器并网控制器及方法，由逆变器输出电压电流信息采集模块、网侧电压信息采集模块、虚拟同步逆变器控制模块、离/并网切换模块、PWM驱动器组成；解决了虚拟同步逆变器在孤岛模式和并网模式切换过程中产生的冲击电流等问题，实现带负载虚拟同步逆变器从孤岛模式到并网模式的无缝切换。
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