公开(公告)号：CN104966730A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201510245854.0

申请日：2015-05-14

Applicant: 湖南大学

Inventor： 蒋梦轩 ,  沈征 ,  王俊 ,  帅智康 ,  尹新 ,  廖淋圆 ,  彭斌 ,  周猛

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明公开了一种肖特基势垒高电流密度IGBT器件，包括：P型基区、多晶硅栅极区、与P型基区下表面接触的N-型掺杂漂移区及与N-型掺杂漂移区下表面接触的第一器件，还包括：与P型基区上表面接触的肖特基势垒区和N+型掺杂源区；与肖特基势垒区和N+型掺杂源区上表面均接触的发射极金属区；多晶硅栅极区与N-型掺杂漂移区、P型基区、N+型掺杂源区和发射极金属区之间具有栅极氧化层。该器件能够在保持IGBT高工作电压，简单门极电压控制，良好的开关可控性和安全工作区以及简单的短路保护措施等方面优点的基础上大幅度提高IGBT的电流密度，增强IGBT电导调制效应，提高电流导通能力，降低导通损耗。

公开(公告)号：CN104901668A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510244410.5

申请日：2015-05-14

Applicant: 湖南大学

Inventor： 廖淋圆 ,  唐赛 ,  王俊 ,  帅智康 ,  尹新 ,  沈征 ,  蒋梦轩

IPC: H03K17/687 ,  H03K17/04

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置及方法。在碳化硅双极结型晶体管的基极与驱动电源之间串联一个可变电阻单元，所述可变电阻单元包括高速硅基场控器件和一个限流电阻，所述限流电阻一端连接所述高速硅基场控器件的源极，另一端连接所述高速硅基场控器件的漏极；所述碳化硅双极结型晶体管的集电极与电流检测器件连接，所述电流检测器件与所述高速硅基场控器件的栅极和源极连接。通过碳化硅双极结型晶体管基极驱动电流根据集电极电流的正比变化，很大程度上降低了基极驱动功耗，同时有效的降低了实现基极驱动电流变化的成本，而且基本消除了时间延迟。

公开(公告)号：CN104966730B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201510245854.0

申请日：2015-05-14

Applicant: 湖南大学

Inventor： 蒋梦轩 ,  沈征 ,  王俊 ,  帅智康 ,  尹新 ,  廖淋圆 ,  彭斌 ,  周猛

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明公开了一种肖特基势垒高电流密度IGBT器件，包括：P型基区、多晶硅栅极区、与P型基区下表面接触的N‑型掺杂漂移区及与N‑型掺杂漂移区下表面接触的第一器件，还包括：与P型基区上表面接触的肖特基势垒区和N+型掺杂源区；与肖特基势垒区和N+型掺杂源区上表面均接触的发射极金属区；多晶硅栅极区与N‑型掺杂漂移区、P型基区、N+型掺杂源区和发射极金属区之间具有栅极氧化层。该器件能够在保持IGBT高工作电压，简单门极电压控制，良好的开关可控性和安全工作区以及简单的短路保护措施等方面优点的基础上大幅度提高IGBT的电流密度，增强IGBT电导调制效应，提高电流导通能力，降低导通损耗。

公开(公告)号：CN104901668B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201510244410.5

申请日：2015-05-14

Applicant: 湖南大学

Inventor： 廖淋圆 ,  唐赛 ,  王俊 ,  帅智康 ,  尹新 ,  沈征 ,  蒋梦轩

IPC: H03K17/687 ,  H03K17/04

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置及方法。在碳化硅双极结型晶体管的基极与驱动电源之间串联一个可变电阻单元，所述可变电阻单元包括高速硅基场控器件和一个限流电阻，所述限流电阻一端连接所述高速硅基场控器件的源极，另一端连接所述高速硅基场控器件的漏极；所述碳化硅双极结型晶体管的集电极与电流检测器件连接，所述电流检测器件与所述高速硅基场控器件的栅极和源极连接。通过碳化硅双极结型晶体管基极驱动电流根据集电极电流的正比变化，很大程度上降低了基极驱动功耗，同时有效的降低了实现基极驱动电流变化的成本，而且基本消除了时间延迟。

公开(公告)号：CN203039562U

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201320016684.5

申请日：2013-01-14

Applicant: 湖南大学

Inventor： 帅智康 ,  陈功 ,  沈征 ,  尹新 ,  孙冰冰 ,  廖淋圆 ,  蒋梦轩 ,  彭斌

IPC: H02M1/08

Abstract: 本实用新型公开了一种基于栅极控制的串联IGBT均压电路，将静态均压电阻同时作为采样电阻，将电压互感器与辅助IGBT的栅极、发射极相连，当出现过电压时，通过导通辅助IGBT，使辅助电容并联在IGBT的集电极和栅极之间，从而实现较好的均压效果。相较于现有技术，本实用新型将静态均压电阻作为采样电阻，通过辅助IGBT的导通与否来确定辅助电容是否参与电压的调节，只需要极少的元器件即可实现串联IGBT理想均压。

公开(公告)号：CN203039657U

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201320017006.0

申请日：2013-01-14

Applicant: 湖南大学

Inventor： 帅智康 ,  陈功 ,  沈征 ,  尹新 ,  廖淋圆 ,  唐开毅 ,  孙冰冰 ,  周猛

IPC: H03K17/567

Abstract: 本实用新型公开了一种IGBT缓冲电路，包括两个RCD缓冲单元，还包括分压单元，第一RCD缓冲单元并联接入主IGBT的集电极和发射极之间，第二RCD缓冲单元的电容与辅助IGBT的集电极或MOS管的漏极连接，所述分压单元并联接入所述第一RCD缓冲单元和第二RCD缓冲单元之间，所述分压单元通过一个运算放大器与所述辅助IGBT的栅极或MOS管的栅极连接。本实用新型有效地克服了缓冲电容和关断时间及关断损耗的矛盾。