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公开(公告)号：CN106655272B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201710029129.9
申请日：2017-01-16
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H02J3/38 , H02M1/32 , H02M7/5387
摘要： 本发明公开了抑制故障瞬时冲击电流型虚拟同步逆变器及其控制方法，通过设置逆变器输出电压电流信息采集模块、虚拟同步逆变控制模块、故障检测和综合模块、滞环比较控制环节模块及故障切除后反切换并网控制模块，解决在电网侧发生对称故障等极端情况时虚拟同步逆变器会因瞬时冲击电流而被烧毁的问题。
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公开(公告)号：CN106655272A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710029129.9
申请日：2017-01-16
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H02J3/38 , H02M1/32 , H02M7/5387
CPC分类号： H02M1/32 , H02M7/53873 , H02J3/38 , H02M7/5387
摘要： 本发明公开了抑制故障瞬时冲击电流型虚拟同步逆变器及其控制方法，通过设置逆变器输出电压电流信息采集模块、虚拟同步逆变控制模块、故障检测和综合模块、滞环比较控制环节模块及故障切除后反切换并网控制模块，解决在电网侧发生对称故障等极端情况时虚拟同步逆变器会因瞬时冲击电流而被烧毁的问题。
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公开(公告)号：CN110061726A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910396826.7
申请日：2019-05-14
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687 , H02M3/335
摘要： 本发明公开了一种基于SiC JFET的串联型直流保护开关，属于直流保护开关技术领域。包括主开关模块、采样模块、单片机控制模块、光耦隔离模块和驱动模块。通过在接入直流电路的主开关模块中串联若干宽禁带半导体器件SiC JFET，并将采样模块并联在主开关模块的两端进行信号采样，同时与光耦隔离模块、单片机控制模块配合连接；单片机控制模块的输出端连接驱动模块，在驱动模块中仅设置一个驱动电路，且与主开关模块链接，驱动整个串联的SiC JFET的通断并实现静态或动态均压。本发明解决现有技术中驱动电路复杂的问题，实现系统正常运行时的静态均压、投切负载与切除故障过程中的动态均压以及能够快速可控可靠的故障隔离。
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公开(公告)号：CN109742725A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910187014.1
申请日：2019-03-13
申请人： 湖南大学
摘要： 本发明公开了一种并联型智能直流保护开关，属于直流保护开关技术领域。包括主开关模块、采样模块、单片机控制模块、光耦隔离模块和驱动模块。通过在接入直流电路的主开关模块中均匀设置八个并联的宽禁带半导体器件SiC JFET，并将采样模块并联在主开关模块的两端进行信号采样，同时采样模块与光耦隔离模块、单片机控制模块配合连接；单片机控制模块的输出端连接驱动模块，通过在驱动模块中均匀设置四个结构相同的驱动电路，且每个驱动电路与主开关模块中每相邻的两个SiC JFET连接，驱动个SiC JFET的通断并实现并联均流。本发明解决了现有技术中并联时的均流问题，实现了降低导通损耗以及不同等级电流保护的目的。
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公开(公告)号：CN104966730B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510245854.0
申请日：2015-05-14
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/08
摘要： 本发明公开了一种肖特基势垒高电流密度IGBT器件，包括：P型基区、多晶硅栅极区、与P型基区下表面接触的N‑型掺杂漂移区及与N‑型掺杂漂移区下表面接触的第一器件，还包括：与P型基区上表面接触的肖特基势垒区和N+型掺杂源区；与肖特基势垒区和N+型掺杂源区上表面均接触的发射极金属区；多晶硅栅极区与N‑型掺杂漂移区、P型基区、N+型掺杂源区和发射极金属区之间具有栅极氧化层。该器件能够在保持IGBT高工作电压，简单门极电压控制，良好的开关可控性和安全工作区以及简单的短路保护措施等方面优点的基础上大幅度提高IGBT的电流密度，增强IGBT电导调制效应，提高电流导通能力，降低导通损耗。
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公开(公告)号：CN104901668B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510244410.5
申请日：2015-05-14
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H03K17/687 , H03K17/04
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置及方法。在碳化硅双极结型晶体管的基极与驱动电源之间串联一个可变电阻单元，所述可变电阻单元包括高速硅基场控器件和一个限流电阻，所述限流电阻一端连接所述高速硅基场控器件的源极，另一端连接所述高速硅基场控器件的漏极；所述碳化硅双极结型晶体管的集电极与电流检测器件连接，所述电流检测器件与所述高速硅基场控器件的栅极和源极连接。通过碳化硅双极结型晶体管基极驱动电流根据集电极电流的正比变化，很大程度上降低了基极驱动功耗，同时有效的降低了实现基极驱动电流变化的成本，而且基本消除了时间延迟。
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公开(公告)号：CN112736877B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202011630134.3
申请日：2020-12-30
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H02H7/26 , H02H3/087 , H02J1/00 , H03K17/082
摘要： 本发明公开一种基于模块化SiC JFET主动钳位控制串联技术的直流固态开关及其控制方法，直流固态开关包括检测模块、控制模块、固态开关模块；检测模块与固态开关模块串联在直流母线上，控制模块并联在检测模块和固态开关模块两端。其控制方法为：步骤S1：利用分压电路实现电压反馈；步骤S2：通过反馈回来的Model1和Model2的DS两端电压与参考电压Vref对比；反馈控制电路输出开通或关断信号，驱动Model1、Model2模块导通或关断。本发明通过单驱动串联加有源钳位的串联方法，有效抑制模块内的功率半导体承受的电压；能轻松实现10个SiC JFET串联使用，可靠性高，成本低，控制简单。
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公开(公告)号：CN108565861B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201810395023.5
申请日：2018-04-27
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H02J3/02
摘要： 本发明提供一种孤岛虚拟同步微电网的调频方法和系统、存储介质，该方法包括：采用循环方式对所述微电网中的逆变器进行调频，直至各个逆变器达到额定频率；其中，每一个循环过程包括：S101、采用差异延时方法确定所述微电网中相对有功出力最多的一台逆变器作为参考单元，并将所述参考单元的本地出力因子作为该循环过程的最大出力因子通过通信线路发送给所述微电网中其他的逆变器；S102、确定该逆变器的有功功率调整量；S103、根据所述有功功率调整量对该逆变器进行调频。本发明能够为在尽可能降低通信复杂程度的前提下，实现频率的调整与有功功率的比例均分。
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