公开(公告)号：CN103795080B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410031891.7

申请日：2014-01-23

Applicant: 湖南大学

Inventor： 帅智康 ,  彭斌 ,  沈征 ,  尹新 ,  周猛 ,  杨浩 ,  莫尚林

IPC: H02J3/38

Abstract: 本发明公开了一种MMC型轻型直流输电系统的并网方法，通过将虚拟同步控制方法与MMC相结合对MMC型轻型直流输电的运行模式进行切换，无需专门的同步控制电路，并网前可与电网自动同步，预同步时间很短，并网后能准确跟随电网频率，实现友好并网。

公开(公告)号：CN104966730A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201510245854.0

申请日：2015-05-14

Applicant: 湖南大学

Inventor： 蒋梦轩 ,  沈征 ,  王俊 ,  帅智康 ,  尹新 ,  廖淋圆 ,  彭斌 ,  周猛

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明公开了一种肖特基势垒高电流密度IGBT器件，包括：P型基区、多晶硅栅极区、与P型基区下表面接触的N-型掺杂漂移区及与N-型掺杂漂移区下表面接触的第一器件，还包括：与P型基区上表面接触的肖特基势垒区和N+型掺杂源区；与肖特基势垒区和N+型掺杂源区上表面均接触的发射极金属区；多晶硅栅极区与N-型掺杂漂移区、P型基区、N+型掺杂源区和发射极金属区之间具有栅极氧化层。该器件能够在保持IGBT高工作电压，简单门极电压控制，良好的开关可控性和安全工作区以及简单的短路保护措施等方面优点的基础上大幅度提高IGBT的电流密度，增强IGBT电导调制效应，提高电流导通能力，降低导通损耗。

公开(公告)号：CN103795080A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410031891.7

申请日：2014-01-23

Applicant: 湖南大学

Inventor： 帅智康 ,  彭斌 ,  沈征 ,  尹新 ,  周猛 ,  杨浩 ,  莫尚林

IPC: H02J3/38

Abstract: 本发明公开了一种MMC型轻型直流输电系统的并网方法，通过将虚拟同步控制方法与MMC相结合对MMC型轻型直流输电的运行模式进行切换，无需专门的同步控制电路，并网前可与电网自动同步，预同步时间很短，并网后能准确跟随电网频率，实现友好并网。

公开(公告)号：CN104966730B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201510245854.0

申请日：2015-05-14

Applicant: 湖南大学

Inventor： 蒋梦轩 ,  沈征 ,  王俊 ,  帅智康 ,  尹新 ,  廖淋圆 ,  彭斌 ,  周猛

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明公开了一种肖特基势垒高电流密度IGBT器件，包括：P型基区、多晶硅栅极区、与P型基区下表面接触的N‑型掺杂漂移区及与N‑型掺杂漂移区下表面接触的第一器件，还包括：与P型基区上表面接触的肖特基势垒区和N+型掺杂源区；与肖特基势垒区和N+型掺杂源区上表面均接触的发射极金属区；多晶硅栅极区与N‑型掺杂漂移区、P型基区、N+型掺杂源区和发射极金属区之间具有栅极氧化层。该器件能够在保持IGBT高工作电压，简单门极电压控制，良好的开关可控性和安全工作区以及简单的短路保护措施等方面优点的基础上大幅度提高IGBT的电流密度，增强IGBT电导调制效应，提高电流导通能力，降低导通损耗。

公开(公告)号：CN203039659U

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201320016717.6

申请日：2013-01-14

Applicant: 湖南大学

Inventor： 帅智康 ,  彭斌 ,  沈征 ,  尹新 ,  周猛 ,  黄昊 ,  熊正斌 ,  蒋梦轩

IPC: H03K17/90

Abstract: 本实用新型公开了一种霍尔直流过流感应开关，包括直流电流感应模块、电压比较和跟随电路、信号输出电路，所述直流电流感应模块包括一开口聚磁环和固定在所述开口聚磁环开口上的线性霍尔电路；所述线性霍尔电路、电压比较和跟随电路、信号输出电路依次连接。本实用新型电路简单、成本低、温漂小、回差小、精确度高，工作稳定可靠，有LED状态指示灯，电流动作阈值可调。

公开(公告)号：CN203039657U

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201320017006.0

申请日：2013-01-14

Applicant: 湖南大学

Inventor： 帅智康 ,  陈功 ,  沈征 ,  尹新 ,  廖淋圆 ,  唐开毅 ,  孙冰冰 ,  周猛

IPC: H03K17/567

Abstract: 本实用新型公开了一种IGBT缓冲电路，包括两个RCD缓冲单元，还包括分压单元，第一RCD缓冲单元并联接入主IGBT的集电极和发射极之间，第二RCD缓冲单元的电容与辅助IGBT的集电极或MOS管的漏极连接，所述分压单元并联接入所述第一RCD缓冲单元和第二RCD缓冲单元之间，所述分压单元通过一个运算放大器与所述辅助IGBT的栅极或MOS管的栅极连接。本实用新型有效地克服了缓冲电容和关断时间及关断损耗的矛盾。