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公开(公告)号:CN104966730B
公开(公告)日:2018-01-12
申请号:CN201510245854.0
申请日:2015-05-14
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/08
Abstract: 本发明公开了一种肖特基势垒高电流密度IGBT器件,包括:P型基区、多晶硅栅极区、与P型基区下表面接触的N‑型掺杂漂移区及与N‑型掺杂漂移区下表面接触的第一器件,还包括:与P型基区上表面接触的肖特基势垒区和N+型掺杂源区;与肖特基势垒区和N+型掺杂源区上表面均接触的发射极金属区;多晶硅栅极区与N‑型掺杂漂移区、P型基区、N+型掺杂源区和发射极金属区之间具有栅极氧化层。该器件能够在保持IGBT高工作电压,简单门极电压控制,良好的开关可控性和安全工作区以及简单的短路保护措施等方面优点的基础上大幅度提高IGBT的电流密度,增强IGBT电导调制效应,提高电流导通能力,降低导通损耗。
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公开(公告)号:CN104966730A
公开(公告)日:2015-10-07
申请号:CN201510245854.0
申请日:2015-05-14
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L29/0804 , H01L29/66333
Abstract: 本发明公开了一种肖特基势垒高电流密度IGBT器件,包括:P型基区、多晶硅栅极区、与P型基区下表面接触的N-型掺杂漂移区及与N-型掺杂漂移区下表面接触的第一器件,还包括:与P型基区上表面接触的肖特基势垒区和N+型掺杂源区;与肖特基势垒区和N+型掺杂源区上表面均接触的发射极金属区;多晶硅栅极区与N-型掺杂漂移区、P型基区、N+型掺杂源区和发射极金属区之间具有栅极氧化层。该器件能够在保持IGBT高工作电压,简单门极电压控制,良好的开关可控性和安全工作区以及简单的短路保护措施等方面优点的基础上大幅度提高IGBT的电流密度,增强IGBT电导调制效应,提高电流导通能力,降低导通损耗。
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公开(公告)号:CN203039562U
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN201320016684.5
申请日:2013-01-14
Applicant: 湖南大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本实用新型公开了一种基于栅极控制的串联IGBT均压电路,将静态均压电阻同时作为采样电阻,将电压互感器与辅助IGBT的栅极、发射极相连,当出现过电压时,通过导通辅助IGBT,使辅助电容并联在IGBT的集电极和栅极之间,从而实现较好的均压效果。相较于现有技术,本实用新型将静态均压电阻作为采样电阻,通过辅助IGBT的导通与否来确定辅助电容是否参与电压的调节,只需要极少的元器件即可实现串联IGBT理想均压。
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