公开(公告)号：CN203039657U

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201320017006.0

申请日：2013-01-14

Applicant: 湖南大学

Inventor： 帅智康 ,  陈功 ,  沈征 ,  尹新 ,  廖淋圆 ,  唐开毅 ,  孙冰冰 ,  周猛

IPC: H03K17/567

Abstract: 本实用新型公开了一种IGBT缓冲电路，包括两个RCD缓冲单元，还包括分压单元，第一RCD缓冲单元并联接入主IGBT的集电极和发射极之间，第二RCD缓冲单元的电容与辅助IGBT的集电极或MOS管的漏极连接，所述分压单元并联接入所述第一RCD缓冲单元和第二RCD缓冲单元之间，所述分压单元通过一个运算放大器与所述辅助IGBT的栅极或MOS管的栅极连接。本实用新型有效地克服了缓冲电容和关断时间及关断损耗的矛盾。

公开(公告)号：CN203039559U

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201320016705.3

申请日：2013-01-14

Applicant: 湖南大学

Inventor： 沈征 ,  陈功 ,  帅智康 ,  尹新 ,  唐开毅 ,  黄昊 ,  熊正斌 ,  蒋梦轩

IPC: H02M1/06

Abstract: 本实用新型公开了一种栅极嵌位的串联IGBT均压电路，将静态均压电阻同时作为采样电阻，将电压互感器与辅助IGBT的栅极、发射极相连，当出现过电压时，通过导通辅助IGBT，使辅助电容并联在IGBT的集电极和栅极之间，从而实现较好的均压效果。相较于现有技术，本实用新型将静态均压电阻作为采样电阻，通过辅助IGBT的导通与否来确定辅助电容是否参与电压的调节，只需要极少的元器件即可实现串联IGBT理想均压。