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公开(公告)号：CN104952931A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510232927.2
申请日：2015-05-08
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/78648 , H01L27/283 , H01L29/42384 , H01L29/66742 , H01L29/78696 , H01L51/0097 , H01L51/0554 , H01L51/0558 , H01L29/401 , H01L29/42356 , H01L29/66484
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管和其制造方法及显示器。场效应晶体管包括：相互间隔开设置的源极和漏极，设置于所述源极和漏极之间的半导体层，处于所述半导体层的一侧的第一栅极层，以及处于所述半导体层的另一侧的第二栅极层。这种场效应晶体管的能耗较低。用于制造这种场效应晶体管的方法成本较低。使用这种场效应晶体管的显示器的能耗较低。
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公开(公告)号：CN104409512A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410631072.6
申请日：2014-11-11
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1288 , H01L29/78648 , H01L29/6675 , H01L29/78672
Abstract: 本发明公开了一种基于双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管，以及一种形成双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括:一基板；至少一图案化非晶硅层位于所述基板上的一阻隔层内，所述至少一图案化非晶硅层构成一底栅极；一N型金属氧化半导体，位于所述阻隔层上；以及一P型金属氧化半导体，位于所述阻隔层上；其中，所述N型金属氧化半导体成一图案化栅极电极层与所述至少一图案化非晶硅层形成的所述底栅极结合成双栅极结构，使电流-电压特性更加稳定，导通电流明显改善，驱动能力增加，降低功耗，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN105575992A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510970419.4
申请日：2015-12-22
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
CPC classification number: H01L27/286 , H01L21/82 , H01L21/8238 , H01L27/283 , H01L27/288 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种CMOS器件及其制备方法。CMOS器件包括依次层叠设置的基板、第一金属层、绝缘层及第一类型金属氧化物半导体层；还包括分别间隔设置在绝缘层上的第一、第二及第三金属部，第一及第二金属部间隔设置在第一类型金属氧化物半导体层两侧且均与第一类型金属氧化物半导体层接触；设置在第二金属部与第三金属部之间的间隙，以及邻近间隙的第二金属部及第三金属部上的第二类型有机半导体层；设置在第一金属部、第二金属部及第三金属部、第一金属部与第二金属部之间的第一类型金属氧化物半导体层、以及第二类型有机半导体层上的钝化层；设置在钝化层上且对应第二类型有机半导体层的第三金属层。
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公开(公告)号：CN104157612A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410415951.5
申请日：2014-08-21
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/136 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133514 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136 , G02F1/136227 , G02F2001/133302 , G02F2001/133519 , G02F2001/136222 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0273 , H01L21/2855 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1288 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板结构，所述TFT阵列基板结构包括基板(1)、位于基板(1)上的第一金属电极(2)、位于基板(1)上且完全覆盖所述第一金属电极(2)的栅极绝缘层(3)、位于栅极绝缘层(3)上的岛状半导体层(4)、位于栅极绝缘层(3)与岛状半导体层(4)上的第二金属电极(6)、位于第二金属电极(6)上的保护层(8)、位于保护层(8)上的色阻层(7)、位于色阻层(7)上的保护层(12)、及位于保护层(12)上的第一像素电极层(9)；所述保护层(8)、色阻层(7)与保护层(12)上具有一过孔(81)，所述过孔(81)内部填充有机材料层(10)。
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公开(公告)号：CN102881653A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210370615.4
申请日：2012-09-28
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法及其制造的薄膜晶体管，所述方法包括以下步骤：步骤1.提供一基板；步骤2.在基板上形成第一金属层，并通过光罩制程形成栅极；步骤3.在栅极上形成栅极绝缘层；步骤4.在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成第二金属层，该第二金属层包括形成于氧化物半导体层上的钛层及形成于钛层上的铜层，并通过光罩制程形成数据线与源/漏极；步骤5.在第二金属层上形成透明导电层，并通过光罩制程图案化该透明导电层，进而制得薄膜晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105742308B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201610113712.3
申请日：2016-02-29
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Abstract: 本发明公开一种互补型薄膜晶体管及其制造方法，所述互补型薄膜晶体管包含包含一基板、一N型半导体层、一P型半导体层及一刻蚀阻挡层；所述基板定义有相邻的一N型晶体管区及一P型晶体管区，所述N型半导体层设置在所述基板上方且位于所述N型晶体管区中，所述N型半导体层包含一金属氧化物材料，所述P型半导体层设置在所述基板上方且位于所述P型晶体管区中，所述P型半导体层包含一有机半导体材料，所述刻蚀阻挡层形成在所述N型半导体层上并位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中，且所述P型半导体层形成在所述刻蚀阻挡层上。
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公开(公告)号：CN105742309B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201610113713.8
申请日：2016-02-29
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Abstract: 本发明公开一种互补型薄膜晶体管及其制造方法，所述互补型薄膜晶体管包含一基板、一N型半导体层、一P型半导体层、一第一钝化层、一第一电极金属层及一第二电极金属层，所述N型半导体层设置在所述基板上方，所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；所述P型半导体层设置在所述N型半导体层上方，所述P型半导体层包含一有机半导体材料；所述第一钝化层设置在所述N型半导体层及所述P型半导体层之间，且形成有至少一接触过孔；所述第一电极金属层及第二电极金属层通过所述接触过孔电性连接。
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公开(公告)号：CN102881653B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201210370615.4
申请日：2012-09-28
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法及其制造的薄膜晶体管，所述方法包括以下步骤：步骤1、提供一基板；步骤2、在基板上形成第一金属层，并通过光罩制程形成栅极；步骤3、在栅极上形成栅极绝缘层；步骤4、在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成第二金属层，该第二金属层包括形成于氧化物半导体层上的钛层及形成于钛层上的铜层，并通过光罩制程形成数据线与源/漏极；步骤5、在第二金属层上形成透明导电层，并通过光罩制程图案化该透明导电层，进而制得薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN103676384A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310733604.2
申请日：2013-12-26
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/133514 , G02F1/136213 , G02F1/13624 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/78669
Abstract: 本发明提供一种TFT基板及用该TFT基板的液晶显示面板，所述TFT基板包括：并联设置的第一与第二共享电容（2、4），所述第一共享电容（2）包括第一上基板（22）、与第一上基板（22）相对设置的第一下基板（24）及设于第一上基板（22）与第一下基板（24）之间的第一半导体层（26）；所述第二共享电容（4）包括第二上基板（42）、与第二上基板（42）相对设置的第二下基板（44）及设于第二上基板（42）与第二下基板（44）之间的第二半导体层（46）；所述第一共享电容（2）的第一上基板（22）、第二共享电容（4）的第二下基板（44）与像素电极（6）电性连接，所述第二共享电容（4）的第二上基板（42）与Com走线（8）电性连接。
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公开(公告)号：CN105742309A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610113713.8
申请日：2016-02-29
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
CPC classification number: H01L27/283 , H01L21/8256 , H01L29/7869 , H01L51/0021 , H01L51/0541 , H01L51/0554 , H01L51/0558 , H01L51/0562 , H01L21/77 , H01L27/286
Abstract: 本发明公开一种互补型薄膜晶体管及其制造方法，所述互补型薄膜晶体管包含一基板、一N型半导体层、一P型半导体层、一第一钝化层、一第一电极金属层及一第二电极金属层，所述N型半导体层设置在所述基板上方，所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；所述P型半导体层设置在所述N型半导体层上方，所述P型半导体层包含一有机半导体材料；所述第一钝化层设置在所述N型半导体层及所述P型半导体层之间，且形成有至少一接触过孔；所述第一电极金属层及第二电极金属层通过所述接触过孔电性连接。
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