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公开(公告)号：CN104698713B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510162687.3
申请日：2015-04-07
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 孙博
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/133509
Abstract: 本发明提供一种液晶显示面板及液晶显示装置，所述面板包括：第一基板，其包括：依次形成在衬底基板上的第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二金属层、第二绝缘层、色阻层、第一透明导电层、平坦层、第二透明导电层，第一金属层包括栅极、扫描线、第一公共电极；第二金属层，包括源极、漏极和数据线；所述第二透明导电层与所述第一透明导电层电性连接；其中在所述扫描线对应的位置和所述沟道对应的位置设置有黑色矩阵。本发明的液晶显示面板及液晶显示装置，通过在原有的COA基板侧的透明导电层上先设置一层平坦层，再在平坦层上设置一层透明导电层，并将两层透明导电层连接，从而节省了数据线对应位置处的黑色矩阵，从而增大了开口率。
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公开(公告)号：CN105388675A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510966824.9
申请日：2015-12-21
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 孙博
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/124
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及液晶显示器，该阵列基板包括多条扫描线、多条数据线以及多个像素，每个像素包含一主像素和一副像素，每个像素区域中设置一主像素开关、一副像素开关以及一共享开关；在第N条扫描线与第M条数据线形成的一像素区域中，主像素开关的控制端与第N条扫描线连接，其输入端与第M条数据线连接，其输出端连接主像素电极；副像素开关的控制端与第N条扫描线连接，其输入端与第M条数据线连接，其输出端连接副像素电极；共享开关的控制端连接第N±n条扫描线，其输入端连接公共电极，其输出端连接副像素电极。通过上述方式，本发明能够使面板中的电路简化，有利于提高像素的开口率，实现面板的窄边框。
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公开(公告)号：CN104766859A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510209776.9
申请日：2015-04-28
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 孙博
Abstract: 本发明提供一种TFT基板的制作方法及其结构。该TFT基板的制作方法通过在第一道干蚀刻制程中将非晶硅层(5)位于非TFT区域的部分保留一定的厚度，在第二道干蚀刻制程中形成背沟道(51)的同时，蚀刻掉在非TFT区域保留下来的非晶硅层(5)，从而防止栅极绝缘层(4)在第二道干蚀刻制程中受到损伤，提高了TFT基板的品质，减少了品质问题发生的风险，并且由于减少了第一道干蚀刻制程的蚀刻量，从而减少了干蚀刻制程时间，减短了生产周期，提高了工厂产能。本发明提供的一种TFT基板结构，其结构简单，栅极绝缘层完整无损伤，可提高液晶显示器的显示品质。
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公开(公告)号：CN104409512A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410631072.6
申请日：2014-11-11
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1288 , H01L29/78648 , H01L29/6675 , H01L29/78672
Abstract: 本发明公开了一种基于双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管，以及一种形成双栅极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括:一基板；至少一图案化非晶硅层位于所述基板上的一阻隔层内，所述至少一图案化非晶硅层构成一底栅极；一N型金属氧化半导体，位于所述阻隔层上；以及一P型金属氧化半导体，位于所述阻隔层上；其中，所述N型金属氧化半导体成一图案化栅极电极层与所述至少一图案化非晶硅层形成的所述底栅极结合成双栅极结构，使电流-电压特性更加稳定，导通电流明显改善，驱动能力增加，降低功耗，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN105372892B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201510955722.7
申请日：2015-12-17
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 孙博
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/12
Abstract: 本发明公开一种阵列基板及液晶显示面板，所述阵列基板包括多条扫描线；多条数据线，与多条扫描线相互交叉以将阵列基板划分成多个像素区域；每个像素区域包括主像素区域和次像素区域，每个次像素区域包括分享电容，且沿着从阵列基板的边缘位置至中心位置的方向，分享电容的电容值依次减小，且在进行显示时，阵列基板的边缘位置的次像素区域上的电位小于中心位置的次像素区域上的电位，从而使得阵列基板中心位置的次像素区域的亮度大于边缘位置的次像素区域的亮度，以此达到消除两侧泛白的目的，提高显示质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104766859B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510209776.9
申请日：2015-04-28
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 孙博
Abstract: 本发明提供一种TFT基板的制作方法及其结构。该TFT基板的制作方法通过在第一道干蚀刻制程中将非晶硅层(5)位于非TFT区域的部分保留一定的厚度，在第二道干蚀刻制程中形成背沟道(51)的同时，蚀刻掉在非TFT区域保留下来的非晶硅层(5)，从而防止栅极绝缘层(4)在第二道干蚀刻制程中受到损伤，提高了TFT基板的品质，减少了品质问题发生的风险，并且由于减少了第一道干蚀刻制程的蚀刻量，从而减少了干蚀刻制程时间，减短了生产周期，提高了工厂产能。本发明提供的一种TFT基板结构，其结构简单，栅极绝缘层完整无损伤，可提高液晶显示器的显示品质。
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公开(公告)号：CN105223420B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201510629332.0
申请日：2015-09-28
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
CPC classification number: G01R31/2607 , G01R27/02 , G01R31/26 , H01L51/0031 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/0566 , H01L51/105
Abstract: 本发明提供了一种用于测量接触电阻的TFT及接触电阻的测量方法，该TFT包括有源层、栅极和栅极绝缘层，有源层上设有沟道和至少三个掺杂区，两个掺杂区之间通过沟道连接，在测量接触电阻时，以其中两个掺杂区作为测试点进行测量；栅极与沟道对应设置；栅极绝缘层用于隔离有源层和栅极。本发明均一性好，制程、成膜质量以及界面性质最大程度的相似，提高了测量准确性，同时节省了分布区域，提高了试验区域的利用率。
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公开(公告)号：CN104656325B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510119334.5
申请日：2015-03-18
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1335 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/133302 , G02F2001/133357 , G02F2001/136222 , G02F2001/136295 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2201/52 , G02F2202/02
Abstract: 本发明提供一种COA型液晶面板的制作方法及COA型液晶面板，该方法通过在色阻层上形成第一像素电极层，在第一像素电极层上形成平坦层，并在平坦层上形成与第一像素电极层相接触的第二像素电极层，使像素电极层实现最大程度的平坦化，且第二像素电极层位于各子像素区域的像素电极块的横向边界位于扫描线上方，纵向边界位于信号线上方，实现扫描线与信号线自遮光，省略了横向与纵向的黑色矩阵，并可通过在玻璃基板对应阵列基板上的TFT处设置点状黑色矩阵，对沟道位置进行遮光，从而实现简化制程，提高开口率。
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公开(公告)号：CN104375312B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201410629739.9
申请日：2014-11-11
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/1335
Abstract: 本发明提供一种COA阵列基板及液晶显示面板，该COA阵列基板包括基板衬底、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层、色阻层以及像素电极层。其中色阻层的表面设置有至少一个突出部以及至少一个凹陷部，像素电极同时设置在突出部和凹陷部上。本发明还提供一种液晶显示面板，本发明的COA阵列基板及液晶显示面板通过设置具有多个突出部和多个凹陷部的色阻层，提高了显示区域的光线穿透率，从而提高了液晶显示装置的显示品质。
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公开(公告)号：CN104375313A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410635411.8
申请日：2014-11-12
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/136 , G02F1/133514 , G02F1/1333 , G02F1/136286
Abstract: 本发明提供了一种液晶显示面板及其制造方法，所述液晶显示面板包括色阻层、平坦层及像素电极层。所述色阻层包括第一色阻单元及第二色阻单元，所述第一色阻单元及所述第二色阻单元分别设置于两相邻的像素单元中，其中所述第一色阻单元和所述第二色阻单元在所述数据线上形成交界。所述平坦层设置于所述色阻层上，用于平坦化所述交界。所述像素电极层设置于所述平坦层上，包括对应所述多个像素单元的多个像素电极图案，两相邻的像素电极图案的边界位于所述数据线之上。本发明的液晶显示面板省去了黑色矩阵，而提高开口率。
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