半导体装置及其校准方法

    公开(公告)号:CN102034529B

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201010001108.4

    申请日:2010-01-12

    Abstract: 一种半导体装置,包括参考电压发生单元,比较电压发生单元和校准单元。所述参考电压发生单元设置在参考裸片中并配置用于产生参考电压。所述比较电压发生单元设置在堆叠于所述参考裸片上的裸片中,并配置用于响应于校准控制信号产生比较电压。所述校准单元配置用于将所述参考电压的电平与所述比较电压的电平进行比较并产生所述校准控制信号。

    片上数据传输控制装置和方法

    公开(公告)号:CN100462951C

    公开(公告)日:2009-02-18

    申请号:CN200510131808.4

    申请日:2005-12-15

    Inventor: 李炯东 张银庭

    CPC classification number: H04L25/4915

    Abstract: 该片上数据传输控制器包括:数据比较单元,用于比较当前数据和先前数据,并且如果相位转变的数据位的数目大于预置数目则发布反相旗标;第一数据反相单元,用于当反相旗标被激活时反相当前数据的相位并将反相数据提供到数据总线上;以及第二数据反相单元,用于当反相旗标被激活时反相经由数据总线传输的数据的相位并输出反相数据。通过该控制器,在使用多步预接线结构以改进存储器器件的工作速度的情况下,通过减小经由GIO线输入的数据的转变数目,可降低当待传输数据的数目增大时大量发生的片上噪声。

    半导体装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107068661A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201610828758.3

    申请日:2012-03-08

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,包括扫描电路模块,所述扫描电路模块包括:接收部,所述接收部被配置为响应于第二控制信号而从设置在第一芯片中的另一个电路单元的输出信号和设置在第二芯片中的电路单元的输出信号中的一个来产生输出信号;以及输出部,所述输出部被配置为响应于第一控制信号而将所述接收部的输出信号输出至设置在所述第一芯片中的又一个电路单元和设置在第三芯片中的电路单元中的一个,其中,所述扫描电路模块被设置在所述第一芯片中。

    半导体装置及其校准方法

    公开(公告)号:CN102034529A

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN201010001108.4

    申请日:2010-01-12

    Abstract: 一种半导体装置,包括参考电压发生单元,比较电压发生单元和校准单元。所述参考电压发生单元设置在参考裸片中并配置用于产生参考电压。所述比较电压发生单元设置在堆叠于所述参考裸片上的裸片中,并配置用于响应于校准控制信号产生比较电压。所述校准单元配置用于将所述参考电压的电平与所述比较电压的电平进行比较并产生所述校准控制信号。

    开环转换率控制输出驱动器

    公开(公告)号:CN1941630B

    公开(公告)日:2010-07-28

    申请号:CN200610159395.5

    申请日:2006-09-28

    Abstract: 本发明公开了一种在半导体装置中使用的转换率控制输出驱动器,其包括:过程、电压及温度(PVT)变化检测单元,其具有用于接收参考时钟的延迟线,以检测根据PVT变化而确定的该延迟线的延迟量变化;选择信号产生单元,其用于产生与由所述PVT变化检测单元而产生的检测信号对应的驱动选择信号;及输出驱动单元,其具有受控于输出数据及所述驱动选择信号的多个驱动器单元,其用于与所述PVT变化对应的驱动强度来驱动输出端子。

Patent Agency Ranking