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公开(公告)号：CN116884866A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310864199.1
申请日：2017-10-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 一个实施方式所涉及的检查方法，是对具有基板(SiE)及形成于基板(SiE)上的金属层(ME)的半导体器件(D)进行激光标记的检查方法，包含：通过检查半导体器件(D)，特定半导体器件(D)中的故障部位(fp)的步骤；基于故障部位(fp)，以至少在基板(SiE)与金属层(ME)的边界形成有标记的方式，自基板(SiE)侧对半导体器件(D)照射透过基板(SiE)的波长的激光的步骤。
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公开(公告)号：CN109891255B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201780066179.2
申请日：2017-09-20
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/302 , G01R31/26
Abstract: 本发明的半导体器件检查装置是基于相应于对于作为被检查体的半导体器件的测试图形信号的输入而输出的结果信号而检查该半导体器件的装置，其包含：超声波振子，其与半导体器件相对地配置，且产生超声波；载台，其使半导体器件与超声波振子的相对位置移动；刺激条件控制部，其控制对半导体器件赋予的超声波所引起的刺激的条件；及解析部，其基于自半导体器件输出的结果信号产生测定图像。
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公开(公告)号：CN111417860A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880076287.2
申请日：2018-09-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/26 , G01R31/302
Abstract: 半导体器件检查装置(1)具备：光传感器(12)，其检测来自输入有电信号的半导体器件(10)的光；光学系统，其将来自半导体器件(10)的光向光传感器(12)导光；及控制装置(18)，其与光传感器(12)电连接；控制装置(18)具有：测量部(25)，其取得不良品的半导体器件(10)上的多个位置的每个位置的光测量所获得的波形数据、及良品的半导体器件(10)上的多个位置的每个位置的光测量所获得的波形数据；计算部(26)，其在不良品的半导体器件(10)的波形数据与良品的半导体器件(10)的波形数据之间计算一致度；及解析部(28)，其基于通过计算部(26)计算的多个位置的每个位置的一致度，解析不良品的半导体器件(10)的不良部位。
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公开(公告)号：CN111417860B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201880076287.2
申请日：2018-09-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/26 , G01R31/302
Abstract: 半导体器件检查装置(1)具备：光传感器(12)，其检测来自输入有电信号的半导体器件(10)的光；光学系统，其将来自半导体器件(10)的光向光传感器(12)导光；及控制装置(18)，其与光传感器(12)电连接；控制装置(18)具有：测量部(25)，其取得不良品的半导体器件(10)上的多个位置的每个位置的光测量所获得的波形数据、及良品的半导体器件(10)上的多个位置的每个位置的光测量所获得的波形数据；计算部(26)，其在不良品的半导体器件(10)的波形数据与良品的半导体器件(10)的波形数据之间计算一致度；及解析部(28)，其基于通过计算部(26)计算的多个位置的每个位置的一致度，解析不良品的半导体器件(10)的不良部位。
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公开(公告)号：CN109891255A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780066179.2
申请日：2017-09-20
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/302 , G01R31/26
Abstract: 本发明的半导体器件检查装置是基于相应于对于作为被检查体的半导体器件的测试图形信号的输入而输出的结果信号而检查该半导体器件的装置，其包含：超声波振子，其与半导体器件相对地配置，且产生超声波；载台，其使半导体器件与超声波振子的相对位置移动；刺激条件控制部，其控制对半导体器件赋予的超声波所引起的刺激的条件；及解析部，其基于自半导体器件输出的结果信号产生测定图像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101484818A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200680054964.8
申请日：2006-10-23
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/311 , G01N21/956
CPC classification number: G01R31/303
Abstract: 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、以及对半导体器件的不良进行分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)具有分析区域设定部，该分析区域设定部通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出起因于不良的反应区域，并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。由此，实现了一种能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。
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公开(公告)号：CN101460858A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200680054968.6
申请日：2006-10-23
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/311 , G01N21/956
CPC classification number: G01R31/311 , G01N21/95607 , G01R31/2894
Abstract: 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)抽出半导体器件的多个网路中通过从不良观察图像设定的多个分析区域的至少1个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数，选择通过次数最多的候补网路，以作为第1不良网路，并且，着眼于第1不良网路未通过的分析区域，进行第2不良网路的选择。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。
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公开(公告)号：CN111512169B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201880076257.1
申请日：2018-09-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/28 , G01R31/26 , G01R31/302
Abstract: 本发明的半导体器件检查装置(1)具备：光传感器(12)，其检测来自输入有电信号的DUT即半导体器件(10)的光；光学系统，其将来自半导体器件(10)的光向光传感器(12)导光；及控制装置(18)，其电连接于光传感器(12)；且控制装置(18)具有：数据读取部(23)，其读取表示半导体器件(10)的掩模布局的掩模数据；探索部(24)，其基于掩模数据所含的半导体器件(10)的栅极层的多边形数据，探索半导体器件(10)的晶体管的位置；设定部(25)，其将探索到的晶体管的位置设定为光检测对象的位置；及测量部(26)，其对经设定的光测量对象的位置执行光测量而取得测量结果。
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公开(公告)号：CN115552261A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180032979.9
申请日：2021-04-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/319
Abstract: 本发明的半导体检查装置(1)具备：测量器(7)，其在对半导体器件(S)供给电力的同时，测量与半导体器件(S)的电力的供给相对应的电特性；光扫描装置(13)，其对半导体器件(S)扫描以多个频率强度调制的光；锁定放大器(15)，其取得表示与光的扫描相对应的多个频率成分的电特性的特性信号；及检查装置(19)，其处理特性信号。检查装置(19)求得：反映了半导体器件(S)的第1层(L1)的电特性的扫描位置的特性信号、与反映了第2层(L2)的电特性的扫描位置的特性信号为规定的相位差的频率，并且以反映了第1层(L1)的电特性的扫描位置的特性信号的相位成分为基准，修正任意的扫描位置的特性信号的相位成分，输出在求得的频率的任意的扫描位置的特性信号的同相成分及正交成分。
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公开(公告)号：CN111512169A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880076257.1
申请日：2018-09-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/28 , G01R31/26 , G01R31/302
Abstract: 本发明的半导体器件检查装置(1)具备：光传感器(12)，其检测来自输入有电信号的DUT即半导体器件(10)的光；光学系统，其将来自半导体器件(10)的光向光传感器(12)导光；及控制装置(18)，其电连接于光传感器(12)；且控制装置(18)具有：数据读取部(23)，其读取表示半导体器件(10)的掩模布局的掩模数据；探索部(24)，其基于掩模数据所含的半导体器件(10)的栅极层的多边形数据，探索半导体器件(10)的晶体管的位置；设定部(25)，其将探索到的晶体管的位置设定为光检测对象的位置；及测量部(26)，其对经设定的光测量对象的位置执行光测量而取得测量结果。
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