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公开(公告)号：CN111564384A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010418363.2
申请日：2016-01-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L23/544 , B23K26/03 , B23K26/70
Abstract: 检查装置具备：激光光源；将激光从金属层侧照射至半导体设备的激光标记用光学系统；通过控制激光光源来控制激光标记的控制部；在基板侧检测来自半导体设备的光并输出光学反射像的二维照相机；及生成半导体设备的图案图像的解析部；控制部以直至标记像显现于图案图像为止进行激光标记的方式控制激光光源。
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公开(公告)号：CN111564384B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010418363.2
申请日：2016-01-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L23/544 , B23K26/03 , B23K26/70
Abstract: 检查装置具备：激光光源；将激光从金属层侧照射至半导体设备的激光标记用光学系统；通过控制激光光源来控制激光标记的控制部；在基板侧检测来自半导体设备的光并输出光学反射像的二维照相机；及生成半导体设备的图案图像的解析部；控制部以直至标记像显现于图案图像为止进行激光标记的方式控制激光光源。
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公开(公告)号：CN110024096B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201780073132.9
申请日：2017-10-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 一个实施方式所涉及的检查方法，是对具有基板(SiE)及形成于基板(SiE)上的金属层(ME)的半导体器件(D)进行激光标记的检查方法，包含：通过检查半导体器件(D)，特定半导体器件(D)中的故障部位(fp)的步骤；基于故障部位(fp)，以至少在基板(SiE)与金属层(ME)的边界形成有标记的方式，自基板(SiE)侧对半导体器件(D)照射透过基板(SiE)的波长的激光的步骤。
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公开(公告)号：CN110024096A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780073132.9
申请日：2017-10-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 一个实施方式所涉及的检查方法，是对具有基板(SiE)及形成于基板(SiE)上的金属层(ME)的半导体器件(D)进行激光标记的检查方法，包含：通过检查半导体器件(D)，特定半导体器件(D)中的故障部位(fp)的步骤；基于故障部位(fp)，以至少在基板(SiE)与金属层(ME)的边界形成有标记的方式，自基板(SiE)侧对半导体器件(D)照射透过基板(SiE)的波长的激光的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112752980B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN201980063019.1
申请日：2019-06-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 铃木信介
IPC: G01R31/302 , G01R31/26 , H01L21/66
Abstract: 本发明的半导体器件检查方法包括：第1照射步骤，其对被检查区域内的至少1个部位进行检查照射；第1输出步骤，其基于第1照射步骤而输出表示被检查区域的整体中有无缺陷部位的第1信息；第2照射步骤，其在基于第1信息判断为要进一步进行检查照射的情形时，对与第1照射步骤中已进行检查照射的部位不同的被检查区域内的至少1个部位进行检查照射；及第2输出步骤，其基于在第2照射步骤期间自半导体器件输出的输出信号，输出表示被检查区域的整体中有无缺陷部位的第2信息。
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公开(公告)号：CN115136288A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202080096912.7
申请日：2020-11-17
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/66 , B23K26/00 , G01R31/302
Abstract: 本发明的半导体故障解析装置(1)具备：解析部(10)，其解析半导体器件(D)的故障部位；标记部(20)，其朝半导体器件(D)照射激光；器件配置部(30)，其晶圆卡盘(32)相对于解析部(10)及标记部(20)相对移动，该晶圆卡盘(32)保持半导体器件(D)且设置有对准目标(50)；及控制部(41b)，其对解析部(10)、标记部(20)及器件配置部(30)输出命令。控制部(41b)在使晶圆卡盘(32)移动至解析部(10)能够拍摄对准目标(50)的位置后，输出以对准目标(50)为基准将标记部(20)对准解析部(10)的对准命令，在维持标记部(20)与解析部(10)的位置关系的状态下，朝半导体器件(D)照射激光。
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公开(公告)号：CN116884866A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310864199.1
申请日：2017-10-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 一个实施方式所涉及的检查方法，是对具有基板(SiE)及形成于基板(SiE)上的金属层(ME)的半导体器件(D)进行激光标记的检查方法，包含：通过检查半导体器件(D)，特定半导体器件(D)中的故障部位(fp)的步骤；基于故障部位(fp)，以至少在基板(SiE)与金属层(ME)的边界形成有标记的方式，自基板(SiE)侧对半导体器件(D)照射透过基板(SiE)的波长的激光的步骤。
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公开(公告)号：CN115136289A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015180.9
申请日：2021-01-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明的半导体故障解析装置的控制部输出对准命令，该对准命令在使卡盘移动至第1光检测部能够检测目标的位置后，以目标为基准，使第2光学系统的光轴对准第1光学系统的光轴；且输出解析命令，该解析命令在维持第1光学系统的光轴与第2光学系统的光轴的位置关系的状态下，对半导体器件施加刺激信号，且由第1光检测部或第2光检测部的至少一者，接收根据刺激信号发出的来自半导体器件的光。
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