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公开(公告)号：CN110651177B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201780091062.X
申请日：2017-11-22
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 取向特性测定系统(1)具备：照射光学系统(5)，其朝向配置于透明性基板(S1)上的试样照射激发光；检测光学系统(11)，其引导自试样发出的荧光；光检测器(13)，其检测荧光；旋转机构(9)，其变更试样的荧光出射侧的面的垂线与检测光学系统(11)的光轴(L2)所成的角(φ)；及计算机(15)，其计算试样的取向参数(S)；计算机(15)具有：旋转机构控制部(32)，其控制旋转机构(9)；分布取得部(34)，其将光强度的角度依赖性分布标准化而取得光强度的角度依赖性分布；区域特定部(35)，其基于光强度的角度依赖性分布而特定出极大区域的光强度；及参数计算部(36)，其基于由试样的膜厚及折射率决定的线性关系及极大区域的光强度而计算取向参数(S)。
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公开(公告)号：CN115552261A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180032979.9
申请日：2021-04-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/319
Abstract: 本发明的半导体检查装置(1)具备：测量器(7)，其在对半导体器件(S)供给电力的同时，测量与半导体器件(S)的电力的供给相对应的电特性；光扫描装置(13)，其对半导体器件(S)扫描以多个频率强度调制的光；锁定放大器(15)，其取得表示与光的扫描相对应的多个频率成分的电特性的特性信号；及检查装置(19)，其处理特性信号。检查装置(19)求得：反映了半导体器件(S)的第1层(L1)的电特性的扫描位置的特性信号、与反映了第2层(L2)的电特性的扫描位置的特性信号为规定的相位差的频率，并且以反映了第1层(L1)的电特性的扫描位置的特性信号的相位成分为基准，修正任意的扫描位置的特性信号的相位成分，输出在求得的频率的任意的扫描位置的特性信号的同相成分及正交成分。
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公开(公告)号：CN104981687B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201380072223.2
申请日：2013-09-17
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01N21/31 , G01J3/0254 , G01J3/0291 , G01J3/42 , G01J3/4406 , G01N21/645 , G01N21/6489 , G01N2021/6469 , G01N2021/6482 , G01N2021/6491 , G01N2201/062 , G01N2201/065 , G01N2201/12
Abstract: 一种对作为测定对象的试样照射激发光而检测被测定光的分光测定装置，其包含：光源，其产生激发光；积分器，其具有入射激发光的入射开口部及射出被测定光的射出开口部；收纳部，其配置于积分器内且收纳试样；入射光学系统，其使激发光入射至试样；光检测器，其检测自射出开口部射出的被测定光；及解析单元，其基于由光检测器检测出的检测值，计算试样的光吸收率；向试样的入射位置上的激发光的照射面积大于试样的被照射面积，解析单元对于所计算出的光吸收率，进行与激发光的照射面积及试样的被照射面积相关的面积比修正。
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公开(公告)号：CN111630372A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201880087229.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 分光测定装置(1)中，控制部(22)以在第1期间(T1)维持向内部空间(11)输入激发光且在第2期间(T2)停止向内部空间(11)输入激发光的方式控制光源(2)，解析部(21)基于长余辉发光材料(S)的吸收光子数及长余辉发光材料(S)的发光光子数算出长余辉发光材料(S)的发光量子产率，上述长余辉发光材料(S)的吸收光子数基于第1期间(T1)中的激发光光谱数据而求出，上述长余辉发光材料(S)的发光光子数基于第1期间(T1)、第2期间(T2)、及第1期间与第2期间的合计期间(T1+2)的任一期间中的发光光谱数据而求出。
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公开(公告)号：CN110621967A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880032081.X
申请日：2018-04-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 分光测定装置是测定自试样发出的被测定光的分光测定装置，具备：积分球，其具有内壁面及安装孔；接合器，其具有引导被测定光的引导孔，且配置于积分球；板，其具有自积分球的外侧覆盖引导孔且载置试样的第1面、及第2面，且使被测定光透过；保持器，其具有载置板的凹部，且安装于安装孔；及分光检测器，其检测被测定光。凹部包含：与第2面相对的底面、及包围板的周围的侧面。底面及侧面由反射被测定光的反射材覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104969061B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201380072255.2
申请日：2013-09-17
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01N21/645 , G01J3/021 , G01J3/0254 , G01J3/0291 , G01J3/4406 , G01N21/01 , G01N21/6489 , G01N2021/6469 , G01N2021/6482 , G01N2021/6484 , G01N2201/065
Abstract: 一种对作为测定对象的试样照射激发光而检测被测定光的分光测定装置，包含：光源，其产生激发光；积分器，其具有入射激发光的入射开口部、及射出被测定光的射出开口部；收纳部，其配置于积分器内，且收纳试样；入射光学系统，其使激发光入射至试样；光检测器，其检测自射出开口部射出的被测定光；及解析单元，其基于由光检测器检测出的检测值，计算试样的量子产率；激发光以包含(内包)试样的方式被照射于该试样。
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公开(公告)号：CN106461463A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580025951.7
申请日：2015-04-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01N21/64 , G01J3/0254 , G01J3/443 , G01N2201/12753
Abstract: 光测量装置向配置有试样的积分球内输入激发光，使激发光以规定的光束截面照射至试样，并利用光检测器检测来自积分球的测量光而取得试样的强度数据。光测量装置包括：存储部，其存储有修正数据；及光特性计算部，其基于试样的强度数据及修正数据，计算出试样的光特性。修正数据基于对第1光吸收构件以规定的光束截面照射激发光而检测出的第1修正用强度数据、以及对第2光吸收构件以规定的光束截面照射激发光而检测出的第2修正用强度数据而计算出。规定的光束截面被第1光吸收构件覆盖并且覆盖第2光吸收构件。
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公开(公告)号：CN110621967B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201880032081.X
申请日：2018-04-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 分光测定装置是测定自试样发出的被测定光的分光测定装置，具备：积分球，其具有内壁面及安装孔；接合器，其具有引导被测定光的引导孔，且配置于积分球；板，其具有自积分球的外侧覆盖引导孔且载置试样的第1面、及第2面，且使被测定光透过；保持器，其具有载置板的凹部，且安装于安装孔；及分光检测器，其检测被测定光。凹部包含：与第2面相对的底面、及包围板的周围的侧面。底面及侧面由反射被测定光的反射材覆盖。
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公开(公告)号：CN113474646A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202080016593.4
申请日：2020-01-28
Applicant: 国立大学法人丰桥技术科学大学 , 浜松光子学株式会社
IPC: G01N29/265 , G01N29/46 , G01R31/26
Abstract: 本发明的超声波检查装置(1)是以封装化了的半导体器件(D)为检查对象的超声波检查装置，其具备：超声波振子(2)，其与半导体器件(D)相对地配置；脉冲产生器(4)，其产生自超声波振子(2)输出的超声波(W)的产生所使用的驱动信号；及解析部(22)，其解析与由超声波振子(2)输出的超声波(W)的照射相应地自所述半导体器件输出的输出信号；且脉冲产生器(4)以超声波(W)在半导体器件(D)内的吸收成为最大的方式设定驱动信号的最佳频率。
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公开(公告)号：CN106461463B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201580025951.7
申请日：2015-04-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01N21/64 , G01J3/0254 , G01J3/443 , G01N2201/12753
Abstract: 光测量装置向配置有试样的积分球内输入激发光，使激发光以规定的光束截面照射至试样，并利用光检测器检测来自积分球的测量光而取得试样的强度数据。光测量装置包括：存储部，其存储有修正数据；及光特性计算部，其基于试样的强度数据及修正数据，计算出试样的光特性。修正数据基于对第1光吸收构件以规定的光束截面照射激发光而检测出的第1修正用强度数据、以及对第2光吸收构件以规定的光束截面照射激发光而检测出的第2修正用强度数据而计算出。规定的光束截面被第1光吸收构件覆盖并且覆盖第2光吸收构件。
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