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公开(公告)号：CN101460858B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200680054968.6
申请日：2006-10-23
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01N21/956 , G01R31/311
CPC classification number: G01R31/311 , G01N21/95607 , G01R31/2894
Abstract: 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)抽出半导体器件的多个网路中通过从不良观察图像设定的多个分析区域的至少1个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数，选择通过次数最多的候补网路，以作为第1不良网路，并且，着眼于第1不良网路未通过的分析区域，进行第2不良网路的选择。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。
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公开(公告)号：CN111417860A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880076287.2
申请日：2018-09-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/26 , G01R31/302
Abstract: 半导体器件检查装置(1)具备：光传感器(12)，其检测来自输入有电信号的半导体器件(10)的光；光学系统，其将来自半导体器件(10)的光向光传感器(12)导光；及控制装置(18)，其与光传感器(12)电连接；控制装置(18)具有：测量部(25)，其取得不良品的半导体器件(10)上的多个位置的每个位置的光测量所获得的波形数据、及良品的半导体器件(10)上的多个位置的每个位置的光测量所获得的波形数据；计算部(26)，其在不良品的半导体器件(10)的波形数据与良品的半导体器件(10)的波形数据之间计算一致度；及解析部(28)，其基于通过计算部(26)计算的多个位置的每个位置的一致度，解析不良品的半导体器件(10)的不良部位。
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公开(公告)号：CN105849882B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201480070583.3
申请日：2014-11-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 堀田和宏
Abstract: 观察系统(101A)中的图像处理方法包括：获取以半导体设备(S)为对象而测定的测定图像(G1B)、及对应于测定图像(G1B)且表示半导体设备(S)的图案的第1图案图像(G2B)的步骤；获取以半导体设备(S)或与半导体设备(S)不同的半导体设备即参照用半导体设备(SR)为对象而测定的参照用测定图像(G3B)、及对应于参照用测定图像(G3B)且表示参照用半导体设备(SR)的图案的第2图案图像(G4B)的步骤；基于第1图案图像(G2B)与第2图案图像(G4B)，获取表示第1图案图像(G2B)与第2图案图像(G4B)的相对关系的匹配信息的步骤；及通过基于匹配信息求出测定图像(G1B)与参照用测定图像(G3B)的差分而获取比较图像(G5B)的步骤。
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公开(公告)号：CN105849883A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070586.7
申请日：2014-11-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 堀田和宏
CPC classification number: G06T7/001 , G06K9/48 , G06K9/52 , G06K9/6201 , G06T2207/10048 , G06T2207/30148
Abstract: 观察系统(1A)中的图像处理方法包括：第1步骤，其获取以半导体设备(S)为对象而测定的测定图像(G1)、及对应于测定图像(G1)的表示半导体设备(S)的图案的第1图案图像(G2)；第2步骤，其获取表示半导体设备(S)的图案的第2图案图像(G3)；第3步骤，其基于第1图案图像(G2)与第2图案图像(G3)，获取表示第1图案图像(G2)与第2图案图像(G3)的相对关系的匹配信息；及第4步骤，其通过基于匹配信息使第2图案图像(G3)与测定图像(G1)重叠而获取重叠图像(G4)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101208609A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200680022712.7
申请日：2006-06-20
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/302 , H01L21/66
CPC classification number: G01N21/956 , G06T7/0004 , G06T2207/30148
Abstract: 由至少取得半导体设备的图案图像(P1)的检测信息取得部(11)；取得布局图像(P3)的布局信息取得部(12)；对半导体设备的不良进行解析的不良解析部(13)；和将不良解析的信息显示在显示装置(40)上的解析画面显示控制部(14)构成不良解析装置(10)。解析画面显示控制部(14)，作为显示在显示模块(40)的半导体设备的图像，生成将图案图像(P1)和布局图像(P3)重叠后的重叠图像；同时，设定重叠图像上的布局图像(P3)对图案图像(P1)的透过率。由此，实现了能确实且高效地进行半导体设备的不良解析的半导体不良解析装置、解析方法、解析程序、及解析系统。
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公开(公告)号：CN111512169B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201880076257.1
申请日：2018-09-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/28 , G01R31/26 , G01R31/302
Abstract: 本发明的半导体器件检查装置(1)具备：光传感器(12)，其检测来自输入有电信号的DUT即半导体器件(10)的光；光学系统，其将来自半导体器件(10)的光向光传感器(12)导光；及控制装置(18)，其电连接于光传感器(12)；且控制装置(18)具有：数据读取部(23)，其读取表示半导体器件(10)的掩模布局的掩模数据；探索部(24)，其基于掩模数据所含的半导体器件(10)的栅极层的多边形数据，探索半导体器件(10)的晶体管的位置；设定部(25)，其将探索到的晶体管的位置设定为光检测对象的位置；及测量部(26)，其对经设定的光测量对象的位置执行光测量而取得测量结果。
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公开(公告)号：CN113994372A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080041571.3
申请日：2020-04-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的观察系统(1)具备：检测器(3)、二维相机(5)，它们检测来自半导体器件(S)的光并输出检测信号；光学装置(13)，其将光导引至检测器(3)及二维相机(5)；图像处理部(29)，其基于检测信号，生成半导体器件(S)的第一光学图像，且受理第一CAD图像的输入；图像解析部(31)，其将第一光学图像用作教学数据，通过机器学习来学习第一CAD图像的转换处理，通过基于该学习的结果的转换处理，而将第一CAD图像转换为与第一光学图像相似的第二CAD图像；及位置对准部，其基于第二光学图像与第二CAD图像进行位置对准。
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公开(公告)号：CN113966524A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202080041089.X
申请日：2020-04-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G06T7/00 , G06T7/30 , H01L21/66 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06N20/00 , G06K9/62 , G06V10/764 , G06V10/82
Abstract: 本发明的观察系统(1)的半导体检查方法具备：取得显示半导体器件(S)的图案的第一图案图像的步骤；取得显示半导体器件(S)的图案且分辨率与第一图案图像不同的第二图案图像的步骤；将第一图案图像用作教学数据，通过机器学习来学习第二图案图像的重构处理，通过基于该学习的结果的重构处理，而将第二图案图像重构为分辨率与第二图案图像不同的重构图像的步骤；及基于重构图像的通过重构处理而被计算为准确度较高的区域、与第一图案图像，进行位置对准的步骤。
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公开(公告)号：CN111512169A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880076257.1
申请日：2018-09-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/28 , G01R31/26 , G01R31/302
Abstract: 本发明的半导体器件检查装置(1)具备：光传感器(12)，其检测来自输入有电信号的DUT即半导体器件(10)的光；光学系统，其将来自半导体器件(10)的光向光传感器(12)导光；及控制装置(18)，其电连接于光传感器(12)；且控制装置(18)具有：数据读取部(23)，其读取表示半导体器件(10)的掩模布局的掩模数据；探索部(24)，其基于掩模数据所含的半导体器件(10)的栅极层的多边形数据，探索半导体器件(10)的晶体管的位置；设定部(25)，其将探索到的晶体管的位置设定为光检测对象的位置；及测量部(26)，其对经设定的光测量对象的位置执行光测量而取得测量结果。
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