公开(公告)号：CN101208609A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680022712.7

申请日：2006-06-20

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 武田雅裕 ,  堀田和宏

IPC: G01R31/302 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/956 ,  G06T7/0004 ,  G06T2207/30148

Abstract: 由至少取得半导体设备的图案图像(P1)的检测信息取得部(11)；取得布局图像(P3)的布局信息取得部(12)；对半导体设备的不良进行解析的不良解析部(13)；和将不良解析的信息显示在显示装置(40)上的解析画面显示控制部(14)构成不良解析装置(10)。解析画面显示控制部(14)，作为显示在显示模块(40)的半导体设备的图像，生成将图案图像(P1)和布局图像(P3)重叠后的重叠图像；同时，设定重叠图像上的布局图像(P3)对图案图像(P1)的透过率。由此，实现了能确实且高效地进行半导体设备的不良解析的半导体不良解析装置、解析方法、解析程序、及解析系统。

公开(公告)号：CN101208608A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680022711.2

申请日：2006-06-20

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 真岛敏幸 ,  嶋瀬朗 ,  寺田浩敏 ,  堀田和宏 ,  武田雅裕

IPC: G01R31/302 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/956 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/30148

Abstract: 由取得半导体设备的不良观察图像(P2)的检测信息取得部(11)；取得布局信息的布局信息取得部(12)；对半导体设备的不良进行解析的不良解析部(13)；和将解析结果信息显示在显示装置(40)上的解析画面显示控制部(14)，构成不良解析装置(10)。不良解析部(13)，参照不良观察图像(P2)来设定解析区域，同时，对半导体设备的布局中所含的多个网路，抽出通过解析区域的网路。由此，半导体不良解析装置、解析方法、及解析程序可实现准确且高效地进行半导体设备的不良解析。