单晶硅切磨一体机的边皮自动传送机构及传送方法

    公开(公告)号:CN103359470B

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201310240912.1

    申请日:2013-06-15

    IPC分类号: B65G47/04

    摘要: 本发明涉及单晶硅切磨技术,旨在提供一种单晶硅切磨一体机的边皮自动传送机构及传送方法。该装置包括同步带、落料机构、送料机构和停料机构;其中,落料机构包括气缸、翻转机构活动块、翻转机构固定块、翻转板连接块、边皮翻转板、边皮翻转板垫板。停料机构包括安装在固定板上的一排滚筒,以及设于滚筒两侧的光电传感器;送料机构包括电机、转轴、联轴器、主动轮、从动轮;停料机构位于同步带的末端,滚筒内部装有轴承。本发明可实现无人自动传料,既提高了生产效率,又保证了安全生产,降低了劳动强度。

    一种单晶硅棒晶向检测装置及其晶向检测方法

    公开(公告)号:CN103913417A

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201410106247.1

    申请日:2014-03-20

    IPC分类号: G01N21/00

    摘要: 本发明涉及晶体生长炉领域,旨在提供一种单晶硅棒晶向检测装置及其晶向检测方法。该单晶硅棒晶向检测装置用于检测装夹在切方工作台上的圆形单晶硅棒的晶向,包括支架、支撑臂、晶向检测传感器支架、气缸、固定护罩、升降护罩、晶向检测传感器;该单晶硅棒晶向检测装置的晶向检测方法包括步骤:操作气缸、开启气源、启动晶向检测传感器并计算圆形单晶硅棒表面到激光发出点的距离最小值,该距离最小值即为晶棒的晶向。本发明能自动检测装夹于工作台上的晶棒的晶向,采用非接触式测量方法,检测精度高、响应快、耗时短、可自动控制;结构简单,陈本低,不需人工参与,适用于单晶硅棒流水线加工车间的全自动控制。

    用于多晶硅铸锭炉的改进结构的热交换台

    公开(公告)号:CN102268728B

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:CN201110218651.4

    申请日:2011-08-01

    IPC分类号: C30B28/06 C30B11/00 C30B29/06

    摘要: 本发明涉及多晶硅铸锭炉设备,旨在提供一种用于多晶硅铸锭炉的改进结构的热交换台。该热交换台用来放置多晶硅铸锭炉坩埚并实现热交换,设有气体入口和气体出口,热交换台的内部设置冷却气通道,并与前述气体入口和气体出口相连。相比辐射降温和水冷式的冷却技术,本发明中的热交换台在用于气体致冷时控制能力强、工业可控性高,而且由于气体均匀进入热交换台使得热交换台整体温度均匀,有利于坩埚底部硅熔体的均匀形核,可以在长晶过程中对坩埚底部温度的下降速度进行精确控制。

    一种单晶硅棒晶向检测装置及其晶向检测方法

    公开(公告)号:CN103913417B

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201410106247.1

    申请日:2014-03-20

    IPC分类号: G01N21/00

    摘要: 本发明涉及晶体生长炉领域,旨在提供一种单晶硅棒晶向检测装置及其晶向检测方法。该单晶硅棒晶向检测装置用于检测装夹在切方工作台上的圆形单晶硅棒的晶向,包括支架、支撑臂、晶向检测传感器支架、气缸、固定护罩、升降护罩、晶向检测传感器;该单晶硅棒晶向检测装置的晶向检测方法包括步骤:操作气缸、开启气源、启动晶向检测传感器并计算圆形单晶硅棒表面到激光发出点的距离最小值,该距离最小值即为晶棒的晶向。本发明能自动检测装夹于工作台上的晶棒的晶向,采用非接触式测量方法,检测精度高、响应快、耗时短、可自动控制;结构简单,陈本低,不需人工参与,适用于单晶硅棒流水线加工车间的全自动控制。

    具有多个均布向下的排气管道的直拉式硅单晶炉热场

    公开(公告)号:CN102312284B

    公开(公告)日:2013-11-13

    申请号:CN201110189217.8

    申请日:2011-07-06

    IPC分类号: C30B15/00 C30B15/14 C30B29/06

    摘要: 本发明涉及直拉式硅单晶炉中的热场结构技术,旨在提供一种具有多个均布向下的排气管道的直拉式硅单晶炉热场。在热场底部的圆周上均匀分布至少3个用于排出废气的排气管道,每个排气管道均具备以下结构:由导气横管、导气竖管和石英管依次连接组成,导气横管和导气竖管为石墨件;导气横管与导气竖管呈90°直角相接,且以平面接触方式配合;导气竖管与石英管相互对接,且以环形凸台方式配合;石英管与炉底板的排气孔以环形凸台方式配合。本发明增大了排气管道通径,提高了排气效率;减少了氧化物在排气管内的堆积;避免了氧化物堆积在下保温盖表面;简化了排气管道的清扫操作,提高了生产效率。以上因素都有利于提高硅单晶生长的成晶率。

    单晶硅切磨一体机的边皮自动传送机构及传送方法

    公开(公告)号:CN103359470A

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201310240912.1

    申请日:2013-06-15

    IPC分类号: B65G47/04

    摘要: 本发明涉及单晶硅切磨技术,旨在提供一种单晶硅切磨一体机的边皮自动传送机构及传送方法。该装置包括同步带、落料机构、送料机构和停料机构;其中,落料机构包括气缸、翻转机构活动块、翻转机构固定块、翻转板连接块、边皮翻转板、边皮翻转板垫板。停料机构包括安装在固定板上的一排滚筒,以及设于滚筒两侧的光电传感器;送料机构包括电机、转轴、联轴器、主动轮、从动轮;停料机构位于同步带的末端,滚筒内部装有轴承。本发明可实现无人自动传料,既提高了生产效率,又保证了安全生产,降低了劳动强度。

    气致冷多晶硅铸锭炉的闭式冷却系统

    公开(公告)号:CN102234837B

    公开(公告)日:2013-07-24

    申请号:CN201110218517.4

    申请日:2011-08-01

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明涉及多晶硅铸锭炉的制造技术领域,旨在提供一种气致冷多晶硅铸锭炉的闭式冷却系统。该系统包括位于支撑柱上的用于放置坩埚的热交换台,所述热交换台内部设置冷却气通道,冷却气通道两端的气体入口和气体出口分别连接冷却气进气管路和冷却气出气管路;热交换台、冷却气进气管路、冷却气出气管路、冷却气动力泵组、冷却器构成一个冷却气闭式循环回路。相比辐射降温和水冷式的冷却方法,本发明中的气体致冷控制能力强、工业可控性高,而且由于气体均匀进入热交换台使得热交换台整体温度均匀,有利于坩埚底部硅熔体的均匀形核,可以在长晶过程中对坩埚底部温度的下降速度进行精确控制。

    用于多晶硅铸锭炉的改进结构的热交换台

    公开(公告)号:CN102268728A

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN201110218651.4

    申请日:2011-08-01

    IPC分类号: C30B28/06 C30B11/00 C30B29/06

    摘要: 本发明涉及多晶硅铸锭炉设备,旨在提供一种用于多晶硅铸锭炉的改进结构的热交换台。该热交换台用来放置多晶硅铸锭炉坩埚并实现热交换,设有气体入口和气体出口,热交换台的内部设置冷却气通道,并与前述气体入口和气体出口相连。相比辐射降温和水冷式的冷却技术,本发明中的热交换台在用于气体致冷时控制能力强、工业可控性高,而且由于气体均匀进入热交换台使得热交换台整体温度均匀,有利于坩埚底部硅熔体的均匀形核,可以在长晶过程中对坩埚底部温度的下降速度进行精确控制。

    顶侧分开控制的多晶硅铸锭炉加热装置

    公开(公告)号:CN102140673A

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN201110070743.2

    申请日:2011-03-23

    IPC分类号: C30B11/00 C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明涉及多晶硅铸锭炉的制造技术领域,旨在提供一种顶侧分开控制的多晶硅铸锭炉加热装置。该装置包括内部装有隔热笼体的炉室,隔热笼体上下分别设置顶部保温板和下保温层,外敷坩埚护板的坩埚位于隔热笼体中;该加热装置具有两个加热器:其中一个为顶部加热器,设于坩埚的上方;另一个为侧部加热器,环设于坩埚护板四周。本发明可在长晶过程中对热场内温度进行控制,根据需要优化顶侧加热功率的配比,从而可使硅的结晶凝固得到有效的控制,进而加快长晶效率,降低能耗,提高硅锭品质。本发明的设计合理、能够有效改善多晶硅晶向,降低能耗、增大晶粒、减少晶界,从而提高多晶硅锭品质。

    一种多晶硅铸锭炉及多测温点监测多晶铸锭籽晶高度方法

    公开(公告)号:CN103924295A

    公开(公告)日:2014-07-16

    申请号:CN201410072367.4

    申请日:2014-03-01

    IPC分类号: C30B29/06 C30B28/06

    摘要: 本发明属于多晶硅铸锭技术领域,旨在提供一种多晶硅铸锭炉及多测温点监测多晶铸锭籽晶高度方法,包括炉体、隔热笼、石墨护板、定向散热块、石墨支撑柱、红外测温仪、可编程逻辑控制器、热电偶测温仪、石英坩埚、加热器。所述加热器安装于炉体上,并将石墨护板罩于该加热器内;所述石英坩埚安装于石墨护板内。本发明的有益效果有:热电偶测温仪接触式测量石英坩埚底部中心区域温度,测温准确,读数稳定,真实反应出测温点处温度,且温度值受硅液扰动小;采用红外测温仪非接触式测量石英坩埚底部边角区域温度,响应时间快、分辨精度高,可迅速检测到硅溶液流入后造成的温度波动。