用于多晶硅铸锭炉的改进结构的热交换台

    公开(公告)号:CN102268728B

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:CN201110218651.4

    申请日:2011-08-01

    IPC分类号: C30B28/06 C30B11/00 C30B29/06

    摘要: 本发明涉及多晶硅铸锭炉设备,旨在提供一种用于多晶硅铸锭炉的改进结构的热交换台。该热交换台用来放置多晶硅铸锭炉坩埚并实现热交换,设有气体入口和气体出口,热交换台的内部设置冷却气通道,并与前述气体入口和气体出口相连。相比辐射降温和水冷式的冷却技术,本发明中的热交换台在用于气体致冷时控制能力强、工业可控性高,而且由于气体均匀进入热交换台使得热交换台整体温度均匀,有利于坩埚底部硅熔体的均匀形核,可以在长晶过程中对坩埚底部温度的下降速度进行精确控制。

    气致冷多晶硅铸锭炉的闭式冷却系统

    公开(公告)号:CN102234837B

    公开(公告)日:2013-07-24

    申请号:CN201110218517.4

    申请日:2011-08-01

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明涉及多晶硅铸锭炉的制造技术领域,旨在提供一种气致冷多晶硅铸锭炉的闭式冷却系统。该系统包括位于支撑柱上的用于放置坩埚的热交换台,所述热交换台内部设置冷却气通道,冷却气通道两端的气体入口和气体出口分别连接冷却气进气管路和冷却气出气管路;热交换台、冷却气进气管路、冷却气出气管路、冷却气动力泵组、冷却器构成一个冷却气闭式循环回路。相比辐射降温和水冷式的冷却方法,本发明中的气体致冷控制能力强、工业可控性高,而且由于气体均匀进入热交换台使得热交换台整体温度均匀,有利于坩埚底部硅熔体的均匀形核,可以在长晶过程中对坩埚底部温度的下降速度进行精确控制。

    用于多晶硅铸锭炉的改进结构的热交换台

    公开(公告)号:CN102268728A

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN201110218651.4

    申请日:2011-08-01

    IPC分类号: C30B28/06 C30B11/00 C30B29/06

    摘要: 本发明涉及多晶硅铸锭炉设备,旨在提供一种用于多晶硅铸锭炉的改进结构的热交换台。该热交换台用来放置多晶硅铸锭炉坩埚并实现热交换,设有气体入口和气体出口,热交换台的内部设置冷却气通道,并与前述气体入口和气体出口相连。相比辐射降温和水冷式的冷却技术,本发明中的热交换台在用于气体致冷时控制能力强、工业可控性高,而且由于气体均匀进入热交换台使得热交换台整体温度均匀,有利于坩埚底部硅熔体的均匀形核,可以在长晶过程中对坩埚底部温度的下降速度进行精确控制。

    顶侧分开控制的多晶硅铸锭炉加热装置

    公开(公告)号:CN102140673A

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN201110070743.2

    申请日:2011-03-23

    IPC分类号: C30B11/00 C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明涉及多晶硅铸锭炉的制造技术领域,旨在提供一种顶侧分开控制的多晶硅铸锭炉加热装置。该装置包括内部装有隔热笼体的炉室,隔热笼体上下分别设置顶部保温板和下保温层,外敷坩埚护板的坩埚位于隔热笼体中;该加热装置具有两个加热器:其中一个为顶部加热器,设于坩埚的上方;另一个为侧部加热器,环设于坩埚护板四周。本发明可在长晶过程中对热场内温度进行控制,根据需要优化顶侧加热功率的配比,从而可使硅的结晶凝固得到有效的控制,进而加快长晶效率,降低能耗,提高硅锭品质。本发明的设计合理、能够有效改善多晶硅晶向,降低能耗、增大晶粒、减少晶界,从而提高多晶硅锭品质。

    气致冷多晶硅铸锭炉的闭式冷却系统

    公开(公告)号:CN102234837A

    公开(公告)日:2011-11-09

    申请号:CN201110218517.4

    申请日:2011-08-01

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明涉及多晶硅铸锭炉的制造技术领域,旨在提供一种气致冷多晶硅铸锭炉的闭式冷却系统。该系统包括位于支撑柱上的用于放置坩埚的热交换台,所述热交换台内部设置冷却气通道,冷却气通道两端的气体入口和气体出口分别连接冷却气进气管路和冷却气出气管路;热交换台、冷却气进气管路、冷却气出气管路、冷却气动力泵组、冷却器构成一个冷却气闭式循环回路。相比辐射降温和水冷式的冷却方法,本发明中的气体致冷控制能力强、工业可控性高,而且由于气体均匀进入热交换台使得热交换台整体温度均匀,有利于坩埚底部硅熔体的均匀形核,可以在长晶过程中对坩埚底部温度的下降速度进行精确控制。

    气致冷多晶硅铸锭炉的闭式冷却系统

    公开(公告)号:CN202272988U

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN201120277027.7

    申请日:2011-08-01

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本实用新型涉及多晶硅铸锭炉的制造技术领域,旨在提供一种气致冷多晶硅铸锭炉的闭式冷却系统。该系统包括位于支撑柱上的用于放置坩埚的热交换台,所述热交换台内部设置冷却气通道,冷却气通道两端的气体入口和气体出口分别连接冷却气进气管路和冷却气出气管路;热交换台、冷却气进气管路、冷却气出气管路、冷却气动力泵组、冷却器构成一个冷却气闭式循环回路。相比辐射降温和水冷式的冷却方法,本实用新型中的气体致冷控制能力强、工业可控性高,而且由于气体均匀进入热交换台使得热交换台整体温度均匀,有利于坩埚底部硅熔体的均匀形核,可以在长晶过程中对坩埚底部温度的下降速度进行精确控制。

    顶侧分开控制的多晶硅铸锭炉加热装置

    公开(公告)号:CN202022993U

    公开(公告)日:2011-11-02

    申请号:CN201120078751.7

    申请日:2011-03-23

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本实用新型涉及多晶硅铸锭炉的制造技术领域,旨在提供一种顶侧分开控制的多晶硅铸锭炉加热装置。该装置包括内部装有隔热笼体的炉室,隔热笼体上下分别设置顶部保温板和下保温层,外敷坩埚护板的坩埚位于隔热笼体中;该加热装置具有两个加热器:其中一个为顶部加热器,设于坩埚的上方;另一个为侧部加热器,环设于坩埚护板四周。本实用新型可在长晶过程中对热场内温度进行控制,根据需要优化顶侧加热功率的配比,从而可使硅的结晶凝固得到有效的控制,进而加快长晶效率,降低能耗,提高硅锭品质。本实用新型的设计合理、能够有效改善多晶硅晶向,降低能耗、增大晶粒、减少晶界,从而提高多晶硅锭品质。

    用于多晶硅铸锭炉的改进结构的热交换台

    公开(公告)号:CN202247004U

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201120276774.9

    申请日:2011-08-01

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本实用新型涉及多晶硅铸锭炉设备,旨在提供一种用于多晶硅铸锭炉的改进结构的热交换台。该热交换台用来放置多晶硅铸锭炉坩埚并实现热交换,设有气体入口和气体出口,热交换台的内部设置冷却气通道,并与前述气体入口和气体出口相连。相比辐射降温和水冷式的冷却技术,本实用新型中的热交换台在用于气体致冷时控制能力强、工业可控性高,而且由于气体均匀进入热交换台使得热交换台整体温度均匀,有利于坩埚底部硅熔体的均匀形核,可以在长晶过程中对坩埚底部温度的下降速度进行精确控制。