公开(公告)号：CN118335793A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311725407.6

申请日：2023-12-14

申请人： 浙江大学杭州国际科创中心

发明人： 王宝柱 ,  盛况 ,  任娜 ,  徐弘毅 ,  吴九鹏 ,  王珩宇

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

摘要： 本发明涉及一种沟槽型MOSFET器件及其制造方法，一种沟槽型MOSFET器件，包括元胞结构，元胞结构包括半导体基体；阱区设于半导体基体的上表层内；源区设于阱区的上表层内；半导体基体内设有贯穿源区和阱区的浅沟槽，以及与浅沟槽连通的深沟槽；浅沟槽具有第一底壁，深沟槽凹设于第一底壁，且深沟槽具有第二底壁。屏蔽区设于半导体基体内，屏蔽区的至少部分邻接于第二底壁；绝缘栅结构设于第一底壁上；源极设于半导体基体上，且覆盖于绝缘栅结构，并填充于浅沟槽未被绝缘栅结构填充的区域，且填充于深沟槽。该沟槽型MOSFET器件的元胞尺寸较小。

公开(公告)号：CN116884910A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310873238.4

申请日：2023-07-14

申请人： 浙江大学杭州国际科创中心

发明人： 任娜 ,  冉飞荣 ,  盛况 ,  徐弘毅

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/67

摘要： 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种退火载盘的制备方法及退火载盘。包括载盘圆环和透光率小于待加工晶圆的载盘晶圆片，载盘晶圆片具有尺寸略大于待加工晶圆工作区域和外侧的载盘圆环区域，将载盘圆环通过粘合层与载盘圆环区域相键合后，形成退火载盘。将载盘圆环设置于工作区域的外侧，避免待加工晶圆与载盘之间的相互滑动，也降低了待加工晶圆在退火时由于气流的影响导致的滑落；同时，待加工晶圆本身具有一定的透光率，热辐射或者红外辐射的能量不能很好的吸收，导致升温速度慢，选用透光率低于待加工晶圆的载盘晶圆片，通过载盘晶圆片吸收热辐射或者红外辐射的能量，再将热量传递给待加工晶圆，从而快速、有效的达到待加工晶圆的退火温度。

公开(公告)号：CN116504842B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310773208.6

申请日：2023-06-28

申请人： 浙江大学

发明人： 盛况 ,  任娜 ,  徐弘毅

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  H01L29/165 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

摘要： 本公开涉及异质结绝缘栅场效应管及其制造方法、半导体器件。该异质结绝缘栅场效应管包括：第一材料结构；第二材料结构，与第一材料结构堆叠构成半导体结构，第二材料结构的碳含量小于第一材料结构的碳含量；栅极，沿堆叠的方向贯穿第二材料结构；以及氧化层，位于栅极与半导体结构之间，包括：对应第一材料结构的第一氧化部和对应第二材料结构的第二氧化部。该异质结绝缘栅场效应管可以实现较高的沟道迁移率，并且保证了异质结材料间的能带差没有明显影响器件整体的导通电压。

公开(公告)号：CN113990936B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111587237.0

申请日：2021-12-23

申请人： 浙江大学杭州国际科创中心

发明人： 盛况 ,  任娜 ,  徐弘毅 ,  王珩宇

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

摘要： 本申请公开了一种基于不同栅极结构的MOS管器件，涉及半导体技术领域，包括：第一掺杂衬底；第一掺杂结构，第一掺杂结构和第一掺杂衬底相连接；第二掺杂结构，第二掺杂结构和第一掺杂结构相连接；沟槽栅结构，沟槽栅结构分别和第一掺杂结构以及第二掺杂结构相连接；其中，沟槽栅结构包括栅极和栅介质层，栅介质层设置在栅极的底部和侧壁，栅介质层分别和第一掺杂结构以及第二掺杂结构相连接，栅极设置有对称或非对称的周期性排列结构，有益效果在于在保持元胞尺寸和元胞密度不变的前提下，显著增加沟道的面积，有效降低了器件的沟道电阻，通过不同的栅极结构，避免沟道不均流的现象，且当沟槽栅结构缩减到40nm以下时会出现FinFET效应，从而进一步降低沟道的电阻。

公开(公告)号：CN116666224B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202310948875.3

申请日：2023-07-31

申请人： 浙江大学

发明人： 任娜 ,  盛况 ,  林超彪 ,  徐弘毅

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

摘要： 本公开涉及沟槽型绝缘栅场效应管器件及其制造方法、电子元件。该方法包括：形成依次堆叠的预制复合衬底、预制沟道层及预制第一源接触区，预制第一源接触区具有第一掺杂类型；形成贯穿预制第一源接触区的第二源接触区；形成图案化的第一掩膜；通过第一掩膜刻蚀形成第一沟槽段，第一沟槽段贯穿预制第一源接触区及预制沟道层，并延伸入预制复合衬底，第一沟槽段与第二源接触区沿第一方向相对并被预制第一源接触区间隔；通过第一掩膜对第一沟槽段的沿第一方向相对两个侧壁面中的第一侧壁面进行第一离子注入工艺，形成第一保护区，第一保护区具有第二掺杂类型；以及去除掩膜。该方法可以较容易地制造可靠性较好的沟槽型绝缘栅场效应管器件。

公开(公告)号：CN117438314A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311387290.5

申请日：2023-10-23

申请人： 浙江大学杭州国际科创中心

发明人： 王宝柱 ,  任娜 ,  盛况 ,  徐弘毅 ,  吴九鹏 ,  王珩宇

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种沟槽型MOSFET器件及其制造方法，一种沟槽型MOSFET器件的制造方法，包括：提供具有第一导电类型的半导体基体；在半导体基体的上表层内形成具有第二导电类型的阱区；在阱区的上表层内形成源区，源区包括具有第一导电类型的第一区域；在半导体基体内形成贯穿第一区域和阱区的沟槽；沟槽的槽壁包括底壁以及邻接于底壁的第一侧壁；沿第一方向向半导体基体内注入第二导电类型离子，以形成围绕于沟槽的屏蔽区；屏蔽区邻接于底壁和第一侧壁的至少一部分；在沟槽内形成绝缘栅结构；可避免采用超高能离子注入方式，进而降低沟槽型MOSFET器件的制造成本。

公开(公告)号：CN117317027A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311620928.5

申请日：2023-11-30

申请人： 浙江大学杭州国际科创中心

发明人： 盛况 ,  徐弘毅 ,  任娜 ,  王宝柱 ,  王珩宇

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

摘要： 本公开涉及场效应管及其制造方法、集成电路器件。该用于形成场效应管的方法可包括：根据位于预制半导体结构的刻蚀掩模，形成栅极沟槽，其中，栅极沟槽延伸入预制半导体结构；形成预制掩膜层，预制掩膜层覆盖刻蚀掩模并沿栅极沟槽的内壁面延展；基于预制掩膜层形成自对准掩模，自对准掩模位于栅极沟槽的侧壁面，并遮挡栅极沟槽的底壁面的一部分；以及根据自对准掩模对栅极沟槽的底壁面进行离子注入。该方法可提供较宽的设计和工艺窗口，可以较容易地执行。

公开(公告)号：CN116230549B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310492983.4

申请日：2023-04-27

申请人： 浙江大学

发明人： 徐弘毅 ,  盛况 ,  任娜

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 本公开涉及集成低势垒二极管的沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法。该方法包括：在预制半导体结构形成第一槽，预制半导体结构包括叠层结构和第二源接触区，第一槽与第二源接触区被第一源接触区隔开，第一槽贯穿第一源接触区和沟道层并延伸入第一扩散区；形成具有第一掺杂类型的第二扩散区，第二扩散区至少自第一槽的底面沿堆叠方向贯穿保护层并延伸入复合衬底；在预制半导体结构形成第二槽，第二槽贯穿第一源接触区及沟道层，第二槽暴露出第一扩散区；形成位于第一槽内的栅氧结构；以及形成位于第二槽内的源极延伸部，其中，源极延伸部与第一扩散区实现电性接触。该方法可以制造退化风险较低的集成低势垒二极管的沟槽型绝缘栅场效应管。

公开(公告)号：CN116435243A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310273053.X

申请日：2023-03-15

申请人： 浙江大学杭州国际科创中心

发明人： 任娜 ,  成骥 ,  盛况 ,  徐弘毅

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/321 ,  H01L21/67

摘要： 本申请涉及图案晶圆的正面保护方法。该方法包括如下步骤：提供图案晶圆；在所述图案晶圆的正面贴覆保护层，得到待加工件；所述保护层用于直接接触所述图案晶圆的一侧配置为具有粘性及弹性形变特性，所述保护层上背离所述图案晶圆的一侧配置为光滑表面；将所述待加工件上设置有保护层的一侧放置于激光加工平台；对所述图案晶圆的背面进行激光退火处理；将所述保护层撕离，得到洁净状态的图案晶圆。采用本申请的图案晶圆的正面保护方法，在对图案晶圆的背面在进行激光退火时，图案晶圆的正面不会被磨损或破坏。

公开(公告)号：CN116288253A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310150187.2

申请日：2023-02-09

申请人： 浙江大学杭州国际科创中心

发明人： 韦丽明 ,  盛况 ,  任娜 ,  徐弘毅

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/32 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02

摘要： 上述半导体薄膜的加工方法、装置、系统和计算机设备，基于预设厚度确定参考半导体薄膜的第一加工模型；其中，所述参考半导体薄膜的衬底片为硅片；基于所述预设厚度以及目标半导体薄膜的第一预设衬底片数确定所述目标半导体薄膜的第二加工模型；其中，所述目标半导体薄膜的衬底片为碳化硅片；基于所述第一加工模型以及第二加工模型确定目标加工模型；控制化学气相沉积工艺设备基于所述目标加工模型对所述目标半导体薄膜进行加工。上述方法，基于第一加工模型和第二加工模型的关系，获取目标加工模型，以准确度高的第一加工模型为基准，获取的目标加工模型能提升以碳化硅为衬底片的半导体薄膜加工的准确度并且缩短设备调试时间，节省调试成本。