本发明涉及一种沟槽型MOSFET器件及其制造方法，一种沟槽型MOSFET器件的制造方法，包括：提供具有第一导电类型的半导体基体；在半导体基体的上表层内形成具有第二导电类型的阱区；在阱区的上表层内形成源区，源区包括具有第一导电类型的第一区域；在半导体基体内形成贯穿第一区域和阱区的沟槽；沟槽的槽壁包括底壁以及邻接于底壁的第一侧壁；沿第一方向向半导体基体内注入第二导电类型离子，以形成围绕于沟槽的屏蔽区；屏蔽区邻接于底壁和第一侧壁的至少一部分；在沟槽内形成绝缘栅结构；可避免采用超高能离子注入方式，进而降低沟槽型MOSFET器件的制造成本。