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公开(公告)号：CN114228435B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202111295811.5
申请日：2021-11-03
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： B60H1/00
摘要： 本发明公开了一种基于液氢冷能回收技术与热泵技术相耦合的氢能汽车空调系统，属于氢能汽车系统。本发明通过在车载液氢储罐与汽化器之间布置一换热器，使得液氢在进入汽化器之前，在该布置的换热器中将冷能用于冷却系统循环水，经该换热器冷却后的循环水可用于冷却乘座舱内空气，进而调节车内空气温度，降低车载冷却系统的压缩机功率。因此，上述系统可有效回收液氢的冷能，降低氢能汽车的能耗，提高行驶里程。
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公开(公告)号：CN115418725B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202210899393.9
申请日：2022-07-28
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： C30B33/02 , C30B29/38 , H01L21/324
摘要： 本发明涉及退火工艺技术领域中的一种氮化硅薄膜热退火方法和装置，包括以下步骤：阶段式加热氮化硅薄膜至保温温度，进入保温过冲阶段；调整保温过冲阶段进入保温阶段，并使保温阶段的温度与保温温度相同；冷却氮化硅薄膜至调控冷却温度，进入调控冷却阶段，且调控冷却阶段的温度与调控冷却温度相同；自然冷却氮化硅薄膜至取晶温度，解决了现有功率器件在氮化硅退火工艺中开裂率高，良品率底的问题。
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公开(公告)号：CN117438314A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311387290.5
申请日：2023-10-23
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
摘要： 本发明涉及一种沟槽型MOSFET器件及其制造方法，一种沟槽型MOSFET器件的制造方法，包括：提供具有第一导电类型的半导体基体；在半导体基体的上表层内形成具有第二导电类型的阱区；在阱区的上表层内形成源区，源区包括具有第一导电类型的第一区域；在半导体基体内形成贯穿第一区域和阱区的沟槽；沟槽的槽壁包括底壁以及邻接于底壁的第一侧壁；沿第一方向向半导体基体内注入第二导电类型离子，以形成围绕于沟槽的屏蔽区；屏蔽区邻接于底壁和第一侧壁的至少一部分；在沟槽内形成绝缘栅结构；可避免采用超高能离子注入方式，进而降低沟槽型MOSFET器件的制造成本。
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公开(公告)号：CN117317027A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311620928.5
申请日：2023-11-30
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
摘要： 本公开涉及场效应管及其制造方法、集成电路器件。该用于形成场效应管的方法可包括：根据位于预制半导体结构的刻蚀掩模，形成栅极沟槽，其中，栅极沟槽延伸入预制半导体结构；形成预制掩膜层，预制掩膜层覆盖刻蚀掩模并沿栅极沟槽的内壁面延展；基于预制掩膜层形成自对准掩模，自对准掩模位于栅极沟槽的侧壁面，并遮挡栅极沟槽的底壁面的一部分；以及根据自对准掩模对栅极沟槽的底壁面进行离子注入。该方法可提供较宽的设计和工艺窗口，可以较容易地执行。
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公开(公告)号：CN116435243A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310273053.X
申请日：2023-03-15
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/321 , H01L21/67
摘要： 本申请涉及图案晶圆的正面保护方法。该方法包括如下步骤：提供图案晶圆；在所述图案晶圆的正面贴覆保护层，得到待加工件；所述保护层用于直接接触所述图案晶圆的一侧配置为具有粘性及弹性形变特性，所述保护层上背离所述图案晶圆的一侧配置为光滑表面；将所述待加工件上设置有保护层的一侧放置于激光加工平台；对所述图案晶圆的背面进行激光退火处理；将所述保护层撕离，得到洁净状态的图案晶圆。采用本申请的图案晶圆的正面保护方法，在对图案晶圆的背面在进行激光退火时，图案晶圆的正面不会被磨损或破坏。
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公开(公告)号：CN116314154A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211725043.7
申请日：2022-12-30
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： H01L25/07 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/492 , H01L23/488
摘要： 本公开涉及一种串联拓扑结构功率模块及其制造方法。该方法包括：形成至少两个预制功率单元，其中，至少两个预制功率单元沿覆金属层绝缘板结构的延展方向排列，预制功率单元包括依次堆叠的第一焊料层、覆金属层基板结构、第一焊料部及功率芯片；形成引线，功率芯片通过引线而与覆金属层基板结构电连接；及形成多个第二焊料部，其中，第二焊料部和第一焊料部用于构成第二焊料层，电子元件焊接于覆金属层基板结构，电子元件和功率芯片用于构成电路结构，串联连接结构搭接于相邻的两个预制功率单元；以及形成第三焊料层，底板通过第三焊料层焊接于绝缘板结构。该方法可降低串联拓扑结构功率模块制作成本提升制造良率。
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公开(公告)号：CN116288253A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310150187.2
申请日：2023-02-09
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
摘要： 上述半导体薄膜的加工方法、装置、系统和计算机设备，基于预设厚度确定参考半导体薄膜的第一加工模型；其中，所述参考半导体薄膜的衬底片为硅片；基于所述预设厚度以及目标半导体薄膜的第一预设衬底片数确定所述目标半导体薄膜的第二加工模型；其中，所述目标半导体薄膜的衬底片为碳化硅片；基于所述第一加工模型以及第二加工模型确定目标加工模型；控制化学气相沉积工艺设备基于所述目标加工模型对所述目标半导体薄膜进行加工。上述方法，基于第一加工模型和第二加工模型的关系，获取目标加工模型，以准确度高的第一加工模型为基准，获取的目标加工模型能提升以碳化硅为衬底片的半导体薄膜加工的准确度并且缩短设备调试时间，节省调试成本。
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公开(公告)号：CN115985964A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211472090.5
申请日：2022-11-23
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本公开涉及旁路超结绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件。该方法包括：在预制半导体结构形成沟槽并得到半导体结构，其中，沟槽自源极侧延伸入半导体结构；形成沿沟槽的内壁面延展的绝缘层；形成介电层，其中，绝缘层位于介电层与半导体结构之间；以及形成延伸电极，其中，介电层位于延伸电极与绝缘层之间。该方法可以形成具有较好阻断能力和长期可靠性的旁路超结绝缘栅场效应管。
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公开(公告)号：CN115241282B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211166305.0
申请日：2022-09-23
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心 , 浙江大学 , 嘉兴斯达半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC MOSFET器件及其制备方法，包括衬底层、外延层、两组以上间隔排列的栅氧结构、第一隔离层、一组以上的第一源极电极层、第二源极电极层和栅极电极层，外延层设置在衬底层的一端面，衬底层的另一端面设置有漏极电极层，栅氧结构设置在外延层远离衬底层的一端面，且每组栅氧结构上设置有第一隔离层，每两组连续的栅氧结构设置为一个单元结构，且仅在每个单元结构内的两组栅氧结构之间设置有注入层和源极层，注入层和源极层内贯穿设置有掺杂层，第一源极电极层设置在外延层远离衬底层的一端面，外延层上还设置有第二隔离层，栅极电极层设置在第二隔离层上，本发明解决了传统SiC MOS管寄生电感较大的问题。
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公开(公告)号：CN115418725A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210899393.9
申请日：2022-07-28
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： C30B33/02 , C30B29/38 , H01L21/324
摘要： 本发明涉及退火工艺技术领域中的一种氮化硅薄膜热退火方法和装置，包括以下步骤：阶段式加热氮化硅薄膜至保温温度，进入保温过冲阶段；调整保温过冲阶段进入保温阶段，并使保温阶段的温度与保温温度相同；冷却氮化硅薄膜至调控冷却温度，进入调控冷却阶段，且调控冷却阶段的温度与调控冷却温度相同；自然冷却氮化硅薄膜至取晶温度，解决了现有功率器件在氮化硅退火工艺中开裂率高，良品率底的问题。
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