一种SiC MOSFET器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN115241282B

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202211166305.0

    申请日:2022-09-23

    摘要: 本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC MOSFET器件及其制备方法,包括衬底层、外延层、两组以上间隔排列的栅氧结构、第一隔离层、一组以上的第一源极电极层、第二源极电极层和栅极电极层,外延层设置在衬底层的一端面,衬底层的另一端面设置有漏极电极层,栅氧结构设置在外延层远离衬底层的一端面,且每组栅氧结构上设置有第一隔离层,每两组连续的栅氧结构设置为一个单元结构,且仅在每个单元结构内的两组栅氧结构之间设置有注入层和源极层,注入层和源极层内贯穿设置有掺杂层,第一源极电极层设置在外延层远离衬底层的一端面,外延层上还设置有第二隔离层,栅极电极层设置在第二隔离层上,本发明解决了传统SiC MOS管寄生电感较大的问题。

    一种SiC MOSFET器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN115241282A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202211166305.0

    申请日:2022-09-23

    摘要: 本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC MOSFET器件及其制备方法,包括衬底层、外延层、两组以上间隔排列的栅氧结构、第一隔离层、一组以上的第一源极电极层、第二源极电极层和栅极电极层,外延层设置在衬底层的一端面,衬底层的另一端面设置有漏极电极层,栅氧结构设置在外延层远离衬底层的一端面,且每组栅氧结构上设置有第一隔离层,每两组连续的栅氧结构设置为一个单元结构,且仅在每个单元结构内的两组栅氧结构之间设置有注入层和源极层,注入层和源极层内贯穿设置有掺杂层,第一源极电极层设置在外延层远离衬底层的一端面,外延层上还设置有第二隔离层,栅极电极层设置在第二隔离层上,本发明解决了传统SiC MOS管寄生电感较大的问题。

    一种功率芯片歧管式微通道换热器测试装置

    公开(公告)号:CN114280443A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202111296112.2

    申请日:2021-11-03

    IPC分类号: G01R31/26 H01L23/473

    摘要: 本发明公开了一种功率芯片歧管式微通道换热器测试装置,包括:测试段、石英支承板、盖板、底座。底座前面开有两个压力测量接口,用于测量冷却液进出测试段前后的压力大小。底座背面开有两个温度测量接口,用于测量冷却液进出测试段前后的温度大。底座左侧表面开有冷却液进口,底座右侧表面开有冷却液出口。测试时,冷却液从底座左侧表面的冷却液进口流入,经过测试装置内部的流路分流后从测试段的两侧流入测试段,在吸收测试段的加热量后,再经测试装置内部的流路从底座右侧表面的冷却液出口流出。本发明的测试装置可用于对不同类型的歧管式微通道换热器进行性能测试,以方便科学研究工作的开展。

    一种退火载盘的制备方法及退火载盘

    公开(公告)号:CN116884910A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310873238.4

    申请日:2023-07-14

    IPC分类号: H01L21/687 H01L21/67

    摘要: 本发明涉及半导体领域,特别涉及一种退火载盘的制备方法及退火载盘。包括载盘圆环和透光率小于待加工晶圆的载盘晶圆片,载盘晶圆片具有尺寸略大于待加工晶圆工作区域和外侧的载盘圆环区域,将载盘圆环通过粘合层与载盘圆环区域相键合后,形成退火载盘。将载盘圆环设置于工作区域的外侧,避免待加工晶圆与载盘之间的相互滑动,也降低了待加工晶圆在退火时由于气流的影响导致的滑落;同时,待加工晶圆本身具有一定的透光率,热辐射或者红外辐射的能量不能很好的吸收,导致升温速度慢,选用透光率低于待加工晶圆的载盘晶圆片,通过载盘晶圆片吸收热辐射或者红外辐射的能量,再将热量传递给待加工晶圆,从而快速、有效的达到待加工晶圆的退火温度。

    无注入终端的SIC肖特基二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN114284341A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202111562829.7

    申请日:2021-12-20

    摘要: 本发明公开无注入终端的SIC肖特基二极管及其制备方法,该SIC肖特基二极管包括N+衬底,N+衬底上生长有N‑外延,N‑外延上有肖特基接触金属及其上方的正面金属电极,N+衬底背面的欧姆接触金属。肖特基势垒的终端设有环形终端沟槽,终端沟槽内设有二氧化硅侧壁,终端沟槽内用多晶填充,正面金属电极边缘设有二氧化硅场板。本发明使用沟槽方式终止肖特基源区,使得终端截止不再依赖反型注入,降低了成本及工艺复杂程度,同时改善了终端电场局部集聚效应。