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公开(公告)号：CN114121275B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202111287286.2
申请日：2021-11-02
申请人： 浙江大学
IPC分类号： G16H50/30 , G16H50/70 , G06F18/214 , G06F18/241
摘要： 本发明提供一种基于大数据智能分析的遗传代谢病筛查效率提升方法，通过大数据的智能分析，进行遗传代谢病风险评估，提高遗传代谢病筛查结果的准确度，实现遗传代谢病筛查分析的规范化和标准化，将多种影响因素降低到最小程度，有效降低了各遗传代谢病筛查的召回率，提升检出率，对降低出生缺陷，降低筛查假阳性率，提高检测结果准确率，提高出生人口素质具有重大意义。本发明克服目前临床上通过遗传代谢病专业人员基于个人经验进行结果解读，但由于缺乏标准化和规范化，不同人员对同一检测结果的解读差异较大，存在较高假阳性率及假阴性率等问题，有效利用医疗资源。
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公开(公告)号：CN117348345A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311349698.3
申请日：2023-10-18
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开一种优化晶圆中心光刻胶厚度的涂胶方法。本发明在涂胶过程中加入喷气步骤，有利于优化晶圆中心厚度，控制光刻胶厚度均匀性，减小晶圆中间堆积光刻胶的概率。气体喷嘴距离晶圆表面的距离与气体喷嘴喷出气体的气压，决定了喷气步骤中晶圆中间区域膜厚的变化。合理的喷气速率与气压，防止形成胶上波纹效应，防止流失已经附着的光刻胶。本发明提出两次匀胶步骤，显著提高晶圆中间区域与四周区域光刻胶厚度均匀性，提高后续光刻、刻蚀的可靠性。
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公开(公告)号：CN117593745A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311590901.6
申请日：2023-11-27
申请人： 浙江大学
IPC分类号： G06V20/69 , G06V10/44 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/776 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/084 , G06N3/048
摘要： 本发明公开了一种基于图像切分和卷积神经网络的光刻工艺窗口分析方法，步骤如下：处理光刻胶图形图像数据集，得到包含单一特征的切分图像数据集；处理切分图像数据集，得到归一化后的训练集和测试集；构建卷积神经网络；训练并输出最优的模型，利用验证数据集评估模型的分类准确率；利用训练好的模型对光刻胶图形图案进行分类。本发明解决了利用卷积神经网络直接分类光刻胶图形图像时易将局部显影异常的量测图像误识别为显影正常图像的问题，提高了FEM分析效率和准确率，提高了光刻工艺稳定性，提升了半导体制造企业的核心竞争力。
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公开(公告)号：CN114121275A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111287286.2
申请日：2021-11-02
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明提供一种基于大数据智能分析的遗传代谢病筛查效率提升方法，通过大数据的智能分析，进行遗传代谢病风险评估，提高遗传代谢病筛查结果的准确度，实现遗传代谢病筛查分析的规范化和标准化，将多种影响因素降低到最小程度，有效降低了各遗传代谢病筛查的召回率，提升检出率，对降低出生缺陷，降低筛查假阳性率，提高检测结果准确率，提高出生人口素质具有重大意义。本发明克服目前临床上通过遗传代谢病专业人员基于个人经验进行结果解读，但由于缺乏标准化和规范化，不同人员对同一检测结果的解读差异较大，存在较高假阳性率及假阴性率等问题，有效利用医疗资源。
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公开(公告)号：CN104439232A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410734503.1
申请日：2014-12-04
申请人： 浙江大学 , 中钢集团安徽天源科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种镝氢化合物添加提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法，具体包括以下步骤：1)采用氢爆气流磨的方法将主相合金制成均匀的细粉，采用球磨方法将晶界相合金磨成细粉。2)将制备好的主相合金粉与晶界相细粉充分混合均匀。3)将混合后的主相和晶界相粉末在磁场中取向并压制成型。4)将压型好的块体在高真空烧结炉内烧结并经过两次回火处理制成最终磁体。本发明还公开了一种由上述方法制备得到的烧结钕铁硼磁体。本发明制成的烧结钕铁硼磁体矫顽力高，制备简便，易操作，在制备过程中更不容易被氧化，可应用于大规模的批量生产。
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公开(公告)号：CN117289539A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311273391.X
申请日：2023-09-28
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开一种光刻工艺中套刻误差的标识和测量方法。本发明中的新型套刻误差标识由前层和当前层两部分组成，前层和当前层的套刻误差标识均相对于同一中心点呈中心对称图形，且前层和当前层的套刻误差标识错开设置；所述套刻误差标识包括中心对称的四个单元，每个单元包括三部分标识子元件：标识子元件由不同密度的线条组或线条组成，不同子元件之间间距也不同。由于不同标识子元件对工艺因素的抗干扰性不同，因此在测量套刻误差时，可以根据套刻误差标识的破损情况，选择不同的标识子元件进行量测。本发明使用的新型套刻误差标识增强了套刻误差标识的抗干扰性与使用率，节省了切割道空间。
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公开(公告)号：CN220935160U
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202322654538.1
申请日：2023-09-28
申请人： 中国三峡建工(集团)有限公司 , 浙江大学
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K19/003
摘要： 本实用新型公开了一种应用于温度传感器的动态模拟前端电路，其包括八个相同的电流镜PMOS管MS1～MS8、采样保持模块、动态元素匹配模块、第一三极管QB1、第二三极管QB2、开关PMOS管MP、开关NMOS管MN、偏置电阻RBIAS、第二开关模块SW2、第三开关模块SW3和信号转换电路。本实用新型的动态模拟前端电路为双模设计，可以根据输入的高、低电平转换工作模式，从而达到通过一个电路即可实现常规模拟前端电路两部分电路功能的目的。本实用新型的动态模拟前端电路降低了现有模拟前端电路的功耗和面积，并可以减小电路噪声。
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