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公开(公告)号：CN117213391A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310390333.9
申请日：2023-04-13
申请人： 法博思(宁波)半导体设备有限公司 , 上海电机学院
摘要： 本发明公开了一种基于空间载波技术的最优系统误差设计方法，包括以下步骤：S1、获取待测镜待测表面的PV值；S2、令系统回程误差OPD所占权重与待测表面PV值所占权重相等，误差范围在±15％之间；S3、计算待测镜相对于参考镜的最优倾角α；S4、计算最优倾角α所对应的最优载波条纹数N。本发明采用上述的一种基于空间载波技术的最优系统误差设计方法，可以针对不同类型、不同规格的待测镜引入不同数量的载波条纹，将系统回程误差控制在合理范围内，使后续相位提取过程中既不会出现频谱混叠，又尽可能的保留了更多的面形信息，提升了利用SPSI技术测量面形的精度。
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公开(公告)号：CN117128877B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311394444.3
申请日：2023-10-26
申请人： 法博思(宁波)半导体设备有限公司
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本申请公开了一种薄膜厚度检测方法、计算机及系统，涉及光学薄膜厚度测量技术领域，方法包括：通过获取光源的波长范围以及薄膜样品的折射率函数得到所有仿真反射光谱曲线和所有仿真反射光谱曲线的零点；采集实测反射光谱，并将实测反射光谱进行分解得到实测反射光谱Imf2分量的所有零点；根据评价函数获取所有仿真反射光谱曲线的零点中与实测反射光谱Imf2分量的所有零点差异最小的一组，并得到薄膜样品的实测厚度；获取CCD相机采集到的干涉图中的条纹个数；根据厚度校正公式校正薄膜样品的实测厚度，得到最终厚度。本申请提供的薄膜厚度检测方法、计算机及系统在测量厚度小于1mm的薄膜时，不仅精度高，而且还具备强大的稳定性。
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公开(公告)号：CN118565329B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410854988.1
申请日：2024-06-28
申请人： 法博思(宁波)半导体设备有限公司
摘要： 本申请公开了一种跨区域相位解包裹方法、装置及计算机可读存储介质，涉及光学干涉检测技术领域，通过选取最大面积的连通区域做相位解包运算，对解包结果进行Zernike多项式展开，获取前四项Zernike展开项及各项对应的系数，根据前四项Zernike展开项及各项对应的系数在待解包裹区域内进行平面拟合，得到拟合标准平面，并确定每个连通区域的相位解包结果与拟合标准平面之间的周期数差异，将每个连通区域的相位解包结果与其对应的周期数差异进行相加，得到最终的跨区域相位解包结果。本申请解决了不连续表面的相位解包问题，通过本申请提供的方法对不连续表面进行相位解包裹，可以获得最终完整且准确的相位解包裹结果。
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公开(公告)号：CN116810636A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310529611.4
申请日：2023-05-11
申请人： 法博思(宁波)半导体设备有限公司
摘要： 本发明公开了一种含衬底的半导体硅片的研磨厚度控制方法及装置，一种含衬底的半导体硅片的研磨厚度控制方法包括在对待研磨硅片的硅片层进行研磨的情况下，获取接触式探头探测的第一数值和非接触式红外探头探测的第二数值，其中，所述待研磨硅片包括衬底层和所述硅片层，所述第一数值为待研磨硅片的总厚度，所述第二数值为所述硅片层的光程；在所述第一数值或者所述第二数值满足第一预设条件的情况下，停止对所述硅片层的研磨，得到目标研磨硅片。
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公开(公告)号：CN115638757B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202211415218.4
申请日：2022-11-11
申请人： 法博思(宁波)半导体设备有限公司
IPC分类号： G01B21/02
摘要： 本发明公开了一种硅片量测范围无限制的装置及方法，其中，装置包括硅片运载台、直线导轨、左滑台、右滑台、上探头、下探头、前角度旋转台以及后角度旋转台；两个直线导轨间隔且平行设置，左滑台滑动设置在左侧的直线导轨上，右滑台滑动设置在右侧的直线导轨上，硅片运载台安装在左滑台和右滑台的上表面，硅片运载台的中间开设有开口，硅片运载台的顶面设置有三个具有真空吸附功能的支撑点，上探头与下探头设置在两个直线导轨之间，上探头位于下探头的正上方，前角度旋转台和后角度旋转台分别位于下探头的前后侧，前角度旋转台和后角度旋转台的上端具有真空吸附、升降和旋转功能。
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公开(公告)号：CN115358998A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211008652.0
申请日：2022-08-22
申请人： 法博思(宁波)半导体设备有限公司
摘要： 本发明公开了一种随机阵列图片中点坐标的获取方法及系统，获取随机阵列图片并进行二值化处理，所述图片中包括由多个点组成的阵列；基于预设卷积核通过卷积计算将所述图片中处于同一行/列的点连接起来形成多行/列连通域；获取每个连通域的外接矩形，根据待检测点所对应的连通域的行数和列数，获取待检测点的行列坐标。可对在芯片阵列出现行数和列数不固定、中间也有可能出现缺漏，整体矩阵倾斜等情况时对阵列中瑕疵芯片的行列坐标进行确定，对阵列角度的要求较低，倾斜度可以在5度左右(取决于阵列点与点之间的距离)，并且整个算法中点的像素坐标都没有参与到确定位置中去，避免了阵列角度倾斜造成坐标的错位。
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公开(公告)号：CN118758210A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410956705.4
申请日：2024-07-17
申请人： 法博思(宁波)半导体设备有限公司
IPC分类号： G01B11/24
摘要： 本申请公开了一种基于多表面形貌测量的最小二乘迭代模型抗振方法及装置，涉及光学干涉测量技术领域，通过获取混叠干涉图组，利用快速傅里叶变换分离混叠干涉图组中每个像素所包含的信号，并进行解析得到不同表面的初始相位；根据初始相位和初始移相量计算变化补偿因子；根据最小二乘法拟合方法和变化补偿因子计算干涉条纹强度公式中的未知参数；根据最小二乘法拟合方法和未知参数计算移相量；根据移相量判断是否达到迭代精度，若达到迭代精度，则输出相位值；若未达到迭代精度，则继续进行迭代。本申请解决了现有技术利用波长移相技术测量透明元件多表面形貌时检测精度低和干涉图像质量差的问题，提高了透明元件多表面形貌的测量精度。
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公开(公告)号：CN118565329A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410854988.1
申请日：2024-06-28
申请人： 法博思(宁波)半导体设备有限公司
摘要： 本申请公开了一种跨区域相位解包裹方法、装置及计算机可读存储介质，涉及光学干涉检测技术领域，通过选取最大面积的连通区域做相位解包运算，对解包结果进行Zernike多项式展开，获取前四项Zernike展开项及各项对应的系数，根据前四项Zernike展开项及各项对应的系数在待解包裹区域内进行平面拟合，得到拟合标准平面，并确定每个连通区域的相位解包结果与拟合标准平面之间的周期数差异，将每个连通区域的相位解包结果与其对应的周期数差异进行相加，得到最终的跨区域相位解包结果。本申请解决了不连续表面的相位解包问题，通过本申请提供的方法对不连续表面进行相位解包裹，可以获得最终完整且准确的相位解包裹结果。
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公开(公告)号：CN117739837B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410182564.5
申请日：2024-02-19
申请人： 法博思(宁波)半导体设备有限公司
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本申请公开了一种基于衍射元件的对射光谱共焦测厚系统及方法，涉及硅片厚度检测技术领域，系统包括第一光谱共焦系统、第二光谱共焦系统和电脑；其中，第一光谱共焦系统的第一光谱共焦探头内部从入射端到出射端依次固定设置有准直透镜、第一非球面镜和第一衍射元件，第二光谱共焦系统的第二光谱共焦探头内部从入射端到出射端依次固定设置有第二非球面镜、第二衍射元件和折射镜，第一光谱共焦探头的出射端和第二光谱共焦探头的出射端相对设置。本申请通过使用衍射元件对光谱共焦系统进行改进，从而能够校正空间姿态误差，并提高硅片的测量精度，且衍射元件的引入使得系统能够更加灵活地处理入射和反射光。
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公开(公告)号：CN117739837A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410182564.5
申请日：2024-02-19
申请人： 法博思(宁波)半导体设备有限公司
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本申请公开了一种基于衍射元件的对射光谱共焦测厚系统及方法，涉及硅片厚度检测技术领域，系统包括第一光谱共焦系统、第二光谱共焦系统和电脑；其中，第一光谱共焦系统的第一光谱共焦探头内部从入射端到出射端依次固定设置有准直透镜、第一非球面镜和第一衍射元件，第二光谱共焦系统的第二光谱共焦探头内部从入射端到出射端依次固定设置有第二非球面镜、第二衍射元件和折射镜，第一光谱共焦探头的出射端和第二光谱共焦探头的出射端相对设置。本申请通过使用衍射元件对光谱共焦系统进行改进，从而能够校正空间姿态误差，并提高硅片的测量精度，且衍射元件的引入使得系统能够更加灵活地处理入射和反射光。
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