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公开(公告)号：CN116810636A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310529611.4
申请日：2023-05-11
Applicant: 法博思(宁波)半导体设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种含衬底的半导体硅片的研磨厚度控制方法及装置，一种含衬底的半导体硅片的研磨厚度控制方法包括在对待研磨硅片的硅片层进行研磨的情况下，获取接触式探头探测的第一数值和非接触式红外探头探测的第二数值，其中，所述待研磨硅片包括衬底层和所述硅片层，所述第一数值为待研磨硅片的总厚度，所述第二数值为所述硅片层的光程；在所述第一数值或者所述第二数值满足第一预设条件的情况下，停止对所述硅片层的研磨，得到目标研磨硅片。
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公开(公告)号：CN115638757B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202211415218.4
申请日：2022-11-11
Applicant: 法博思(宁波)半导体设备有限公司
IPC: G01B21/02
Abstract: 本发明公开了一种硅片量测范围无限制的装置及方法，其中，装置包括硅片运载台、直线导轨、左滑台、右滑台、上探头、下探头、前角度旋转台以及后角度旋转台；两个直线导轨间隔且平行设置，左滑台滑动设置在左侧的直线导轨上，右滑台滑动设置在右侧的直线导轨上，硅片运载台安装在左滑台和右滑台的上表面，硅片运载台的中间开设有开口，硅片运载台的顶面设置有三个具有真空吸附功能的支撑点，上探头与下探头设置在两个直线导轨之间，上探头位于下探头的正上方，前角度旋转台和后角度旋转台分别位于下探头的前后侧，前角度旋转台和后角度旋转台的上端具有真空吸附、升降和旋转功能。
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公开(公告)号：CN116518873A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310464359.3
申请日：2023-04-24
Applicant: 法博思(宁波)半导体设备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种可判别 晶向和 晶向的晶圆翘曲度量测方法及设备，该方法包括：将待量测晶圆放置在三个支撑点上，三个支撑点构成顶角为45°的等腰三角形，使晶圆的中心与等腰三角形的外心重合，在晶圆上规划采集翘曲度的采样路径，沿采样路径采集得到晶圆的形貌信息，计算获得去干扰因素的翘曲度值，根据翘曲度值判定晶圆的晶向。这种量测方法适用于晶圆物料主要是 晶向及 晶向两种的工厂或企业，该方法可在量测晶圆形貌的同时进行晶向判定，相比现有技术中通过不同设备、工序分别对晶圆翘曲度量测和晶向判定，本申请提供的量测方法一举多得，操作步骤简单，检测效率高，判定准确可靠，贴合实际生产需求。
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公开(公告)号：CN115638757A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211415218.4
申请日：2022-11-11
Applicant: 法博思(宁波)半导体设备有限公司
IPC: G01B21/02
Abstract: 本发明公开了一种硅片量测范围无限制的装置及方法，其中，装置包括硅片运载台、直线导轨、左滑台、右滑台、上探头、下探头、前角度旋转台以及后角度旋转台；两个直线导轨间隔且平行设置，左滑台滑动设置在左侧的直线导轨上，右滑台滑动设置在右侧的直线导轨上，硅片运载台安装在左滑台和右滑台的上表面，硅片运载台的中间开设有开口，硅片运载台的顶面设置有三个具有真空吸附功能的支撑点，上探头与下探头设置在两个直线导轨之间，上探头位于下探头的正上方，前角度旋转台和后角度旋转台分别位于下探头的前后侧，前角度旋转台和后角度旋转台的上端具有真空吸附、升降和旋转功能。
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