公开(公告)号：CN102851545A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210383242.4

申请日：2012-10-11

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 罗鸿志 ,  刘国栋 ,  孟凡斌 ,  刘何燕 ,  代学芳

IPC: C22C19/03 ,  C22C1/02 ,  B22D11/06 ,  C30B29/52 ,  C30B15/00 ,  C22F1/10

Abstract: 本发明为一种Ni-Mn-Ge系磁性形状记忆合金，其化学式为：NixMnyGezMa,M为主族元素或过渡族元素；其中，51

公开(公告)号：CN108109797B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201711455772.4

申请日：2017-12-28

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 罗鸿志 ,  倪昭宁 ,  郭星妙 ,  刘晓童 ,  孟凡斌

IPC: H01F1/03 ,  H01F41/00 ,  C22C19/03 ,  C22C1/03 ,  C22F1/10

Abstract: 本发明为一种含Zn的NiMn系磁性形状记忆合金及其制备方法。该合金的其化学式为：NixMnyMzZna,其中，M为主族元素；50.5

公开(公告)号：CN103904151B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201410161505.6

申请日：2014-04-22

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 陈贵锋 ,  王弘 ,  张辉 ,  曹哲 ,  张浩恩 ,  张娇 ,  贾少鹏 ,  罗鸿志

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明一种HIT太阳能电池，该电池的组成包括P型多晶硅衬底（P p-Si），在P型多晶硅衬底正面依次沉积的第一本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）、N型氢化非晶硅层（N a-Si:H）和第一透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上面为正面电极；在P型多晶硅衬底背面依次沉积的本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）、P型氢化非晶硅层（P a-Si:H）和第二透明导电薄膜层，第二透明导电薄膜层下面为背面电极。本发明大大降低了电池生产成本，且使得太阳能电池不再受限于圆形的单晶硅衬底，可有效提高太阳能电池组件的平面利用率。

公开(公告)号：CN103904151A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410161505.6

申请日：2014-04-22

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 陈贵锋 ,  王弘 ,  张辉 ,  曹哲 ,  张浩恩 ,  张娇 ,  贾少鹏 ,  罗鸿志

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/202

Abstract: 本发明一种HIT太阳能电池，该电池的组成包括P型多晶硅衬底（P？p-Si），在P型多晶硅衬底正面依次沉积的第一本征氢化非晶硅层（i？a-Si:H）、N型氢化非晶硅层（N？a-Si:H）和第一透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上面为正面电极；在P型多晶硅衬底背面依次沉积的本征氢化非晶硅层（i？a-Si:H）、P型氢化非晶硅层（P？a-Si:H）和第二透明导电薄膜层，第二透明导电薄膜层下面为背面电极。本发明大大降低了电池生产成本，且使得太阳能电池不再受限于圆形的单晶硅衬底，可有效提高太阳能电池组件的平面利用率。

公开(公告)号：CN102851545B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210383242.4

申请日：2012-10-11

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 罗鸿志 ,  刘国栋 ,  孟凡斌 ,  刘何燕 ,  代学芳

IPC: C22C19/03 ,  C22C1/02 ,  B22D11/06 ,  C30B29/52 ,  C30B15/00 ,  C22F1/10

Abstract: 本发明为一种Ni-Mn-Ge系磁性形状记忆合金，其化学式为：NixMnyGezMa,M为主族元素或过渡族元素；其中，51

公开(公告)号：CN108109797A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711455772.4

申请日：2017-12-28

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 罗鸿志 ,  倪昭宁 ,  郭星妙 ,  刘晓童 ,  孟凡斌

IPC: H01F1/03 ,  H01F41/00 ,  C22C19/03 ,  C22C1/03 ,  C22F1/10

Abstract: 本发明为一种含Zn的NiMn系磁性形状记忆合金及其制备方法。该合金的其化学式为：NixMnyMzZna,其中，M为主族元素；50.5

公开(公告)号：CN102129905A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010599096.X

申请日：2010-12-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘国栋 ,  卢遵铭 ,  代学芳 ,  张小明 ,  刘何燕 ,  罗鸿志 ,  孟凡斌

IPC: H01F1/047 ,  H01L43/10 ,  C22C1/02 ,  C22C27/02

Abstract: 本发明为一种具有高自旋极化率的半金属磁性材料。该材料的化学式为：VxCoyNzMw，其中，N是III-V族元素；M为过渡族元素；2≥x＞1，2＞y≥0，z＝1，1≥w≥0，x+y+z+w＝4。该材料的制备方法为(1).按化学式VxCoyNzMw配比称料放入电弧坩埚内，其中，(2).将电弧炉抽真空到1×10-1-1×10-6Pa后，充入氩气，在0.01MPa到1MPa正压力或者流动氩气的保护下进行电弧熔炼2-3分钟，后冷却；重复熔炼3-5次，使合金材料分布均匀，最后得到产品。本发明的半金属磁性材料自旋极化率在90-100％之间，在实际测量上在80-96.2％之间，表现出了极高的材料自旋极化率。