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公开(公告)号：CN106770546B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201611102335.X
申请日：2016-12-05
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： G01N27/30
摘要： 本发明用于甲烷气体检测的催化式气敏传感器的制作方法，涉及借助于测定材料的化学性质来测试材料，该方法是一种采用丝网印刷工艺技术制备催化敏感元件的方法，步骤是：将制备的催化敏感材料浆体采用丝网印刷工艺印刷于由铂金加热层和陶瓷衬底构成陶瓷片平面电极上制作得催化敏感元件；另外采用丝网印刷工艺将Al2O3粉末浆体印刷于陶瓷片平面电极上制作得参比白元件；将催化敏感元件和参比白元件进行高温活化处理；之后将催化敏感元件和参比白元组装成用于甲烷气体检测的催化式气敏传感器。本发明克服了现有技术的催化敏感元件的制作方法仍存在自动化程度低和制作成本高，所制得的用于检测甲烷气体的催化式气敏传感器的性能不稳定的缺陷。
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公开(公告)号：CN104362253B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410568822.X
申请日：2014-10-23
申请人： 河北工业大学
CPC分类号： Y02E10/549
摘要： 本发明全固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、氧化物半导体薄膜层、钙钛矿光吸收层、微晶硅空穴传输层和背电极构成；在涂覆了氧化物半导体薄膜的透明导电基底上制备钙钛矿光吸收层，微晶硅空穴传输层沉积在钙钛矿光吸收层上形成全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜；将钙钛矿光吸收层材料和P型微晶硅材料相互匹配复合，所制得的全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜太阳电池同时克服了现有钙钛矿太阳电池因使用有机空穴传输材料而存在的稳定性差和价格昂贵的缺点，以及微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高及光电转换效率低的缺点。
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公开(公告)号：CN101872685B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010173784.X
申请日：2010-05-17
申请人： 河北工业大学
CPC分类号： Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、染料敏化纳米晶多孔膜、微晶硅空穴传输层和背电极构成；所述染料敏化纳米晶多孔膜被涂覆在透明导电基底上，微晶硅空穴传输层沉积在染料敏化纳米晶多孔膜上形成固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜，由铝或铜构成的膜被镀在固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜上形成背电极。本发明将染料敏化纳米晶材料和微晶硅复合薄膜材料相互匹配复合，所制得的固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池同时克服了现有染料敏化太阳电池存在液态稳定性差和微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高的缺点。
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公开(公告)号：CN106683914A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710105170.X
申请日：2017-02-25
申请人： 河北工业大学
CPC分类号： H01H1/025 , H01H11/048
摘要： 本发明一种低压电器用铜基电触头材料及其制备方法，涉及铜作为基底材料的触点，该材料是由以下质量百分比的成分组成：Ce 0.05～0.5%，TiO2掺杂SnO2纳米颗粒0.1～1.0%，其余为Cu；其中以TiO2掺杂SnO2纳米颗粒为主增强相，同时添加稀土元素Ce以提高力学、抗氧化及电接触性能，采用无水乙醇防护下的湿磨混粉和粉末冶金工艺制备，克服了用现有技术所制得的Cu基复合材料作为触头材料使用时电导率低、接触电阻高、抗氧化及抗电弧烧损能差，以及其中增强相的弥散分布程度不够的缺点。
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公开(公告)号：CN105449103A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510783542.5
申请日：2015-11-15
申请人： 河北工业大学
CPC分类号： H01L51/4213 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4253 , H01L51/001
摘要： 本发明一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种具有电子空穴复合抑制结构层的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池，由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、电子空穴复合抑制结构层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅层具备相匹配的能级，在P型晶硅薄膜层与钙钛矿光吸收层之间加有SiO2构成的电子空穴复合抑制结构层。本发明克服了现有技术中的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池可能存在的漏电流和内部短路的缺陷。
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公开(公告)号：CN102103930A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010527939.5
申请日：2010-11-02
申请人： 河北工业大学
CPC分类号： Y02E10/542 , Y02E10/549
摘要： 本发明由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。由透明导电层、微晶硅空穴传输层、染料敏化纳米晶多孔膜和导电基底构成，染料敏化纳米晶多孔膜被涂覆在导电基底上，微晶硅空穴传输层沉积在染料敏化纳米晶多孔膜上形成固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜，透明导电层沉积在微晶硅空穴传输层上，由此组成由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池。由于将染料敏化纳米晶材料和微晶硅复合薄膜材料直接制备在导电基底上，克服了现有技术中染料敏化太阳电池对透明导电玻璃的依赖和微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高，以及现有染料敏化太阳电池存在液态稳定性差的缺点。
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公开(公告)号：CN101651119A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910070050.6
申请日：2009-08-05
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及一种GaN场效应晶体管和单片电路棱台形接地通孔的制作方法，用于微电子加工领域场效应晶体管和单片集成电路接地通孔的设计制作方法，先制作完成镍掩蔽层，将晶片倾斜θ度角，刻蚀出第一个斜通孔，腐蚀去掉镍掩蔽层后进行第二次掩蔽层制作，并将晶片倾斜-θ度角，刻蚀出第二个斜通孔，两个斜通孔在晶片正面的长方形孔口正好重合，由此得到棱台形通孔。本发明通过倾斜SiC或蓝宝石晶片的方法来制作棱台形接地通孔，获得倾斜的通孔侧壁，从而提高通孔内壁镀层的厚度，降低源极电容、电感等寄生参量，以及后续工艺的加工难度，提高了器件的可靠性。此种方法实现简单，角度调整方便，并且可以应用于其他垂直结构器件的斜通孔制作。
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公开(公告)号：CN106770546A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611102335.X
申请日：2016-12-05
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： G01N27/30
CPC分类号： G01N27/30
摘要： 本发明用于甲烷气体检测的催化式气敏传感器的制作方法，涉及借助于测定材料的化学性质来测试材料，该方法是一种采用丝网印刷工艺技术制备催化敏感元件的方法，步骤是：将制备的催化敏感材料浆体采用丝网印刷工艺印刷于由铂金加热层和陶瓷衬底构成陶瓷片平面电极上制作得催化敏感元件；另外采用丝网印刷工艺将Al2O3粉末浆体印刷于陶瓷片平面电极上制作得参比白元件；将催化敏感元件和参比白元件进行高温活化处理；之后将催化敏感元件和参比白元组装成用于甲烷气体检测的催化式气敏传感器。本发明克服了现有技术的催化敏感元件的制作方法仍存在自动化程度低和制作成本高，所制得的用于检测甲烷气体的催化式气敏传感器的性能不稳定的缺陷。
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公开(公告)号：CN105244442A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510802027.7
申请日：2015-11-15
申请人： 河北工业大学
CPC分类号： H01L51/447 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4226 , H01L51/0027
摘要： 本发明一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件的制备方法，是一种基于准分子激光晶化法的制备方法，步骤是：用准分子激光晶化法在透明导电基底上制备P型薄膜晶硅层，在P型薄膜晶硅层上旋涂钙钛矿光吸收层，在钙钛矿光吸收层上制作由致密二氧化钛构成的电子传输层，在由致密二氧化钛构成的电子传输层上制备背电极，最终制得由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池。克服了现有技术中使用“层转移技术”的工艺环节多且复杂、得到的薄膜晶硅的尺寸较小、成品率较低和薄膜晶硅的厚度不能过薄的缺陷。
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公开(公告)号：CN101651119B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910070050.6
申请日：2009-08-05
申请人： 河北工业大学
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及一种GaN场效应晶体管和单片电路棱台形接地通孔的制作方法，用于微电子加工领域场效应晶体管和单片集成电路接地通孔的设计制作方法，先制作完成镍掩蔽层，将晶片倾斜θ度角，刻蚀出第一个斜通孔，腐蚀去掉镍掩蔽层后进行第二次掩蔽层制作，并将晶片倾斜-θ度角，刻蚀出第二个斜通孔，两个斜通孔在晶片正面的长方形孔口正好重合，由此得到棱台形通孔。本发明通过倾斜SiC或蓝宝石晶片的方法来制作棱台形接地通孔，获得倾斜的通孔侧壁，从而提高通孔内壁镀层的厚度，降低源极电容、电感等寄生参量，以及后续工艺的加工难度，提高了器件的可靠性。此种方法实现简单，角度调整方便，并且可以应用于其他垂直结构器件的斜通孔制作。
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