公开(公告)号：CN104362253B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201410568822.X

申请日：2014-10-23

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 田汉民 ,  吴亚美 ,  杨瑞霞 ,  金慧娇 ,  王伟 ,  杨帆 ,  张明兰 ,  杨帆 ,  赵红东

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明全固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、氧化物半导体薄膜层、钙钛矿光吸收层、微晶硅空穴传输层和背电极构成；在涂覆了氧化物半导体薄膜的透明导电基底上制备钙钛矿光吸收层，微晶硅空穴传输层沉积在钙钛矿光吸收层上形成全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜；将钙钛矿光吸收层材料和P型微晶硅材料相互匹配复合，所制得的全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜太阳电池同时克服了现有钙钛矿太阳电池因使用有机空穴传输材料而存在的稳定性差和价格昂贵的缺点，以及微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高及光电转换效率低的缺点。

公开(公告)号：CN103605150A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310513767.X

申请日：2013-10-26

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张明兰

IPC: G01T3/08

Abstract: 本发明一种肖特基型中子探测器及其制作方法，涉及中子辐射的测量，是氮化镓中子探测器，自下至上包括欧姆接触、n+掺杂氮化镓层、氮化镓厚膜基底、肖特基接触、保护环和6LiF中子转换层，其中，n+掺杂氮化镓层形成在氮化镓厚膜基底的氮极性面，欧姆接触被制作在n+掺杂氮化镓层上面，肖特基接触被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上的中间部分，保护环被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上肖特基接触四周的环形部分，6LiF中子转换层被制作在肖特基接触的上面，位于肖特基接触的中央部位。本发明克服了现有技术的中子探测器不能用于核反应堆、高能物理实验和外太空的高温、高压和强辐射极端环境中的缺陷。

公开(公告)号：CN105244442A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510802027.7

申请日：2015-11-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 田汉民 ,  戎小莹 ,  毕文刚 ,  金慧娇 ,  张天 ,  杨瑞霞 ,  王伟 ,  花中秋 ,  杨帆 ,  张明兰

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

CPC classification number: H01L51/447 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/4226 ,  H01L51/0027

Abstract: 本发明一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件的制备方法，是一种基于准分子激光晶化法的制备方法，步骤是：用准分子激光晶化法在透明导电基底上制备P型薄膜晶硅层，在P型薄膜晶硅层上旋涂钙钛矿光吸收层，在钙钛矿光吸收层上制作由致密二氧化钛构成的电子传输层，在由致密二氧化钛构成的电子传输层上制备背电极，最终制得由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池。克服了现有技术中使用“层转移技术”的工艺环节多且复杂、得到的薄膜晶硅的尺寸较小、成品率较低和薄膜晶硅的厚度不能过薄的缺陷。

公开(公告)号：CN103605150B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310513767.X

申请日：2013-10-26

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张明兰

IPC: G01T3/08

Abstract: 本发明一种肖特基型中子探测器及其制作方法，涉及中子辐射的测量，是氮化镓中子探测器，自下至上包括欧姆接触、n+掺杂氮化镓层、氮化镓厚膜基底、肖特基接触、保护环和6LiF中子转换层，其中，n+掺杂氮化镓层形成在氮化镓厚膜基底的氮极性面，欧姆接触被制作在n+掺杂氮化镓层上面，肖特基接触被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上的中间部分，保护环被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上肖特基接触四周的环形部分，6LiF中子转换层被制作在肖特基接触的上面，位于肖特基接触的中央部位。本发明克服了现有技术的中子探测器不能用于核反应堆、高能物理实验和外太空的高温、高压和强辐射极端环境中的缺陷。

公开(公告)号：CN104362253A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410568822.X

申请日：2014-10-23

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 田汉民 ,  吴亚美 ,  杨瑞霞 ,  金慧娇 ,  王伟 ,  杨帆 ,  张明兰 ,  赵红东

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明全固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、氧化物半导体薄膜层、钙钛矿光吸收层、微晶硅空穴传输层和背电极构成；在涂覆了氧化物半导体薄膜的透明导电基底上制备钙钛矿光吸收层，微晶硅空穴传输层沉积在钙钛矿光吸收层上形成全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜；将钙钛矿光吸收层材料和P型微晶硅材料相互匹配复合，所制得的全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜太阳电池同时克服了现有钙钛矿太阳电池因使用有机空穴传输材料而存在的稳定性差和价格昂贵的缺点，以及微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高及光电转换效率低的缺点。