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公开(公告)号：CN112481519B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202011246267.0
申请日：2020-11-10
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种高阻尼CuAlMn形状记忆合金的制备方法。该方法包括如下步骤：第一步，将Cu51Zr14孕育剂颗粒与多层石墨烯混合球磨后，得到复合粉末；第二步，将复合粉末冷压成形，得到预制块体；第三步，在CuAlMn形状记忆合金熔炼时，加入Cu51Zr14孕育剂与多层石墨烯的预制块体，待CuAlMn形状记忆合金凝固后，重新升温至850～900℃，保温后于室温的水中淬火，制得高阻尼CuAlMn形状记忆合金。本发明克服了现有技术仅通过细化晶粒对阻尼性能提高有限，而通过第二相析出增加界面数量提高阻尼时，第二相的大小、数量较难控制等不足，使得CuAlMn形状记忆合金的阻尼性能显著提高。
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公开(公告)号：CN103602845A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310643228.8
申请日：2013-12-03
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明一种孔隙率、孔径可控开孔泡沫铜的制备方法，该方法是采用粉末冶金方法，将冰糖颗粒与电解铜粉以及添加剂无水乙醇混合均匀后压制得生坯，将生坯置于沸水中冲洗将冰糖颗粒彻底溶除，并经清洗、烘干后，将所得物品置于惰性气体气氛中烧结，随炉冷却至室温后即制得有由三维相互连通的空间网络构成的孔隙率为50～85%和平均孔径为0.2～2mm的开孔泡沫铜产品。本发明所得开孔泡沫铜的烧结质量较高，有着很好的力学性能及压缩吸能特性。
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公开(公告)号：CN102787250A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210289633.X
申请日：2012-08-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明双相纳米颗粒弥散强化铜基复合材料的制备方法，涉及铜基复合材料，采用溶胶-凝胶工艺结合湿法混粉及粉末冶金法的制备方法，步骤是：制备Ti4+离子掺杂Sn(OH)4干燥粉末和Al(OH)3干燥粉末；经煅烧制得SnO2-TiO2纳米粉末和Al2O3纳米粉末；将两种粉末加分散剂聚乙二醇-20000在无水乙醇中制成悬浊液后加入电解Cu粉再经搅拌成浓稠糊状混合物，再烘干制得(0.3wt%～2.5wt%Al2O3+0.7wt%～4.5wt%SnO2-TiO2)/Cu复合粉末；最后压制和烧结制得有高强、高导电、优良高温抗软化性能、抗电弧烧损能力和低的表面接触电阻的双相纳米颗粒弥散强化铜基复合材料产品。
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公开(公告)号：CN102181779B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201110081517.4
申请日：2011-04-01
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明灰口铸铁用复合孕育剂及其制备方法和应用方法，涉及铸铁合金，该孕育剂是由Fe-Ce-Si-Ca中间合金和Fe-B-V中间合金组成的纳米晶薄片状的孕育细化剂，其纳米晶晶粒小于100nm，薄片的平均厚度为0.3～0.5mm，平均宽度为0.3～0.75mm，平均长度为0.9～1.6mm；制备方法是一种快淬甩带法；应用方法是金属熔融铸造法。用该孕育剂对工程机械用灰口铸铁耐磨件的灰口铸铁合金组织进行晶粒和组织细化处理，克服了铸造缺陷，显著细化了基体晶粒和渗碳体相，从而显著提高了灰口铸铁合金的综合力学性能。
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公开(公告)号：CN101608271A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910069792.7
申请日：2009-07-20
Applicant: 河北工业大学
IPC: C22C1/08
Abstract: 本发明一种通孔泡沫铜的制备方法，涉及有开或闭孔隙的金属的制造，是以电解铜粉和NaCl颗粒为原材料，采用烧结－脱溶技术制备通孔泡沫铜的方法，将NaCl颗粒与电解铜粉以及添加剂混合均匀后压制得生坯，在烧结炉中置于氩气气氛下烧结，得到的物品置于循环热水装置中将NaCl颗粒溶除，再用超声波水浴中洗涤和丙酮清洗，最后烘干，即制得有由三维相互连通的空间网络构成的开孔、孔隙率为50～81％、平均孔径为0.2～4mm和基体中存在微观孔洞的通孔泡沫铜产品。所得通孔泡沫铜的孔隙率及孔径可控，烧结质量较高，有着很好的吸能性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113119545B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110422950.3
申请日：2021-04-20
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明一种超高阻尼和高强度金属基复合材料及其制备方法，涉及复合材料技术领域，该复合材料的组成为Cu‑11.9Al‑2.5Mn+1.0wt.％Cu51Zr14孕育剂加0.05wt.％～0.15wt.％的多层石墨烯，该复合材料的室温阻尼为0.0444～0.0979，抗拉强度为750.36MPa～913.37MPa，断后延伸率为8.34％～13.48％，能够很好地满足减振降噪高技术领域应用的需求，该材料制备方法首次使用真空热轧技术在CuAlMn形状记忆合金中加入了片层结构的本征高阻尼增强相多层石墨烯，克服了现有技术所存在的阻尼提高的程度有限，以及工艺复杂、生产周期长等的不足。
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公开(公告)号：CN114058910A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111418288.0
申请日：2021-11-26
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种高阻尼锌铝合金组织细化用复合孕育剂。该孕育剂中各元素的质量百分含量为：Ni为18～23％，Ti为4～6％，其余为Al；Ni和Ti分别与Al原位反应生成Al3Ni、Al3Ti两种颗粒。所述的Al3Ni、Al3Ti颗粒的尺寸为亚微米级至微米级。本发明的复合孕育剂可有效细化锌铝合金的组织，并能显著提高细化后锌铝合金的强度、塑性及阻尼性能，克服了现有细化剂对锌铝合金的细化程度不够、孕育剂制备工艺复杂以及对细化后锌铝合金的力学性能提升有限等不足。
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公开(公告)号：CN109266887A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811466554.5
申请日：2018-12-03
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明一种高阻尼铜基形状记忆合金的制备方法，涉及铝作次主要成分的铜基合金，步骤是：制备Cu-11.9Al-2.5Mn-0.08Sc-xNb形状记忆合金，其中，x＝0.5～1.0；对淬火态合金在580～620℃时效之前，又重新加热至850℃并保温10分钟，最终制得高阻尼铜基形状记忆合金产品。本发明在CuAlMn形状记忆合金的制备中加入了稀土元素Sc和金属元素Nb而分别起到净化熔体，细化晶粒与弥散强化，提高界面密度与界面可动性的作用，克服了现有技术中，铜基形状记忆合金制备的方法还存在所制得的铜基形状记忆合金阻尼性能的提高是以牺牲其力学性能为代价或合金中含有易老化相的缺陷。
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公开(公告)号：CN106683914B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201710105170.X
申请日：2017-02-25
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明一种低压电器用铜基电触头材料及其制备方法，涉及铜作为基底材料的触点，该材料是由以下质量百分比的成分组成：Ce 0.05～0.5%，TiO2掺杂SnO2纳米颗粒0.1～1.0%，其余为Cu；其中以TiO2掺杂SnO2纳米颗粒为主增强相，同时添加稀土元素Ce以提高力学、抗氧化及电接触性能，采用无水乙醇防护下的湿磨混粉和粉末冶金工艺制备，克服了用现有技术所制得的Cu基复合材料作为触头材料使用时电导率低、接触电阻高、抗氧化及抗电弧烧损能差，以及其中增强相的弥散分布程度不够的缺点。
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公开(公告)号：CN107008905B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201710222633.0
申请日：2017-04-07
Applicant: 河北工业大学
IPC: B22F3/11
Abstract: 本发明TiNiCu形状记忆合金基阻尼复合材料的制备方法，涉及阻尼材料的制造，通过制备多孔TiNiCu形状记忆合金并在其孔洞中填充金属Mg制得TiNiCu形状记忆合金基阻尼复合材料即Mg/TiNiCu，克服了现有的多孔TiNiCu形状记忆合金制备方法中孔隙率和孔径及孔型均难以控制、现有的将Mg引入多孔合金中的技术不可用于Mg对多孔TiNiCu合金的填充、以及合金产品的阻尼性能及其他力学性能尚需提高的缺陷。
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