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公开(公告)号：CN105777169B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610138310.9
申请日：2016-03-11
申请人： 河北中瓷电子科技有限公司
发明人： 赵东亮
摘要： 本发明公开了一种电子封装用氮化铝晶须增强氮化铝陶瓷复合材料及制法，涉及陶瓷复合材料技术领域。复合陶瓷粉料中包括如下固体原料：氮化铝65 wt.%～90 wt.%，氮化铝晶须5 wt.%～32 wt.%和烧结助剂3 wt.%～5 wt.%；复合陶瓷粉料经球磨混合制成陶瓷浆料、造粒、成型、排胶、烧结制成氮化铝晶须增强氮化铝陶瓷复合材料。本发明是将氮化铝晶须加入到氮化铝陶瓷中，利用陶瓷晶须断裂强度高、弹性模量大的特点，提高氮化铝陶瓷材料的力学性能，使其作为电子封装基板使用时具有更高的可靠性，且制法简单，易于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN104409425A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410638370.8
申请日：2014-11-13
申请人： 河北中瓷电子科技有限公司
IPC分类号： H01L23/15 , H01L23/373 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种高导热氮化硅陶瓷覆铜板及其制备方法，涉及覆铜板制造技术领域。包括高导热氮化硅陶瓷基板和无氧铜层，所述高导热氮化硅陶瓷基板上下两个表面分别与无氧铜层焊接连接，所述的焊接为通过活性金属焊膏在真空钎焊炉中高温焊接。本发明采用高强度高导热氮化硅基板的弯曲强度是氮化铝陶瓷基板的2-3倍，可以实现其与厚铜基板的覆接；热导率是氧化铝陶瓷基板3-4倍，大幅提高基板的散热性能；采用的活性焊铜工艺与直接覆铜工艺相比界面结合力更高、空洞更少、可靠性更高。因此，具有高强度、高导热、高可靠的特点。
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公开(公告)号：CN105777169A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610138310.9
申请日：2016-03-11
申请人： 河北中瓷电子科技有限公司
发明人： 赵东亮
CPC分类号： C04B35/806 , C04B35/64 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/445 , C04B2235/5276 , C04B2235/96
摘要： 本发明公开了一种电子封装用氮化铝晶须增强氮化铝陶瓷复合材料及制法，涉及陶瓷复合材料技术领域。复合陶瓷粉料中包括如下固体原料：氮化铝65 wt.%～90 wt.%，氮化铝晶须5 wt.%～32 wt.%和烧结助剂3 wt.%～5 wt.%；复合陶瓷粉料经球磨混合制成陶瓷浆料、造粒、成型、排胶、烧结制成氮化铝晶须增强氮化铝陶瓷复合材料。本发明是将氮化铝晶须加入到氮化铝陶瓷中，利用陶瓷晶须断裂强度高、弹性模量大的特点，提高氮化铝陶瓷材料的力学性能，使其作为电子封装基板使用时具有更高的可靠性，且制法简单，易于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN109494198A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811480019.5
申请日：2018-12-05
申请人： 河北中瓷电子科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种陶瓷封装外壳制备方法及陶瓷封装外壳，属于电子封装技术领域，包括以下步骤：成型，制备简单形状的片状陶瓷生坯；排胶、烧结，得到陶瓷熟瓷基板；磨抛、切割，根据预定设计，加工出外壳需要的底盘、墙体及内部基板对应形状的陶瓷基板；金属化，对各陶瓷基板表面进行金属化处理；镀覆，对各陶瓷基板表面镀覆焊接需要的金属层；焊接，根据设定的外壳的形状，将各部分陶瓷基板焊接到一起，形成陶瓷外壳；加工修正、镀覆，对焊接后的陶瓷外壳进行加工修正和镀覆，形成产品。本发明提供的陶瓷封装外壳制备方法，即解决了复杂形状、深腔、薄壁类外壳的难加工的问题，又降低了成本、具备批生产工艺性。
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公开(公告)号：CN104409425B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201410638370.8
申请日：2014-11-13
申请人： 河北中瓷电子科技有限公司
IPC分类号： H01L23/15 , H01L23/373 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种高导热氮化硅陶瓷覆铜板及其制备方法，涉及覆铜板制造技术领域。包括高导热氮化硅陶瓷基板和无氧铜层，所述高导热氮化硅陶瓷基板上下两个表面分别与无氧铜层焊接连接，所述的焊接为通过活性金属焊膏在真空钎焊炉中高温焊接。本发明采用高强度高导热氮化硅基板的弯曲强度是氮化铝陶瓷基板的2‑3倍，可以实现其与厚铜基板的覆接；热导率是氧化铝陶瓷基板3‑4倍，大幅提高基板的散热性能；采用的活性焊铜工艺与直接覆铜工艺相比界面结合力更高、空洞更少、可靠性更高。因此，具有高强度、高导热、高可靠的特点。
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公开(公告)号：CN204167364U
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201420671778.0
申请日：2014-11-12
申请人： 河北中瓷电子科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种高导热氮化铝全瓷LED封装外壳,涉及一种LED封装结构，尤其是一种大功率LED芯片的氮化铝封装外壳。它包括氮化铝基板,所述的氮化铝基板分为上下两层；上层为镜头支架层，镜头支架层的中部开有圆孔；下层为线路层，线路层的顶面固定有芯片焊盘和电路；线路层的底面固定有热沉焊盘；线路层的顶面与底面之间开有多个金属化通孔；热沉焊盘与芯片焊盘通过金属化通孔连接。本实用新型的有益效果是其散热效果好、结构简单、机械强度大，适用于高功率LED封装。
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公开(公告)号：CN204011402U
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201420455623.3
申请日：2014-08-13
申请人： 河北中瓷电子科技有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本实用新型公开了一种基于DBC工艺的LDMOS微波功率器件外壳，涉及半导体或其他固态器件的封装技术领域。所述外壳包括金属热沉、通过DBC工艺烧结在金属热沉上表面的陶瓷侧墙和通过DBC工艺烧结在金属侧墙上表面的引出端，所述金属热沉和引出端的制作材料为无氧铜。所述外壳的金属热沉和引出端的制作材料为无氧铜，具有更高的热导率，使外壳热阻更小，散热性能更好，制作更简单，成本更低。
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公开(公告)号：CN209029357U
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201822035063.7
申请日：2018-12-05
申请人： 河北中瓷电子科技有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种陶瓷封装外壳，属于电子封装领域，包括陶瓷底板、内部基板和四个陶瓷墙体，陶瓷底板上表面设有凹陷于所述陶瓷底板内的凹槽，侧面设有与所述凹槽连通的第一通孔和/或第一开槽；内部基板焊接于陶瓷底板的凹槽的槽底；四个陶瓷墙体围设于陶瓷底板的四周，并封堵第一通孔，陶瓷墙体与陶瓷底板焊接相连，陶瓷墙体之间焊接相连。本实用新型提供的陶瓷封装外壳，对各陶瓷部件单独进行加工，就可以在各陶瓷基板上加工出需要的深度的凹槽、孔等其他复杂形状的图案，然后焊接在一起，相比直接在陶瓷体上加工腔体、腔体内台阶而言，加工难度大大降低，且不易发生形变，能够保证尺寸精度，降低加工成本和材料成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204011391U
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201420455679.9
申请日：2014-08-13
申请人： 河北中瓷电子科技有限公司
IPC分类号： H01L23/08 , H01L23/04 , H01L23/367
摘要： 本实用新型公开了一种氮化铝热沉硅双极功率器件外壳，涉及半导体或其他固态器件的封装技术领域。包括金属底盘、氧化铝陶瓷侧墙、氮化铝陶瓷热沉以及金属引线，所述氧化铝陶瓷侧墙固定在所述金属底盘的上表面，金属底盘与氧化铝陶瓷侧墙之间构成腔体结构，所述氮化铝陶瓷热沉固定在所述腔体结构内部的金属底盘的上表面，所述金属引线固定在所述氧化铝陶瓷侧墙上。所述功率器件外壳使用氮化铝替代氧化铍，无毒无害，成本低，且环保；在现有结构基础上将氧化铝陶瓷侧墙加厚，将氮化铝陶瓷热沉放置在氧化铝陶瓷侧墙和金属底盘之间形成的腔体内，不会出现陶瓷瓷裂，引起外壳气密性失效，器件性能稳定。
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