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公开(公告)号：CN112661515A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011556083.4
申请日：2020-12-24
申请人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/65 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种单晶硅炉用加热器SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层及制备方法，所述SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层覆于单晶硅炉用加热器的加热部件的表面。本发明通过对加热器的加热部件增加SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层，降低了富硅气氛对加热部件的侵蚀，通过控制涂层的成分提高涂层与发热体的结合力以及涂层的抗热震性，避免生产过程中污染单晶硅，提高单晶硅质量，且能够有效的增加了加热器高温稳定性以及使用寿命，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN112645711A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011544365.2
申请日：2020-12-24
申请人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/56 , C04B35/5835 , C04B35/622 , C04B35/65 , C04B41/87
摘要： 本发明公开了一种单晶硅炉用加热器SiC‑ZrC‑BN复合涂层及制备方法，制备方法包括如下步骤：将Si粉、Zr粉、氮化硼粉、石墨粉和ZrO2粉放入球磨机中研磨，得到混合粉体；将单晶硅炉用加热器的加热部件置于石墨盒中，将混合粉末覆盖加热部件；将石墨盒置于真空炉中进行包埋渗处理，得到所述SiC‑ZrC‑BN复合涂层。本发明通过对加热器发热体增加SiC‑ZrC‑BN复合涂层，降低了富硅气氛对发热体的侵蚀，通过控制涂层的成分提高涂层与发热体的结合力以及涂层的抗热震性，避免生产过程中污染单晶硅，提高单晶硅质量，且能够有效的增加了加热器高温稳定性以及使用寿命，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN112725884A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011515946.3
申请日：2020-12-21
申请人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
摘要： 本发明公开了一种用于检测直拉单晶生长过程中熔硅液面距离的装置及方法，该装置包括石英销和热屏，所述石英销包括水平部分和主体部分，水平部分设置于主体部分上方，并互相垂直，构成“T”字型，主体部分的外立面上设置有反光材料；所述热屏包括导流筒，导流筒底部开设有台阶式通孔，台阶式通孔由第一通孔和第二通孔组成，所述石英销的主体部分穿过第二通孔，并伸出于导流筒底部之下，石英销的水平部分置于第一通孔之中；石英销的主体部分垂直向下伸出导流筒的下沿以作为测量距离的标尺。本发明采用倒影法，由于直拉单晶炉内热屏内边缘在硅熔液液面上产生倒影，倒影法则利用相机采集液面上的倒影，进而检测熔硅液面位置倒影边缘在图像中的位置。
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公开(公告)号：CN112661536A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011555259.4
申请日：2020-12-24
申请人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
IPC分类号： C04B41/87
摘要： 本发明涉及一种具有SiC‑ZrC‑B4C‑BN复合涂层的单晶硅炉用加热器及制备方法，所述单晶硅炉用加热器包括加热部件，加热部件上覆有SiC‑ZrC‑B4C‑BN复合涂层。本发明通过对加热器加热部件增加SiC‑ZrC‑B4C‑BN复合涂层，降低了富硅气氛对加热部件的侵蚀，通过控制涂层的成分提高涂层与加热部件的结合力以及涂层的抗热震性，避免生产过程中污染单晶硅，提高单晶硅质量，且能够有效的增加了加热器高温稳定性以及使用寿命，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN109269909B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201811065930.X
申请日：2018-09-13
申请人： 中国矿业大学
IPC分类号： G01N3/18
摘要： 本发明公开了一种用于散体充填材料的温度‑压力耦合试验装置及其试验方法，该装置包括进油管路、出油管路、外保温箱、内保温箱、压实箱体、隔热柱体等六部分。压实箱体外套内外两层保温箱，进、出油管路直通环绕布置在压实箱体外壁上的加热管路，压实箱体上盖板承载隔热柱体，且在盖板上开有放置连温度传感器线用的小孔。本发明各部分相互独立，可真实模拟散体充填材料在深部矿井所受梯度地温、侧限压缩环境下的压实力学特性。本发明结构简单，使用方便，热利用率高，温控效果好，温度梯度选择范围广，适用于广泛用于煤矿充填的矸石、黄土、风积沙、建筑废料等散体材料。
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公开(公告)号：CN109269909A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811065930.X
申请日：2018-09-13
申请人： 中国矿业大学
IPC分类号： G01N3/18
摘要： 本发明公开了一种用于散体充填材料的温度-压力耦合试验装置及其试验方法，该装置包括进油管路、出油管路、外保温箱、内保温箱、压实箱体、隔热柱体等六部分。压实箱体外套内外两层保温箱，进、出油管路直通环绕布置在压实箱体外壁上的加热管路，压实箱体上盖板承载隔热柱体，且在盖板上开有放置连温度传感器线用的小孔。本发明各部分相互独立，可真实模拟散体充填材料在深部矿井所受梯度地温、侧限压缩环境下的压实力学特性。本发明结构简单，使用方便，热利用率高，温控效果好，温度梯度选择范围广，适用于广泛用于煤矿充填的矸石、黄土、风积沙、建筑废料等散体材料。
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公开(公告)号：CN109142160A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811181126.8
申请日：2018-10-11
申请人： 中国矿业大学
摘要： 本发明公开了一种基于悬浮液浊度表征非常规石油伴生矿物微粒润湿性的方法，通过分别测定双亲矿物微粒在油相和水相中的浊度，得到浊度系数，从而定量地评价双亲矿物微粒的润湿性。该方法简便易行、经济高效，对于表征非常规石油资源伴生矿物微粒的润湿性具有重要意义。
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公开(公告)号：CN105195729A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510266306.6
申请日：2015-05-22
申请人： 中国矿业大学
摘要： 一种专用于连续式光纤激光合金化的陶瓷合金粉末，属于陶瓷合金粉末。该陶瓷合金粉末，由合金粉末和陶瓷硬质相组成，合金粉末由以下重量百分含量的组分组成：5-8％氟化钙，8-12％硼，3-5％氧化镧，15-25％氮化硅；所述陶瓷硬质相为碳化钨和碳化钛的混合物，所述碳化钨的重量为合金粉末和陶瓷硬质相总重量的3-6％，所述碳化钛的重量为合金粉末和陶瓷硬质相总重量的10-15％。本发明制得的陶瓷合金粉末，生成的组织致密均匀，具有亚微米陶瓷细晶结构及优异的抗摩擦磨损性能。利于控制稀释率，释放气泡，减少气孔，无裂纹、缩孔等缺陷，并具有高硬度等优异金属学性能。
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公开(公告)号：CN118333871B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410491753.0
申请日：2024-04-23
申请人： 中国矿业大学
摘要： 本发明公开了基于CA‑ResNet的矿区沉陷相位滤波方法与系统，所述方法包括：获取矿区沉陷干涉相位模拟数据集；构建结合通道注意力机制残差神经网络模型；根据所述模拟数据集训练所述结合通道注意力机制残差神经网络模型；使用训练好的结合通道注意力机制残差神经网络模型对真实的矿区沉陷干涉相位进行相位滤波。本发明通过二维高斯曲面模拟矿区沉陷形变，并用异方差高斯噪声对形变相位进行相位降噪，使得更加接近真实噪声分布。本发明使用干涉相位的实部与虚部作为网络的输入，改善了干涉条纹相位跳变的问题。在原有的残差网络结构的基础上，加入了通道注意力机制，有效提升不同尺度目标的降噪效果和干涉相位的纹理特征获取能力。
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公开(公告)号：CN118333871A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410491753.0
申请日：2024-04-23
申请人： 中国矿业大学
摘要： 本发明公开了基于CA‑ResNet的矿区沉陷相位滤波方法与系统，所述方法包括：获取矿区沉陷干涉相位模拟数据集；构建结合通道注意力机制残差神经网络模型；根据所述模拟数据集训练所述结合通道注意力机制残差神经网络模型；使用训练好的结合通道注意力机制残差神经网络模型对真实的矿区沉陷干涉相位进行相位滤波。本发明通过二维高斯曲面模拟矿区沉陷形变，并用异方差高斯噪声对形变相位进行相位降噪，使得更加接近真实噪声分布。本发明使用干涉相位的实部与虚部作为网络的输入，改善了干涉条纹相位跳变的问题。在原有的残差网络结构的基础上，加入了通道注意力机制，有效提升不同尺度目标的降噪效果和干涉相位的纹理特征获取能力。
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