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公开(公告)号：CN116190300A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211601265.8
申请日：2022-12-13
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明提供晶圆扩膜机构，包括支撑座、扩膜内环、扩膜外环和第一传动机构，其中，扩膜内环、扩膜外环和第一传动机构均设置在支撑座上，扩膜外环用于固定晶圆铁环，扩膜内环用于顶住晶圆薄膜，第一传动机构驱动扩膜外环上下移动，支撑座上设置有能够与扩膜外环底部形成接触的第一限位组件。本发明通过晶圆铁环将晶圆定位在扩膜外环中，保证晶圆不会自由旋转，然后，通过第一传动机构带动扩膜外环向下运动，实现晶圆扩膜，在扩膜外环向下运动到第一限位组件的限位形成后停止运动，通过第一限位组件保证扩膜外环下降之后保持水平，从而保证晶圆扩膜后芯片水平，取片时芯片不会崩边、破损或粘连。
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公开(公告)号：CN115922192A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211504693.9
申请日：2022-11-28
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
摘要： 本发明提供Pin针焊接工装及方法，其中该焊接工装包括隔板组件和定位部件，隔板组件分别与基板和定位部件以可拆卸的方式连接，隔板组件上设置有与衬板形成配合的第一衬板定位槽，定位部件上对应设置有与衬板形成配合的第二衬板定位槽，定位部件上还设置有与Pin针形成配合的定位孔。本发明涉及的Pin针焊接工装及方法，通过定位部件在焊接过程中对Pin针进行限位，衬板通过隔片组件限位固定布置在基板上，在保证实现Pin针快速组装的同时，保证了Pin针焊后的垂直度及位置度，适用于大批量生产，并且，通过在隔片组件和定位部件上对应设置多组衬板，可满足多个衬板同时焊接Pin针，提高了焊接生产效率可制造性。
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公开(公告)号：CN115763270A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211505814.1
申请日：2022-11-28
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/50 , H01L23/367 , H05K3/34
摘要： 本发明提供IGBT模块贴装焊接方法，包括如下步骤：S01、将用双面可烧结或焊接的芯片的背面与垫块相连接形成子单元半成品，S02、将子单元半成品分别与上衬板、下衬板及框架的连接。本发明的IGBT模块贴装焊接方法，有效地缩短了贴片封装工艺流程，在贴装焊接过程中，芯片整个面受到垫块压力作用，相比较将垫块焊接在芯片正面，芯片部分区域受到压力作用，且作用区域不对称，该方式焊层均匀性有明显提升，减少树树脂与芯片的接触面积，提高模块的可靠性，从而能够提升了模块贴片效率及合格率。
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公开(公告)号：CN111524877B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201910108735.9
申请日：2019-02-03
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/367 , H01L23/48
摘要： 本发明公开了一种双面散热功率模块，包括上衬板、下衬板、至少两颗芯片、主端子、控制端子和封装外壳，下衬板与上衬板平行设置，且与上衬板的相应端口电连接；至少两颗芯片分别设置在上衬板和下衬板上；主端子分别设置在上衬板和下衬板上；控制端子分别设置在上衬板和下衬板上，且控制端子分别与上衬板和下衬板上的对应芯片电连接。本发明有效解决了双面散热模块上下两侧热阻不均匀的问题，散热效率更高，且模块内部空间大，利于填充物填充上下衬板之间的间隙，提升了模块可靠性。
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公开(公告)号：CN113035790A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911347198.X
申请日：2019-12-24
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/498
摘要： 本申请提供了一种焊接底座及功率半导体模块，涉及功率模块制造技术领域。该焊接底座包括管状的主体，主体的第一端和第二端分别设置有垂直于主体外壁向外延伸的第一环形凸缘和第二环形凸缘，其特征在于，第一环形凸缘和第二环形凸缘中的至少一个的远离主体的凸缘表面上设置有环状凸台。该焊接底座的端面上设置有环状凸台，从而增大焊接底座与衬板上覆铜层的焊接结合面面积，有利于避免焊接底座的脱落。该功率半导体模块包括上述的焊接底座。
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公开(公告)号：CN114597684A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011418761.0
申请日：2020-12-07
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01R12/58
摘要： 本发明提供了一种IGBT模块信号端子，包括Pin针本体，Pin针本体上设有肩部、应力缓冲部、限位部和底座，所述肩部设于Pin针本体的一端，所述应力缓冲部的一端与肩部连接，另一端与底座连接，所述应力缓冲部可沿Pin针本体延伸方向伸缩，所述限位部沿Pin针本体延伸方向的高度小于应力缓冲部的高度，两个所述限位部设于应力缓冲部的两侧，限位部的一端与肩部连接，另一端悬空于底座上方；本发明提供的IGBT模块信号端子能简化操作工序，使用寿命长，可靠性高。
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公开(公告)号：CN113035790B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201911347198.X
申请日：2019-12-24
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/498
摘要： 本申请提供了一种焊接底座及功率半导体模块，涉及功率模块制造技术领域。该焊接底座包括管状的主体，主体的第一端和第二端分别设置有垂直于主体外壁向外延伸的第一环形凸缘和第二环形凸缘，其特征在于，第一环形凸缘和第二环形凸缘中的至少一个的远离主体的凸缘表面上设置有环状凸台。该焊接底座的端面上设置有环状凸台，从而增大焊接底座与衬板上覆铜层的焊接结合面面积，有利于避免焊接底座的脱落。该功率半导体模块包括上述的焊接底座。
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公开(公告)号：CN116000532A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211566598.1
申请日：2022-12-07
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： B23K37/04
摘要： 本发明提供了一种半导体器件焊接工装，包括：外框架，其能够定位安装于半导体器件的基板，外框架在基板上限定出焊接区域，焊接区域用于布置多个待焊接的衬板；以及定位件，其能够放置于相邻的两个衬板之间的定位间隙中且其宽度不小于定位间隙的宽度，定位件能够使多个待焊接的衬板彼此间隔定位，并使最外围的衬板抵接于外框架。基于本发明的技术方案，外框架可以利用基板上原有的定位孔进行安装，而后定位件只需放置于相邻衬板之间，这样就可以结合外框架实现焊接区域内所有的衬板彼此之间的相对定位，整个工装与基板之间没有额外的固定连接结构并且相互可以直接拆卸，工装在焊接后可以直接拆卸下来，有效避免焊接后出现干涉的问题。
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公开(公告)号：CN112993616B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911290617.0
申请日：2019-12-16
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种功率模块结构，涉及半导体器件技术领域，用于改善端子与内部电路板之间的硬连接并提升功率模块的可靠性。本发明的功率模块结构，包括盖板、散热基板和弹性导电元件，由于在端子与内部电路板之间设置了弹性导电元件，并且仅弹性导电元件与内部电路板之间的连接为硬连接，而弹性导电元件与端子之间的连接为接触连接，因此在实现电气导通的前提下，使二者之间具有缓冲的余量，避免了现有技术中的硬连接及由此引入的不确定性，有利于功率模块结构在该连通界面可靠性的提升。
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