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公开(公告)号：CN116995052A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310991918.6
申请日：2023-08-08
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/492 , H01L23/498 , H01L25/18 , H01L25/16
摘要： 本发明提供了一种半导体功率模块，解决了目前功率器件可靠性低的问题。该半导体功率模块包括：衬板，包括衬板发射极；芯片，设置在所述衬板上，所述芯片包括芯片发射极；绑定端子，用于连接所述芯片发射极和所述衬板发射极，所述绑定端子具有绑定结构，用于调整所述芯片发射极的电感。
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公开(公告)号：CN114628376A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011465254.2
申请日：2020-12-14
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/50
摘要： 本发明属于一种功率模块，具体是涉及到一种功率模块及其制作方法，功率模块包括基板、衬板、芯片及封装壳体，所述衬板包括陶瓷层及上覆金属层、下覆金属层；还包括母排端子，所述母排端子与上覆金属层一体成型；制作方法包括通过冲压使母排端子与上覆金属层一体成型；将上覆金属层和下覆金属层分别连接在陶瓷层的上表面和下表面；将芯片连接在衬板上；使芯片与上覆金属层电性连接；将衬板连接在基板上；将封装壳体安装在基板上；在封装壳体的内部填充绝缘胶；本发明母排端子与上覆金属层一体成型，减少了焊接界面，消除了传统焊接或超声波键合的功率模块中母排端子与上覆金属层接触界面可靠性薄弱的问题，提升了功率模块的温度冲击可靠性。
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公开(公告)号：CN112687644A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011489643.9
申请日：2020-12-16
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/367 , H01L25/11 , H01R9/24
摘要： 本发明提供一种具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，包括：散热器、衬板、PCB电路、端子以及低感复合母排，衬板与所述散热器互联，衬板上布置有所述PCB电路和端子，低感复合母排与所述端子连接；低感复合母排包括：相对设置的半桥IGBT器件的DC+级和半桥IGBT器件的DC‑级、以及设置在半桥IGBT器件的DC+和半桥IGBT器件的DC‑级的一侧的半桥IGBT器件的AC级。本发明集成低感复合母排，IGBT器件更为紧凑，空间占用少，能有效降低器件因连接产生的接触热阻和电阻；低感复合母排设计自由度大，寄生参数较小；由该型器件组装而成的功率组件，空间排布的自由度大，寄生参数也可以减小；杂散电感低，电流路径短，能有效降低芯片所受的应力，有利于提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN111223838A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010026532.8
申请日：2020-01-10
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473
摘要： 本发明提出了一种高效散热绝缘衬板，包括依次层叠设置的上金属层、陶瓷层和下金属层，所述陶瓷层内设置有流道结构，所述流道结构布满半导体芯片的发热区域。本发明的绝缘衬板陶瓷层内部设置有通道结构，使得高效散热效果的绝缘衬板设计不再受限于材料特性的选择，可以实现从半导体芯片到冷却液之间的直接散热，改善了模块内部散热路径，增强了模块散热效率，提高功率模块的热稳定性及长期可靠性。
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公开(公告)号：CN113035790B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201911347198.X
申请日：2019-12-24
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/498
摘要： 本申请提供了一种焊接底座及功率半导体模块，涉及功率模块制造技术领域。该焊接底座包括管状的主体，主体的第一端和第二端分别设置有垂直于主体外壁向外延伸的第一环形凸缘和第二环形凸缘，其特征在于，第一环形凸缘和第二环形凸缘中的至少一个的远离主体的凸缘表面上设置有环状凸台。该焊接底座的端面上设置有环状凸台，从而增大焊接底座与衬板上覆铜层的焊接结合面面积，有利于避免焊接底座的脱落。该功率半导体模块包括上述的焊接底座。
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公开(公告)号：CN117374067A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311399440.4
申请日：2023-10-25
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种功率半导体模块及控制器，解决了功率模块的空间越来越小，各自独立封装的模块已不能满足空间尺寸的需求的问题。该功率半导体模块包括：基板、多个衬板和多个换流单元；其中每两个所述换流单元互相串联后设置在一个所述衬板上；多个所述衬板设置在所述基板上。
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公开(公告)号：CN116053246A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310036088.1
申请日：2023-01-06
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/14
摘要： 本发明提供了一种半导体功率模块及功率器件，该功率模块包括衬板，衬板表面具有多个沿第一方向依次分布的金属层，金属层至少包括依次分布的第一金属层、第二金属层以及第三金属层；第一金属层与第三金属层均为沿垂直于第一方向的第二方向延伸的条状，第二金属层与第一金属层以及第三金属紧邻且第二金属层与衬板在第二方向上的宽度彼此匹配。基于本发明的技术方案，通过对金属层进行布局设计，减少小面积金属孤岛的数量并进行整合，提高衬板表面空间的利用率，最大限度地扩大其中一个至少金属层的面积，作为芯片焊接区域，从而降低器件的热阻，能够提升器件的电流等级，满足承受大电流高电压的半导体功率模块的要求。
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公开(公告)号：CN115985856A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211669039.3
申请日：2022-12-23
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
摘要： 本发明提供功率半导体模块及其制造方法，包括顶板和壳体，其中，顶板设置在壳体顶部，顶板和壳体之间形成密闭空腔，密闭空腔内从上而下依次设置有电极、半导体芯片和底板，电极与半导体芯片对应设置。本发明将模块内部形成一个完全密封的空腔，在完全密封的环境下，有效阻止外部物质进入功率半导体模块内心成损伤，良好地保护以防腐蚀和/或由于湿气和/或其他围绕功率半导体模块的有害物质可能引起的其他损坏。
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公开(公告)号：CN112993616B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911290617.0
申请日：2019-12-16
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种功率模块结构，涉及半导体器件技术领域，用于改善端子与内部电路板之间的硬连接并提升功率模块的可靠性。本发明的功率模块结构，包括盖板、散热基板和弹性导电元件，由于在端子与内部电路板之间设置了弹性导电元件，并且仅弹性导电元件与内部电路板之间的连接为硬连接，而弹性导电元件与端子之间的连接为接触连接，因此在实现电气导通的前提下，使二者之间具有缓冲的余量，避免了现有技术中的硬连接及由此引入的不确定性，有利于功率模块结构在该连通界面可靠性的提升。
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公开(公告)号：CN113053831A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911381706.6
申请日：2019-12-27
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/043 , H01L25/07
摘要： 本申请提供了一种压接式IGBT模块，包括多个能够相对于管壳上下移动的子模组，子模组包括：并排间隔设置在导电基板上的多个芯片；能够容置在管壳中或者延伸出管壳的下表面的承压件；设置在芯片的上方的旁路母排，且其上部抵接在承压件的上表面；设置在旁路母排和所述导电盖板之间的弹性件；当压装力不大于弹性件的弹力时，导电盖板延伸出所述管壳的上表面，导电基板和承压件均延伸出管壳的下表面，且导电基板的下表面和承压件的下表面齐平，当压装力大于弹性件的弹力时，导电基板的下表面和承压件的下表面与管壳的下表面齐平，导电盖板的上表面与管壳的上表面齐平。本申请的压接式IGBT模块能够保证芯片受力的均匀性。
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