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公开(公告)号：CN112635315B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202011454720.7
申请日：2020-12-10
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/51
摘要： 本公开提供一种沟槽氧化层和沟槽栅的制备方法及半导体器件。该方法包括：以第二掩膜层作为掩蔽，注入氧离子到沟槽底部的外延层内，以在沟槽底部的外延层内形成氧离子注入区；去除覆盖于沟槽底部的第二掩膜层部分，并对外延层进行热氧化处理，以在沟槽底部形成第一氧化层；去除剩余的第二掩膜层部分；再次对外延层进行热氧化处理，以在沟槽侧壁上形成第二氧化层；其中，第一氧化层的厚度大于第二氧化层的厚度。通过在沟槽侧壁和沟槽底部形成第二掩膜层，避免氧离子注入到沟槽侧壁，抑制沟槽侧壁的栅氧生长速率，形成底部致密的厚栅氧化层(第一氧化层)，强化了沟槽底部抗击穿能力，且降低了器件的栅‑漏电容，开关特性得到改善。
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公开(公告)号：CN114200275B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010898622.6
申请日：2020-08-31
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本说明书实施例提供一种碳化硅MOSFET器件高温栅偏试验方法及系统，包括：利用阈值电压测试装置测试至少一组待测器件的初始阈值电压值；利用高温栅偏测试装置对待测器件进行三种驱动电压条件下的高温栅偏测试；三种驱动电压分别为+20V/0V，+20V/‑5V和+20V/‑10V；在高温栅偏测试过程中，于不同的时间点利用阈值电压测试装置测试待测器件的当前阈值电压值，得到不同时间点对应的阈值电压值；高温栅偏测试结束，根据初始阈值电压值和不同时间点对应的阈值电压值，对阈值电压退化特性进行分析。本说明书充分考虑器件的实际工况，能够对碳化硅MOSFET器件进行全面的可靠性试验。
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公开(公告)号：CN112803373B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202011474538.8
申请日：2020-12-14
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H02H7/20
摘要： 本发明公开了一种功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备，其包括关断模块、保护模块和控制模块。其中，控制模块配置为响应于用于指示功率半导体器件短路的指令而控制关断模块动作以断开关断电路，从而能够在功率半导体器件失效或者外界原因造成门阴极短路后，仍能保护关断电路上的器件；另外，还控制保护模块动作以接通保护电路，确保实现门阴极短路，有效提高功率半导体器件的承压能力以及升压速率，并可以在外部因素导致门阴极短路的情况下可以快速接通保护电路，保护整个功率半导体驱动关断电路的安全性，同时提高功率半导体器件的可适用性、可靠性以及重复应用性。
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公开(公告)号：CN113054009B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201911374310.9
申请日：2019-12-27
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423
摘要： 本申请提供了一种沟槽IGBT芯片，包括N‑型漂移层；多个并联的元胞，元胞包括两个设置于N‑型漂移层上表面的第一沟槽内的主栅极，两个主栅极沿N‑型漂移层的表面延伸且平行分布；虚栅极，位于元胞之间并设置于N‑型漂移层上表面的第二沟槽内，虚栅极平行于主栅极；虚栅极通过虚栅主线引出电位，主栅极和虚栅极之间的第一虚栅P阱或者两个虚栅P阱之间的第二虚栅P阱中的虚栅P+接触区通过虚栅P阱主线引出电位。利用该沟槽IGBT芯片，通过引出虚栅以及虚栅P阱，使其分别能够施加不同的电位，避免了虚栅和P阱浮空时因Cgc较大产生的位移电流导致关断瞬间Vge抬升而减小了器件关断能力，在不降低性能的情况下有效地避免了开关过程中的电压或电流过冲。
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公开(公告)号：CN116995052A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310991918.6
申请日：2023-08-08
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/492 , H01L23/498 , H01L25/18 , H01L25/16
摘要： 本发明提供了一种半导体功率模块，解决了目前功率器件可靠性低的问题。该半导体功率模块包括：衬板，包括衬板发射极；芯片，设置在所述衬板上，所述芯片包括芯片发射极；绑定端子，用于连接所述芯片发射极和所述衬板发射极，所述绑定端子具有绑定结构，用于调整所述芯片发射极的电感。
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公开(公告)号：CN111129131B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811277094.1
申请日：2018-10-30
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/06
摘要： 本发明涉及一种平面栅IGBT器件，涉及半导体功率器件技术领域，用于解决现有技术中关断损耗较大的技术问题。本发明的平面栅IGBT器件，包括第一关断通路和第二关断通路，由于第一关断通路和第二关断通路是IGBT关断过程中载流子抽取的通道，因此通过增加一条额外的关断通路，从而提高了抗闩锁能力，因此既可缩短关断时间，也可增大可关断电流，从而减少关断损耗。
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公开(公告)号：CN111129130B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811276601.X
申请日：2018-10-30
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/423
摘要： 本发明提供的一种沟槽栅IGBT器件，该沟槽栅IGBT器件包括第一关断通路和第二关断通路，第一关断通路和第二关断通路均为IGBT关断过程中载流子抽取的通道，相对于现有技术新增了一条额外的关断通路，新增的关断通路和原关断通路同时工作能够加快对漂移区的载流子的抽取，使载流子快速复合，提高了抗闩锁能力，缩短了关断时间，同时也增大了可关断电流。
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公开(公告)号：CN111403476B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910002574.5
申请日：2019-01-02
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明提供的一种沟槽栅MOS功率器件及其栅极制作方法，通过两次热氧化工艺在不同的位置处形成了厚薄不同的两种栅极氧化层，薄氧化层的设置使得阀值电压能够满足沟槽栅MOS功率器件的正常工作要求，保证MOS功率器件正常的开关动作，厚氧化层能够降低米勒电容，解决了开关行为难以调控的问题并降低了开关损耗，且厚氧化层耐载流子轰击能力较强，提高了整个器件的长程可靠性。本发明在保证MOS功率器件正常的开关动作的同时，降低了米勒电容，解决了开关行为难以调控的问题并降低了开关损耗，且提高了长程可靠性，不受阀值电压限制。
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公开(公告)号：CN113277190B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202110507615.3
申请日：2021-05-10
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： B65B69/00
摘要： 本申请提供一种撕膜方法及撕膜系统，该方法包括将所述目标件固定于固定装置上，并通过夹持装置对所述目标件表面的所述目标薄膜的部分边缘进行夹持；控制所述夹持装置以预设速度相对于所述固定装置沿着撕膜方向移动，并监测所述夹持装置对所述目标薄膜的实时拉力，并将所述实时拉力与预设阈值进行比较；当所述实时拉力不等于所述预设阈值时，调整所述夹持装置的移动速度，以使所述实时拉力等于所述预设阈值。撕膜过程中实时进行拉力检测，根据实时拉力，调整撕膜速度，以使所述实时拉力等于所述预设阈值。相当于采用恒定拉力方式撕膜，既能保证撕膜不碎片，也能提高撕膜产能。
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公开(公告)号：CN111599664B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910130103.2
申请日：2019-02-21
申请人： 株洲中车时代半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/673
摘要： 本发明公开了一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法，硅片承载装置包括：第一体，其具有第一内壁，第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽；以及第二体，其包括两个侧壁以及将两个侧壁固连的连接体，两个侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与第一容纳槽对应的第二容纳槽；当第二体嵌入第一体内时，由第一容纳槽的槽底和槽顶以及第二容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与硅片的外轮廓匹配，两个侧壁能分别在两个平台上滑动以使对应的第一容纳槽和第二容纳槽错开预定距离。本发明不需要进行对称扩散掺杂和对称扩散掺杂的硅片进行机械去除或化学去除，能简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率。
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