公开(公告)号：CN112083305B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202010739182.X

申请日：2020-07-28

申请人： 株洲中车时代半导体有限公司

发明人： 石帮兵 ,  丁杰钦 ,  李诚瞻 ,  赵艳黎 ,  郑昌伟 ,  焦莎莎 ,  罗烨辉 ,  罗海辉

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本公开提供一种SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括对处于不同测试温度下的参考SiC MOSFET器件施加预设栅源负电压和预设源漏电流，以测量所述参考SiC MOSFET器件在不同测试温度下的源‑漏二极管结电压；对所有测试温度及其对应的所述参考SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压进行线性拟合，得到源‑漏二极管结电压与温度的线性关系；对待测SiC MOSFET器件施加所述预设栅源负电压和所述预设源漏电流，以测量所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压；利用所述线性关系，根据所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压确定其结温。该方法利用SiC MOSFET器件的结电压在一定的栅源负电压下具有良好线性温敏特性的特点，能够实现器件结温的准确测量。

公开(公告)号：CN111986991B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202010838550.6

申请日：2020-08-19

申请人： 株洲中车时代半导体有限公司

发明人： 刘启军 ,  王亚飞 ,  李诚瞻 ,  陈喜明 ,  赵艳黎 ,  郑昌伟 ,  张超 ,  罗海辉

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/033 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 本公开提供一种沟槽的刻蚀方法、碳化硅器件的制备方法及碳化硅器件，所述碳化硅器件的制备方法包括：通过湿法刻蚀工艺和化学机械平坦化在漂移层上的氧化层上于所述屏蔽区的对应位置处形成第三刻蚀窗口；其中，所述第三刻蚀窗口的侧壁相对于其底部的倾角为130°至140°；通过所述第三刻蚀窗口，采用干法刻蚀的工艺在漂移层表面内于所述屏蔽区的对应位置处形成呈等腰梯形的沟槽，所述屏蔽区的剩余部分位于所述沟槽下方；其中，所述沟槽的侧壁相对于其底部的倾角等于所述第三刻蚀窗口的侧壁相对于其底部的倾角；在沟槽的侧壁和底部形成与漂移层形成肖特基接触的肖特基金属层。这种方法实现了MOSFET与SBD集成后通态电流和阻断电压之间最优的折中关系。

公开(公告)号：CN114220844A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111539417.1

申请日：2021-12-15

申请人： 株洲中车时代半导体有限公司

发明人： 罗烨辉 ,  王亚飞 ,  郑昌伟 ,  王志成 ,  刘启军 ,  刘小东 ,  李诚瞻

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L27/07 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种集成SBD的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，包括衬底、N‑外延层、P阱区、结型场效应区的P+区、源极槽区的P+区和N+区、第一欧姆接触金属层、第一肖特基接触金属层、第二欧姆接触金属层和第二肖特基接触金属层；结型场效应区的P+区位于P阱区远离N+区的一侧；第二欧姆接触金属层覆盖结型场效应区的P+区背离N‑外延层的一面；第一肖特基接触金属层位于第二欧姆接触金属层远离P阱区的一侧；第二肖特基接触金属层设置在第二欧姆接触金属层背离结型场效应区的P+区的一侧，与结型场效应区的P+区平行。本发明在能够降低源极接触电阻，提升碳化硅器件的通流能力，提高碳化硅器件的可靠性。

公开(公告)号：CN114121618A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010900701.6

申请日：2020-08-31

申请人： 株洲中车时代半导体有限公司

发明人： 罗烨辉 ,  魏伟 ,  赵艳黎 ,  王志成 ,  郑昌伟 ,  龚芷玉 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/78 ,  H01L23/544

摘要： 本说明书公开一种碳化硅晶体管及其制备方法。具体地，所述制备方法包括：在所述碳化硅外延层上形成Poly薄层和第一掩膜层；所述第一掩膜层包括第一注入窗口和掩膜标记；利用所述第一掩膜层对所述Poly薄层进行非穿透刻蚀形成Poly注入掩蔽层；注入第一离子，在所述碳化硅外延层与所述第一导电类型掩蔽区对应的位置形成第一导电类型区；以所述Poly层标记为对准参照，在所述第一导电类型区内形成第二导电类型区；其中，所述第一导电类型区超出所述第二导电类型区的区域为沟道结构。本说明书的技术方案，能够有效控制所述第二导电类型区相对所述第一导电类型区的偏差，从而提高晶体管的对准精度，有益于短沟道碳化硅晶体管的制备。

公开(公告)号：CN113130304A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201911391962.3

申请日：2019-12-30

申请人： 株洲中车时代半导体有限公司

发明人： 刘启军 ,  马亚超 ,  刘锐鸣 ,  赵艳黎 ,  周正东 ,  刘芹 ,  黄爱权 ,  李诚瞻

IPC分类号： H01L21/04

摘要： 本公开提供一种碳化硅器件电极金属层的湿法刻蚀方法。该方法包括：调整待刻蚀的碳化硅晶圆的位置，使所述碳化硅晶圆上的待刻蚀电极金属层垂直于刻蚀液的液面且所述碳化硅晶圆的主定位边与所述刻蚀液的液面呈第一预设角度；其中，所述第一预设角度为40°至50°；将所述碳化硅晶圆按照预设频率浸入到所述刻蚀液中，以对所述电极金属层进行刻蚀；其中，每次将浸入所述刻蚀液中的所述碳化硅晶圆取出静置预设时长。不仅可以消除所述电极金属层刻蚀过程中各管芯在纵向与横向的刻蚀差异，还可以消除在所述电极金属层刻蚀过程中产生的并附着于所述电极金属层表面的氢气气泡，避免造成刻蚀残留。提高了器件的电学性能与成品率，节约了制造成本。

公开(公告)号：CN113054016A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201911370082.8

申请日：2019-12-26

申请人： 株洲中车时代半导体有限公司

发明人： 王亚飞 ,  陈喜明 ,  郑昌伟 ,  焦莎莎 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088

摘要： 本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构，包括：位于衬底层上的漂移区，位于漂移区内的第二导电类型阱区和第一JFET区，位于阱区表面内的增强区，位于第一导电类型增强区、阱区以及第一JFET区上且与它们同时接触的栅极绝缘层及其之上的栅极，位于增强区上的源极金属，位于第二电类型增强区和漂移区上的肖特基金属，位于肖特基金属之间漂移区表面的第二JFET区，以及漏极金属。本发明通过在碳化硅MOSFET元胞结构内集成SBD，抑制了体二极管的开启，提高了器件可靠性，通过SBD集成于MOSFET元胞结构的第二导电类型增强区之间，增加了芯片整体功率密度，且肖特基金属与第二JFET区进行间隔设置，实现了导通电阻和漏电流较好的折中关系。

公开(公告)号：CN112201579A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202010872619.7

申请日：2020-08-26

申请人： 株洲中车时代半导体有限公司

发明人： 魏伟 ,  罗烨辉 ,  赵艳黎 ,  王志成 ,  龚芷玉 ,  郑昌伟 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L23/544

摘要： 本发明公开了一种半导体芯片对准标记的制作方法及半导体芯片，所述方法包括以下步骤：在衬底之上形成外延层；在外延层之上形成掩膜层；通过光刻并刻蚀掩膜层的注入区窗口和对准标记窗口，直到露出外延层上表面的对应区域；在注入区窗口进行离子注入；在除了对准标记窗口之外的半导体芯片表面区域形成标记光刻层；利用标记光刻层作为掩膜对所述外延层上表面的对应区域进行刻蚀，将其刻蚀至指定深度；去除标记光刻层和所述掩膜层。本发明在形成注入区窗口的同时，也在划片道上形成对准标记，通过光刻刻蚀把掩膜层的对准标记传递到外延层上形成永久标记，作为后续光刻涂层的对准标记，降低了两层间对准精度偏差值，提升了套刻精度。

公开(公告)号：CN113035705B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201911357619.7

申请日：2019-12-25

申请人： 株洲中车时代半导体有限公司

发明人： 曹申 ,  赵艳黎 ,  龚芷玉 ,  王志成 ,  李诚瞻 ,  戴小平

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/04 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种改善碳化硅晶圆翘曲度的方法，通过在碳化硅晶圆背面进行干法刻蚀改善碳化硅晶圆翘曲度。所述方法包括如下步骤：S1.在碳化硅晶圆的正面进行离子注入；S2.在步骤S1得到的碳化硅晶圆的背面进行干法刻蚀；S3.将步骤S2得到的晶圆的正面进行后续光刻工艺。本发明通过在碳化硅晶圆背面进行干法刻蚀，补偿因离子注入等工艺引起的翘曲度增大，改善碳化硅晶圆的翘曲度，满足光刻对准工艺对翘曲度的严格要求以及降低半导体设备自动搬运晶圆过程中掉片、碎片等风险。

公开(公告)号：CN113054015B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201911367261.6

申请日：2019-12-26

申请人： 株洲中车时代半导体有限公司

发明人： 王亚飞 ,  陈喜明 ,  刘锐鸣 ,  赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06

摘要： 本公开提供一种碳化硅MOSFET芯片。该碳化硅MOSFET芯片包括设置于漂移层上的有源区、终端区和过渡区；所述有源区包括若干元胞结构，所述元胞结构包括与所述源区并排设置于所述第一阱区表面内且与所述源区远离所述元胞结构中心的一端接触的第二导电类型第一增强区以及位于所述元胞结构两侧的所述漂移层上方且与所述漂移层形成肖特基接触的第一肖特基金属层；所述过渡区包括所述第二增强区上方设置有与所述第二增强区形成欧姆接触的第二源极金属层，所述漂移层表面上设置有与所述漂移层的未被所述第二增强区覆盖的区域形成肖特基接触的第二肖特基金属层。通过同时在碳化硅MOSFET芯片的有源区和过渡区集成SBD，改善碳化硅芯片的双极退化效应，提高芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN116031292A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211689741.6

申请日：2022-12-27

申请人： 株洲中车时代半导体有限公司

发明人： 袁新 ,  郑昌伟 ,  王亚飞 ,  宋瓘 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/16 ,  H02M1/00

摘要： 本公开提供一种功率半导体器件及其制备方法、电力变换装置。半导体器件包括：半导体层，具有彼此相对的第一面和第二面，在第一面上设置有凹槽，半导体层包括第一导电类型的第一半导体区域、第二导电类型的第二半导体区域、第一导电类型的第三半导体区域；栅极；栅绝缘层；其中，第一半导体区域在凹槽的表面形成第一表面区域，第二半导体区域在凹槽的表面形成第二表面区域，第三半导体区域在凹槽的表面形成第三表面区域，第二表面区域环绕第一表面区域，第三表面区域环绕第二表面区域，第一表面区域、第二表面区域和第三表面区域连为一体，第二表面区域与栅极相对设置，以受栅极的电压控制形成连接第一半导体区域和第三半导体区域的反型层。