公开(公告)号：CN102290368A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110161985.2

申请日：2011-06-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山口大五郎 ,  野田理崇

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00849 ,  H01L21/02057 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

Abstract: 在半导体装置的制造方法中，在由硅或硅类化合物半导体形成的半导体衬底(1、10)中形成凹部(3、13)，使用洗涤液(5)将所述凹部(3、13)内存在的包括保护膜(4、14)在内的异物除去。所述洗涤液(5)含有添加有螯合剂的双氧水、碱性溶液和水的混合液。

公开(公告)号：CN104285283B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201380024233.9

申请日：2013-04-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小田洋平 ,  野田理崇

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01L21/308

Abstract: 对导入到反应腔室(10)内的第1导入气体进行等离子体化，在半导体晶片(20)上刻蚀沟槽(22)。对导入到上述反应腔室(10)内的第2导入气体进行等离子体化，在上述沟槽(22)的壁面形成保护膜(23)。对导入到上述反应腔室(10)内的第3导入气体进行等离子体化，将形成在上述沟槽(22)的底面的上述保护膜(23)除去。在除去了形成在上述沟槽(22)的底面的保护膜(23)后，将上述反应腔室(10)内排气。

公开(公告)号：CN102290368B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201110161985.2

申请日：2011-06-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山口大五郎 ,  野田理崇

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00849 ,  H01L21/02057 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

Abstract: 在半导体装置的制造方法中，在由硅或硅类化合物半导体形成的半导体衬底(1、10)中形成凹部(3、13)，使用洗涤液(5)将所述凹部(3、13)内存在的包括保护膜(4、14)在内的异物除去。所述洗涤液(5)含有添加有螯合剂的双氧水、碱性溶液和水的混合液。

公开(公告)号：CN108028197A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680056441.0

申请日：2016-09-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小川晃 ,  野田理崇 ,  吉冈彻雄 ,  清水悠平

IPC: H01L21/3065 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/84

Abstract: 一种进行在半导体层(11)的厚度方向上形成沟槽(20)的沟槽蚀刻、形成隔着沟槽而彼此的侧壁(16a，18a)相对置的第一图案部(16)及第二图案部(18)这两个图案部的半导体装置的制造方法，沟槽蚀刻中，在半导体层的表面形成保护膜(4)并且将半导体层蚀刻而除去，在沟槽蚀刻中，以做成使第一图案部和第二图案部成为相同电位或相同温度的构造的方式进行沟槽蚀刻。

公开(公告)号：CN104285283A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380024233.9

申请日：2013-04-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小田洋平 ,  野田理崇

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01L21/308

Abstract: 对导入到反应腔室(10)内的第1气体进行等离子体化，在半导体晶片(20)上刻蚀沟槽(22)。对导入到上述反应腔室(10)内的第2导入气体进行等离子体化，在上述沟槽(22)的壁面形成保护膜(23)。对导入到上述反应腔室(10)内的第3导入气体进行等离子体化，将形成在上述沟槽(22)的底面的上述保护膜(23)除去。在除去了形成在上述沟槽(22)的底面的保护膜(23)后，将上述反应腔室(10)内排气。